-
公开(公告)号：CN105632552B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510829049.2
申请日：2015-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了电阻式存储装置及其操作方法。存储装置包括具有分别布置在多条第一信号线与多条第二信号线交叉的区域中的多个存储单元的存储单元阵列。存储装置还包括具有分别与所述多条第一信号线连接的多个行选择开关单元的解码器。所述多个行选择开关单元中的每个选择性地响应于第一开关信号和第二开关信号而将偏置电压施加到与所述多个行选择开关单元中的每个对应的第一信号线，其中，第一开关信号和第二开关信号的电压电平在激活状态下彼此不同。
-
公开(公告)号：CN105723620A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480061776.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03L7/099
CPC classification number: H03K3/012 , H03B5/04 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/1234 , H03B5/124 , H03K17/145 , H03K17/6877
Abstract: 提供了用于补偿工艺变化的电子设备。该电子设备包括第一电路和第二电路，第一电路被配置为消耗供应给第一电路的电流，第二电路被配置为控制供应给第一电路的电流。第二电路被配置为：基于使用与第一电路的第一元件的种类相同的种类的第二元件生成的脉冲信号的频率，来生成用于控制供应给所述电路的电流的信号。
-
公开(公告)号：CN105304114A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510451618.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作存储系统的方法和一种存储装置，所述存储系统包括在存储单元阵列中共同连接到第一信号线的存储单元，所述方法包括下述步骤：根据单元区域来划分存储单元；以及利用从多个读取参考中选择的并且分别与每个单元区域对应的读取参考来对设置在每个单元区域中的存储单元独立地执行读取操作。
-
-
公开(公告)号：CN101221813B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710306135.0
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 在包括闪存设备和控制闪存设备的存储控制器的存储系统中设置读取电压的方法，包括顺序改变分布读取电压以从闪存设备读取页数据；构成具有数据位号和分布读取电压的分布表，该数据位号指示分别从闪存设备读取的页数据中的擦除状态，分布读取电压对应于读取页数据；根据分布表检测对应于数据位号的分布读取电压，每个数据位号表示存储单元的可能的单元状态的最大点；并根据检测的分布读取电压定义新的读取电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101206922B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200710160149.6
申请日：2007-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/24 , G11C16/3427
Abstract: 本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。
-
公开(公告)号：CN101202105B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200710305769.4
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/3454 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 一种快闪存储器件，包括每个单元均能储存不同位数的存储单元阵列。该快闪存储器件的页缓冲器电路包括多个页缓冲器，每个页缓冲器在存储单元的编程、擦除和读取操作期间运行。控制逻辑单元根据储存在相应存储单元中的位数控制页缓冲器的功能。
-
公开(公告)号：CN1983445B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200610164262.7
申请日：2006-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李永宅
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C11/4091 , G11C11/4097 , G11C11/408
CPC classification number: G11C11/404 , G11C7/065 , G11C7/08 , G11C11/4091 , G11C2211/4016
Abstract: 一种包括存储单元阵列的半导体存储器件，该存储单元阵列包括多个单位存储单元，其中每个单位存储单元包括互补第一和第二浮体晶体管无电容器存储单元。由第一和第二浮体晶体管无电容器存储单元的阈值电压状态的差来定义向每个单位存储单元写入和从每个单位存储单元读取的逻辑值。
-
公开(公告)号：CN101521042A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910008372.8
申请日：2009-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/12
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 提供了一种用于对非易失性存储设备进行编程的方法。所述方法包括：将第一编程脉冲施加到非易失性存储设备的对应字线；将第二编程脉冲施加到所述字线，其中第二编程脉冲的电压不同于第一编程脉冲的电压；以及将电压施加到连接到字线的每条位线，所述施加到每条位线的电压根据将要编程到对应存储单元的多个比特值、并响应于第一编程脉冲或者第二编程脉冲而彼此不同。
-
公开(公告)号：CN101206922A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710160149.6
申请日：2007-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/24 , G11C16/3427
Abstract: 本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
61
records
(took 0.028 seconds)
