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公开(公告)号：CN101123262B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200710146413.0
申请日：2007-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种显示基板及其制造方法，以及具有该显示基板的液晶显示装置。该显示基板包括：存储电极，其在形成于基板上的第一和第二区域上延伸；形成于存储电极上的绝缘层图案；以及形成在绝缘层图案上的第一和第二像素电极。第一和第二像素电极中的至少一个具有至少一个凹槽。绝缘层图案具有第一和第二开口，其形成在对应于存储电极的第一和第二区域上。从而，由于该凹槽或开口，在第一和第二像素电极的制造过程中可防止第一和第二像素电极之间的电短路。
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公开(公告)号：CN110875077B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910609034.3
申请日：2019-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器控制器及其操作方法。所述存储器控制器，被配置为控制包括多个存储体的存储器设备。存储器控制器可以确定在存储器控制器的命令队列中排队的写入命令的数量是否超过参考值；当排队的写入命令的数量超过参考值时，计算响应于排队的写入命令中的至少一些写入命令而由存储器设备消耗的写入功率的水平；以及基于所计算的写入功率的水平，从排队的写入命令中调度执行存储器设备的交错操作的交错命令。
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公开(公告)号：CN111858134B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010326380.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开存储器控制器、存储器系统以及操作存储器控制器的方法。所述用于控制存储器装置的存储器操作的存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：检测从存储器装置读取的第一读取数据的错误并纠正所述错误；错误类型检测逻辑，被配置为：将第一写入数据写入存储器装置，将第二读取数据与第一写入数据进行比较，基于比较的结果检测第二读取数据的错误位，并输出关于通过错误位而识别的错误类型的信息；以及数据图案化逻辑，被配置为：基于关于错误类型的信息改变输入数据的位图案，以减少第二读取数据的错误。
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公开(公告)号：CN115878517A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210699555.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器装置、存储器装置的操作方法和电子装置。所述存储器装置包括：第一类型的第一存储器；与第一类型不同的第二类型的第二存储器；以及存储器控制器。存储器控制器接收访问请求以及与外部处理器的工作相关的工作负载信息，使用工作负载信息来处理访问请求，以及响应于访问请求，访问第一存储器和第二存储器中的至少一者。
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公开(公告)号：CN114550773A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111294683.2
申请日：2021-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器控制器、存储系统和数据处理方法。所述存储器控制器被配置为控制由经由总线连接到主机处理器的装置访问的存储器，并且包括：第一接口电路，被配置为与主机处理器进行通信；第二接口电路，被配置为与存储器进行通信；错误检测电路，被配置为：响应于从第一接口电路接收的第一读取请求来检测存在于从第二接口电路读取的数据中的错误；可变纠错电路，被配置为：基于包括在纠错选项中的参考延迟和参考纠错等级中的至少一个来纠正错误；以及固定纠错电路，被配置为：与可变纠错电路的操作并行地纠正错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114356790A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110795792.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/0802
Abstract: 提供了一种用于间接寻址的系统、设备和方法。所述方法由经由总线连接到主机处理器的设备执行，所述方法包括：向存储器提供包括第一地址的第一读取请求；从所述存储器接收存储在所述存储器的与所述第一地址相对应的第一区域中的第二地址；向所述存储器提供包括所述第二地址的第二读取请求；以及从所述存储器接收存储在所述存储器的与所述第二地址相对应的第二区域中的第一数据，其中，所述第一读取请求还包括指示所述第一地址是所述第一数据的间接地址的第一信息。
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公开(公告)号：CN110580926A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910423205.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件的误码率均衡方法。当将包括信息数据和所述信息数据的奇偶校验位的码字写入存储器单元阵列时，所述存储器件根据存储器单元的电阻分布特性选择性地执行纠错码(ECC)交织操作。在根据一个示例的ECC交织操作中，包括信息数据的ECC扇区被划分为第一ECC子扇区和第二ECC子扇区，所述第一ECC子扇区被写入具有高误码率(BER)的第一存储区域的存储器单元，并且第二ECC子扇区被写入具有低BER的第二存储区域的存储器单元。
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公开(公告)号：CN101165551A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710162509.6
申请日：2007-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L27/12 , H01L23/528
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/1339 , G02F1/1345 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种包括导电分隔件的显示面板，导电分隔件将阵列基底的共电压线连接到相对基底的共电极。导电分隔件具有条形形状，并沿着共电压线延伸。
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公开(公告)号：CN101154007A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710163020.0
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/133 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/1343 , G02F2201/122
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器(LCD)及改进该LCD的视角的方法，该LCD包括第一基底、第二基底和置于第一基底和第二基底之间的液晶层。像素电极形成在第一基底上并设置有第一范围划分件。共电极形成在第二基底上并设置有第二范围划分件。第二范围划分件沿着第一方向和与第一方向对称的第二方向延伸，以具有第二范围划分件的弯曲部分。在共电极的平面图中，共电极具有锯齿形状的凹凸部分，凹凸部分设置在形成有弯曲部分的区域中。
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