公开(公告)号：CN100446260C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510130269.2

申请日：2005-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  李制勋 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种TFT阵列面板，包括：下部铝层；氮化铝层，形成于下部铝层上；以及上部铝层，形成于氮化铝层上。这种包括铝布线的TFT阵列面板减少乃至防止形成可能引起短路的小丘。本发明还公开了一种制造这种TFT阵列面板的方法。

公开(公告)号：CN1945813A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610152439.1

申请日：2006-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  赵范锡

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括：在基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成欧姆接触件；在欧姆接触件上形成包括源电极和漏电极的数据线；沉积第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一光刻胶；利用第一光刻胶作为蚀刻掩膜对第二绝缘层和第一绝缘层进行蚀刻，以露出漏电极的一部分和基板的一部分；利用选择性沉积，形成连接至漏电极的已露出部分的像素电极；以及去除第一光刻胶。

公开(公告)号：CN1776513A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510125432.6

申请日：2005-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  裵良浩 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板；形成在所述绝缘基板上的栅极线；形成在所述栅极线上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的漏电极和具有源电极的数据线，所述漏电极与所述源电极相邻，其间具有间隙；以及，耦合到所述漏电极上的象素电极，其中所述栅极线、所述数据线和所述漏电极中的至少一个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括导电氧化物，所述第二导电层包括铜(Cu)。

公开(公告)号：CN1776513B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200510125432.6

申请日：2005-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  裵良浩 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板；形成在所述绝缘基板上的栅极线；形成在所述栅极线上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的漏电极和具有源电极的数据线，所述漏电极与所述源电极相邻，其间具有间隙；以及，耦合到所述漏电极上的象素电极，其中所述栅极线、所述数据线和所述漏电极中的至少一个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括导电氧化物，所述第二导电层包括铜(Cu)。

公开(公告)号：CN100562998C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200610098778.6

申请日：2006-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种布线结构、一种形成布线的方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种TFT基板的制造方法。布线结构包括设置在下部结构上的阻挡层、设置在阻挡层上的包括铜或铜合金的铜导电层、设置在铜导电层上的包括氮化铜的中间层、以及设置在中间层上的覆盖层。

公开(公告)号：CN101325202A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200710161109.3

申请日：2007-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金度贤 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所公开的薄膜晶体管阵列面板包括绝缘衬底、形成在绝缘衬底上的包括氧化物的沟道层。栅极绝缘层形成在沟道层上，栅电极形成在栅极绝缘层上。层间绝缘层形成在栅电极上，数据线形成在层间绝缘层上且包括源电极，其中数据线由第一导电层和第二导电层制成。漏电极形成在层间绝缘层上，且包括第一导电层和第二导电层。像素电极从漏电极的第一导电层延伸，钝化层形成在数据线和漏电极上。隔离片形成在钝化层上。

公开(公告)号：CN101132011A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710152639.1

申请日：2007-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金度贤 ,  李殷国 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及一种阵列基板，包括开关元件、信号传输线、钝化层和像素电极。开关元件设置在绝缘基板上。信号传输线连接到开关元件，并包括阻挡层、导电线和氮化铜层。阻挡层设置在绝缘基板上。导电线设置在阻挡层上，并且包括铜或者铜合金。氮化铜层覆盖导电线。钝化层覆盖开关元件和信号传输线并具有接触孔，通过该接触孔部分地露出开关元件的漏电极。像素电极设置在绝缘基板上，并通过接触孔连接到开关元件的漏电极。本发明还涉及具有阵列基板的显示器件以及制造阵列基板的方法。

公开(公告)号：CN1917202A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610109260.8

申请日：2006-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种该布线的制造方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种该TFT基板的制造方法。该布线结构包括形成在下部结构上的包含氧化银的底层、和形成在该底层上的包含银或银合金的银导电层。

公开(公告)号：CN1812109A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510130269.2

申请日：2005-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  李制勋 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种TFT阵列面板，包括：下部铝层；氮化铝层，形成于下部铝层上；以及上部铝层，形成于氮化铝层上。这种包括铝布线的TFT阵列面板减少乃至防止形成可能引起短路的小丘。本发明还公开了一种制造这种TFT阵列面板的方法。

公开(公告)号：CN101657885B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880011578.X

申请日：2008-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  李制勋

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供形成氧化物半导体层的方法和使用该形成氧化物半导体层的方法制造半导体器件的方法。该方法包括：将氧化物半导体靶安装在腔室中；将基底装到该腔室中；将该腔室抽真空；在将氧气和溅射气体注入到该腔室中的同时将直流功率施加到该氧化物半导体靶上；和通过将该溅射气体的等离子体施加到该氧化物半导体靶上而在该基底表面上形成氧化物半导体层。在此，该氧化物半导体靶可具有1kΩ或更小的电阻。该氧化物半导体靶可具有x(第一氧化物)·y(第二氧化物)·z(第三氧化物)的组成，其中x、y和z为摩尔比。所述第一至第三氧化物各自可为Ga2O3、HfO2、In2O3和ZnO之一但彼此不同。该氧化物半导体靶可为Ga2O3、HfO2、In2O3和ZnO之一。