公开(公告)号：CN115020431A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210146728.X

申请日：2022-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 琴东旻 ,  李允基 ,  朴俊城 ,  李东奎 ,  金范锡 ,  李光熙 ,  李太星

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，该图像传感器为具有相同颜色的滤色器的像素提供了均匀的灵敏度以提高图像质量。图像传感器包括：衬底；第一栅格图案，其设置在衬底上并且包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁；第一像素，其包括第一光电转换元件和第一滤色器；以及第二像素，其包括第二光电转换元件和第二滤色器。第一滤色器接触第一侧壁，第二滤色器接触第二侧壁。第一滤色器和第二滤色器为相同颜色的滤色器，并且第一滤色器的第一厚度大于第二滤色器的第二厚度。

公开(公告)号：CN111435667A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201911091800.8

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  金正生 ,  俞铉根

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体层，其包括第一部分和第二部分，该半导体层具有彼此面对的第一表面和第二表面；器件隔离层，其在半导体层中并限定多个像素；第一栅格图案，其在半导体层的第一部分上的第一表面上；以及遮光图案，其在半导体层的第二部分上的第一表面上。第一栅格图案的顶表面位于第一高度处，遮光图案的顶表面位于第二高度处，第一高度低于第二高度，并且第一高度和第二高度相对于半导体层的第一表面被限定。

公开(公告)号：CN102074566A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010540893.0

申请日：2010-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  李德炯

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：衬底，具有像素区域和非像素区域，该像素区域包括多个单位像素；在非像素区域中的至少一个第一阱；在衬底的第一面上的互连结构；以及基础阱，在非像素区域中且在第一阱与衬底的第二面之间。

公开(公告)号：CN119450251A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411031009.9

申请日：2024-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞铉根 ,  琴东旻 ,  金正生 ,  金范锡 ,  李允基

IPC: H04N25/70 ,  H04N25/60

Abstract: 提供了一种图像传感器。图像传感器包括：第一像素组，其包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素；第二像素组，其包括第五像素、第六像素、第七像素和第八像素，其中，第二像素组被设置为在第一方向上与第一像素组相邻；第一透镜，其与第一像素和第二像素对应；第二透镜，其与第三像素和第四像素对应；装置隔离图案，其将第一像素组与第二像素组电隔离；以及读出电路，其被配置为：基于从第一像素组接收的相位信号中的至少一部分输出相位数据；以及基于从第二像素组接收的彩色信号中的至少一部分输出图像数据。

公开(公告)号：CN118676160A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410277426.5

申请日：2024-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：第一导电类型的半导体基底，所述半导体基底包括：第一表面、与第一表面背对的第二表面、像素区域、以及像素隔离结构；以及光电转换区域，在像素区域中，光电转换区域具有第二导电类型的杂质，其中，像素隔离结构被配置为包围光电转换区域，并且其中，像素隔离结构包括：气隙，衬垫绝缘图案，在气隙与所述半导体基底之间，以及覆盖图案，与所述半导体基底的第二表面邻近。

公开(公告)号：CN117995858A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311460190.0

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金廷玹 ,  朴钟勋 ,  李允基 ,  李准植

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括对应于多个第一子像素的多个第一光电转换区、在所述多个第一光电转换区上方的第一滤色器区、以及在第一滤色器区上方的第一微透镜，其中，第一滤色器区包括在第一滤色器区的中心部分处的第一栅格结构，第一栅格结构的高度小于第一滤色器区的高度。

公开(公告)号：CN110034138B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811561957.8

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保美 ,  金范锡 ,  金正生 ,  李允基 ,  郑泰燮

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。图像传感器可以包括多个单元像素以及在所述多个单元像素上的滤色器阵列。滤色器阵列可以包括滤色器单元，该滤色器单元包括布置为二乘二阵列的四个滤色器，并且所述四个滤色器可以包括两个黄色滤色器、青色滤色器、以及红色滤色器和绿色滤色器中的一个。

公开(公告)号：CN117012792A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310456735.4

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  权炯根 ,  金范锡 ,  金智恩 ,  朴巨成 ,  李允基 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：第一衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括像素阵列区域和边缘区域；在第二表面上的抗反射结构；像素分离部分，在第一衬底中并将像素彼此分离；以及在抗反射结构上的微透镜阵列。该抗反射结构包括顺序堆叠的第一电介质层、钛氧化物层、第二电介质层和第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包括彼此不同的材料。在边缘区域上，第三电介质层穿透第二电介质层和钛氧化物层以与第一电介质层接触。

公开(公告)号：CN116525625A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211405795.5

申请日：2022-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰汉 ,  琴东旻 ,  金范锡 ,  李光熙 ,  李允基 ,  张艺珠

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括布置在基板上的第一滤色器层至第四滤色器层以及布置在第一滤色器层至第四滤色器层上的第一微透镜至第七微透镜。第一微透镜与由绿色‑红色子像素组成的第一子矩阵的对角组件垂直地交叠。第二微透镜和第三微透镜与由绿色‑红色子像素组成的第一子矩阵的非对角组件垂直地交叠。每个第二微透镜的水平面积小于每个第一微透镜的水平面积，并且每个第三微透镜的水平面积大于每个第一微透镜的水平面积。

公开(公告)号：CN115996329A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211273486.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰汉 ,  李允基 ,  琴东旻 ,  金范锡 ,  李光熙 ,  张芸珠

IPC: H04N25/78 ,  H04N25/772 ,  H04N25/46

Abstract: 一种图像传感器包括像素阵列和逻辑电路，在像素阵列中设置有多个普通像素和多个自动聚焦(AF)像素。逻辑电路使用从多个AF像素中的每个获得的像素信号之间的相位差来提供自动聚焦功能。每个AF像素包括设置在一对像素区域中的单个AF透镜。与像素阵列的中心间隔开的AF像素的AF透镜可以具有大于与中心相邻的AF像素的AF透镜的面积的面积。