-
公开(公告)号：CN106653965A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610881598.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。
-
公开(公告)号：CN117255559A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310716959.4
申请日：2023-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：下部结构、在下部结构上彼此间隔开的第一电极、第一电极上的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。每个第一电极包括第一元素、第二元素和氮(N)。包括第一元素的第一氮化物材料的刚度高于包括第二元素的第二氮化物材料的刚度。每个第一电极包括这样的区域：第一元素在该区域中的浓度与第二元素在该区域中的浓度之比在远离每个第一电极的侧表面的水平方向上减小。
-
公开(公告)号：CN107123723B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710102671.2
申请日：2017-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光器件封装件包括：设置为在水平方向上彼此间隔开的多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层；以及位于中间层上的波长转换层，所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个层，所述多个层分别与不同的折射率相关联。中间层可包括多组孔，每组孔可包括分离的多个孔，并且每个波长转换层可与中间层上的单独一组孔垂直地重叠。
-
公开(公告)号：CN107123723A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710102671.2
申请日：2017-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光器件封装件包括：设置为在水平方向上彼此间隔开的多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层；以及位于中间层上的波长转换层，所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个层，所述多个层分别与不同的折射率相关联。中间层可包括多组孔，每组孔可包括分离的多个孔，并且每个波长转换层可与中间层上的单独一组孔垂直地重叠。
-
公开(公告)号：CN109962060B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201811316171.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 提供了发光器件封装和显示设备，发光器件封装包括：单元阵列，包括第一、第二和第三发光器件，每个发光器件包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，该单元阵列具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；透光基板，包括分别与第一发光器件和第二发光器件相对应的第一波长转换部分和第二波长转换部分，并且接合到第一表面；共晶接合层，包括分别与第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件相对应的第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口，并且将透光基板和第一至第三发光器件彼此接合。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117410391A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310865347.1
申请日：2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种制造LED模块的方法、一种LED模块和一种显示设备。所述方法包括：在生长衬底上形成第一导电类型的半导体基底层；在第一导电类型的半导体基底层上形成具有第一开口至第三开口的掩模图案，其中，第一开口至第三开口具有不同宽度并且以相同间距排列；分别在第一开口至第三开口中同时形成第一发光层叠件至第三发光层叠件；从第一导电类型的半导体基底层去除掩模图案；以及去除第一发光层叠件至第三发光层叠件中的每一个的边缘区，其中，第一发光层叠件至第三发光层叠件分别包括被配置为发射不同波长的光的第一有源层至第三有源层。
-
公开(公告)号：CN116487501A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310058501.4
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光装置包括：第一光透射层；第二光透射层，其设置在第一光透射层上；多个台式结构，其设置在第二光透射层上，并且被配置为生成紫外波段中的光；以及钝化图案，其设置在多个台式结构的侧表面上。多个台式结构中的每一个包括：第一外延图案，其包括铝镓氮化物，第二外延图案，其设置在第一外延图案上，并且包括铝镓氮化物，第三外延图案，其设置在第二外延图案上，并且包括铝镓氮化物，以及第四外延图案，其设置在第三外延图案上，并且包括氮化镓。多个台式结构中的每一个的水平宽度在约5μm至约30μm的范围内。
-
公开(公告)号：CN109935666A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811486617.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件以及布置在第一半导体堆叠件下方和上方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件以及布置在第二半导体堆叠件下方和上方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和第二上分散式布拉格反射器(DBR)层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件以及布置在第三半导体堆叠件下方和上方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和第三上分散式布拉格反射器(DBR)层；第一粘合层，其布置在第一发光部分与第二发光部分之间；以及第粘合层，其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。
-
公开(公告)号：CN109935611A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811421803.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光器件封装件包括：发光单元阵列，所述发光单元阵列包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，并且包括第一表面和设置为与所述第一表面相对的第二表面；多个金属柱，其设置在发光单元阵列的第一表面上并且电连接至第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；以及模塑部分，其包封所述发光单元阵列和所述多个金属柱，其中，所述多个金属柱包括导电层和设置在所述导电层下方的接合层，所述接合层与所述导电层之间的界面高于模塑部分的下表面。
-
公开(公告)号：CN108242483A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711445437.6
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/50 , H01L25/0753 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供了一种发光器件封装件，其包括发光结构，所述发光结构包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，第一发光单元至第三发光单元中的每一个包括在第一方向上发射第一波长的光的有源层，并且第一发光单元至第三发光单元中的每一个在与第一方向正交的第二方向上彼此分离，第一调光部分包括在第一发光单元的第一凹部中的第一波长转换层，第一波长转换层将第一波长的光转换成第二波长的光，以及第二调光部分包括在第二发光单元的第二凹部中的第二波长转换层，第二波长转换层将第一波长的光转换为第三波长的光。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.035 seconds)
