公开(公告)号：CN116798996A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310247347.5

申请日：2023-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安相赫 ,  姜埈求 ,  南多妍 ,  朴燽洹 ,  李东建

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了电容器和包括其的DRAM器件。所述电容器包括下电极结构，所述下电极结构包括第一下电极图案和第二下电极图案，所述第一下电极图案包括第一材料，所述第一材料包括金属，所述第二下电极图案包括不同于所述第一材料的第二材料，其中，所述第一材料和所述第二材料暴露于具有柱形状的所述下电极结构的外侧壁上。所述电容器还包括位于所述下电极结构上的电介质层和位于所述电介质层上的上电极。

公开(公告)号：CN117255559A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310716959.4

申请日：2023-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东建 ,  姜埈求 ,  南多妍 ,  朴燽洹 ,  尹晟准

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体装置包括：下部结构、在下部结构上彼此间隔开的第一电极、第一电极上的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。每个第一电极包括第一元素、第二元素和氮(N)。包括第一元素的第一氮化物材料的刚度高于包括第二元素的第二氮化物材料的刚度。每个第一电极包括这样的区域：第一元素在该区域中的浓度与第二元素在该区域中的浓度之比在远离每个第一电极的侧表面的水平方向上减小。

公开(公告)号：CN117177561A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310575398.0

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜埈求 ,  南多妍 ,  尹晟准 ,  李东建

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的上表面基本垂直的方向延伸的电极层，其中，电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在下电极的侧壁与介电层之间以及在下电极的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌。