-
公开(公告)号：CN110678883B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201880034791.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06V40/10 , G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 公开了一种电子装置。所述电子装置包括：存储器；以及处理器，针对从根据神经网络的学习产生的多个滤波器选择的每个主样式的滤波器检查用于对神经网络的输入数据进行滤波的操作命令，并且将检查的操作命令存储在存储器中。
-
公开(公告)号：CN112993028B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
-
公开(公告)号：CN112909073B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202010637763.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底；至少一个掩模层，在第一方向上与衬底间隔开；在衬底与至少一个掩模层之间的第一导电类型的第一半导体区域；在至少一个掩模层上的第二导电类型的第二半导体区域；以及在第一半导体区域上的第一导电类型的第三半导体区域。第三半导体区域可以接触第二半导体区域以在不同于第一方向的第二方向上形成PN结结构。该半导体结构可以应用于垂直功率器件，并且能够提高耐受电压性能和降低导通电阻。
-
公开(公告)号：CN117637945A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311105538.4
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了多波长发光器件以及制造该多波长发光器件的方法。一种配置为发射第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光的多波长发光器件包括：基板；提供在基板上的第一类型半导体层；提供在第一类型半导体层上的有源层；提供在有源层上的第二类型半导体层；以及提供在第二类型半导体层上的电极。有源层包括配置为发射第一波长的光的第一有源区、配置为发射第二波长的光的第二有源区以及配置为发射第三波长的光的第三有源区。
-
公开(公告)号：CN112687732A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111788582A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880089689.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备。所述电子设备包括：第一存储器，被配置为存储包括多个第一元素的第一人工智能(AI)模型；以及处理器，包括第二存储器。第二存储器被配置为存储包括多个第二元素的第二AI模型。所述处理器被配置为基于第二AI模型从输入数据获取输出数据。第一AI模型通过AI算法被训练。所述多个第二元素中的每一个第二元素包括在所述多个第一元素中的各个第一元素中包括的多个位中的至少一个较高位。
-
公开(公告)号：CN111133455A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880061613.2
申请日：2018-10-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本文提供了一种用于执行深度学习的处理器。该处理器包括处理元件单元，该处理元件单元包括以矩阵形式排列的多个处理元件，该矩阵形式包括多个处理元件的第一行和多个处理元件的第二行。处理元件由通过被连接到多个处理元件的第一行的第一数据输入单元来馈送过滤器数据。第二数据输入单元将目标数据馈送到处理元件。由寄存器组成的移位器将指令馈送到处理元件。处理器中的控制器控制处理元件、第一数据输入单元和第二数据输入单元以处理过滤器数据和目标数据，从而提供乘积和(卷积)功能。
-
-
公开(公告)号：CN110010740A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811486130.5
申请日：2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种紫外发光装置，包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的第二区域；透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的透明电极层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的透明电极层上以及所述透光介电层上。
-
公开(公告)号：CN107240355A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710196508.7
申请日：2017-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09F9/30
CPC classification number: G06F3/1446 , G02F1/133345 , G02F1/13336 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133388 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/2003 , G09G3/2096 , G09G3/32 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G3/3413 , G09G3/342 , G09G3/3607 , G09G3/3648 , G09G2300/026 , G09G2300/0426 , G09G2320/0242 , G09G2320/0626 , H01L25/0753 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3293 , H01L33/504 , H01L33/54 , H01L33/62 , G09F9/3023
Abstract: 本公开涉及显示面板和多画面设备。一种多画面设备可以包括显示面板，该显示面板包括显示屏，该显示屏包括第一区域和邻近的第二区域。第一区域可以包括第一像素，第二区域可以包括第二像素。第一像素和第二像素具有不同的结构。显示面板可以显示横跨显示屏的第一区域和第二区域的单个图像。多画面设备可以包括互连的显示面板的阵列，该互连的显示面板的阵列被配置为基于每个给定的显示面板在所述给定的显示面板的第一和第二区域中显示单独的子图像而共同地显示图像。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.036 seconds)
