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公开(公告)号：CN1433013A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02152833.0
申请日：2002-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B15/61
CPC classification number: G11B15/6656 , G11B15/61
Abstract: 本发明公开了一种磁性记录/再现设备的磁带导引装置，包括立柱基座组件，以导引自供给卷轴送入并穿过预定路径的磁带而使之在水平方向移动至磁鼓的读取表面。该立柱基座组件包括一个立柱基座，在磁带装载/卸载过程中，该立柱基座靠近磁鼓一侧或与磁鼓一侧分离。该立柱基座组件还包括一个立柱单元，该立柱单元包括与立柱基座倾斜而处于磁鼓读取表面的水平方向上的螺旋凸缘，以为导引进入磁鼓的磁带，使之倾斜预定的角度并定位在读取表面的水平方向上。
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公开(公告)号：CN1040482C
公开(公告)日：1998-10-28
申请号：CN93117795.2
申请日：1993-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B15/00
CPC classification number: G11B15/43 , G11B15/615 , G11B15/675
Abstract: 本发明公开了一种用于磁记录和重放装置的磁带收卷装置。当盒带装入并且记录或重放，在机芯中的磁带变得松驰。本发明的收卷装置，在盒带退出期间，自动地收回磁带的松驰部分。为此，滑块具有多个齿轮组成的磁带收带装置，该收带装置与齿条啮合。在盒带退出期间，通过和齿条啮合使齿轮旋转，旋转齿轮使供带盘旋转，从而收卷该松驰的磁带。
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公开(公告)号：CN1142665A
公开(公告)日：1997-02-12
申请号：CN96107929.0
申请日：1996-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔道永
IPC: G11B15/26
CPC classification number: G11B15/444
Abstract: 本发明提供了一种可选择地驱动两个磁带盘的磁带录/放机上用的磁带盘驱动装置。一中间轮上装有与之共轴的中间摩擦轮及齿轮部分。每一个磁带盘上均有一磁带盘摩擦轮，当其与中间摩擦轮接触时产生旋转。
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公开(公告)号：CN1132393A
公开(公告)日：1996-10-02
申请号：CN95120592.7
申请日：1995-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔道永
IPC: G11B17/04
CPC classification number: G11B15/6656
Abstract: 一种磁带录放机的上带装置，包括一对第一连杆，以预定的支点为中心可转动地安装在第一底盘上，且可移动地连接到第二底盘上；一弹性件，它在第一连杆某预定的转动位置上向该第一连杆施加一反作用力；以及一对第二连杆，它通过将第一连杆与穿带臂分别相联，而根据第一连杆的转动为穿带臂提供移动力。该上带装置减少了所需零件的数目及运动力的损失，装带时间短，且零件不会发生由于压带反作用力造成的变形和精度降低。
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公开(公告)号：CN1101158A
公开(公告)日：1995-04-05
申请号：CN94101139.9
申请日：1994-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B15/00
CPC classification number: G11B15/6653 , G11B15/22 , G11B15/43
Abstract: 盒式磁带录制机的张力调节装置，包括一个滑架，一个张紧带保持架和一个张力臂。滑架弹性地安置在张紧带保持架的导向杆上，张力臂有一个利用行进磁带的张力而转动的张力销，滑架和张力臂按照磁带的张力微小地咬合，从而精确而微小地调节磁带的张力。滑架和张力臂分别安置在不同的走带机构上，以便应用于袖珍型摄录像机。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118263251A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311623101.X
申请日：2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 一种集成电路器件，包括：在第一方向上延伸的下绝缘线；在下绝缘线上方的多个下沟道线；分别在下绝缘线的相对侧和下沟道线之一的相对侧上的第一下栅极线和第二下栅极线；围绕下沟道线之一的上表面和下表面延伸并将第一下栅极线和第二下栅极线彼此连接的第三下栅极线；布置在下绝缘线下方并与第一下栅极线和第二下栅极线接触的外栅极线；在每个下沟道线的上表面上方的上绝缘线；在上绝缘线上方的多个上沟道线；以及围绕上沟道线之一延伸的上栅极线。
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公开(公告)号：CN117525069A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310981072.8
申请日：2023-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/48 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件，其包括：第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区，通过由第一栅极结构控制的第一下沟道结构彼此连接；以及第一上源极/漏极区和第二上源极/漏极区，分别在第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区上方，并通过由第一栅极结构控制的第一上沟道结构彼此连接，其中第二下源极/漏极区和第二上源极/漏极区在其间形成PN结。
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公开(公告)号：CN117525064A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310974926.X
申请日：2023-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件，包括：连接到下沟道结构的第一极性类型的下源极/漏极区；第二极性类型的上源极/漏极区，连接到上沟道结构，在下源极/漏极区上方；以及PN结结构，在下源极/漏极区和上源极/漏极区之间，配置为将上源极/漏极区与下源极/漏极区电隔离，其中PN结结构包括第一极性类型的第一区和第二极性类型的第二区。
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公开(公告)号：CN115528114A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210730199.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；第一有源图案，其在衬底上，并且在第一方向上延伸；第二有源图案，其在第一方向上延伸，并且与衬底间隔开；栅电极，其在第二方向上延伸，并且包围第一有源图案和第二有源图案；以及高电介质膜，其在第一有源图案和第二有源图案与栅电极之间。栅电极包括：第一功函数调整膜和第二功函数调整膜，它们包围第一有源图案和第二有源图案上的高电介质膜；以及填充导电膜，其包围第一功函数调整膜和第二功函数调整膜。第一功函数调整膜和第二功函数调整膜包括第一功函数导电膜和第二功函数导电膜，它们中的每一个包括第一金属膜。第一功函数导电膜的第一金属膜的厚度大于第二功函数导电膜的第一金属膜的厚度。
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公开(公告)号：CN115527577A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210492449.9
申请日：2022-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：基底；第一下布线图案和第一上布线图案堆叠在基底上且彼此间隔开；第二下布线图案和第二上布线图案，堆叠在基底上且彼此间隔开，并且与第一下布线图案和第一上布线图案间隔开；第一栅极线，围绕第一下布线图案和第一上布线图案；第二栅极线，围绕第二下布线图案和第二上布线图案并且与第一栅极线间隔开；第一下源/漏区；第一上源/漏区；以及第一叠置接触件，将第一下源/漏区、第一上源/漏区和第二栅极线彼此电连接。
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