公开(公告)号：CN119545889A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411126486.3

申请日：2024-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M·萨雷米 ,  何铭 ,  A·库马尔 ,  M·阿霍桑乌尔卡里姆 ,  R·帕克 ,  H·希姆卡

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85

Abstract: 提供了一种三维场效应晶体管和制造三维场效应晶体管的方法，该三维场效应晶体管包括堆叠在下场效应晶体管上的上场效应晶体管。该方法包括外延生长下场效应晶体管的源极/漏极区，在源极/漏极区的上表面上生长牺牲层，以及在牺牲层上外延生长上场效应晶体管的源极/漏极区。牺牲层是上场效应晶体管的源极/漏极区的籽晶层。该方法还包括选择性地蚀刻牺牲层以在下场效应晶体管的源极/漏极区和上场效应晶体管的源极/漏极区之间形成间隙，以及在间隙中沉积氧化层。

公开(公告)号：CN117525069A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310981072.8

申请日：2023-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 何铭 ,  M·萨雷米 ,  R·朴 ,  M·阿霍桑乌尔卡里姆 ,  H·西姆卡 ,  朴星一 ,  姜明一 ,  金庆好 ,  崔道永 ,  朴宰贤

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件，其包括：第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区，通过由第一栅极结构控制的第一下沟道结构彼此连接；以及第一上源极/漏极区和第二上源极/漏极区，分别在第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区上方，并通过由第一栅极结构控制的第一上沟道结构彼此连接，其中第二下源极/漏极区和第二上源极/漏极区在其间形成PN结。

公开(公告)号：CN117525064A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310974926.X

申请日：2023-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 何铭 ,  M·萨雷米 ,  R·朴 ,  M·阿霍桑乌尔卡里姆 ,  H·西姆卡 ,  朴星一 ,  姜明一 ,  金庆好 ,  崔道永 ,  朴宰贤

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件，包括：连接到下沟道结构的第一极性类型的下源极/漏极区；第二极性类型的上源极/漏极区，连接到上沟道结构，在下源极/漏极区上方；以及PN结结构，在下源极/漏极区和上源极/漏极区之间，配置为将上源极/漏极区与下源极/漏极区电隔离，其中PN结结构包括第一极性类型的第一区和第二极性类型的第二区。