公开(公告)号：CN106024870A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610173543.2

申请日：2016-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  权赫基 ,  金珉彻

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4232 ,  H01L21/76895

Abstract: 本发明提供了包括栅极接触部分的半导体器件。半导体器件包括衬底。半导体器件包括在衬底上的栅电极。半导体器件包括在栅电极上的栅极接触部分。在一些实施例中，鳍形主体从衬底突出，并且栅电极位于鳍形主体上。而且，在一些实施例中，栅极接触部分部分地位于栅电极中。

公开(公告)号：CN110310951B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201811186750.7

申请日：2018-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括下基底层、位于下基底层上的掩埋绝缘层和位于掩埋绝缘层上的上基底层；第一沟槽，穿过上基底层、掩埋绝缘层和下基底层的一部分；第二沟槽，穿过上基底层、掩埋绝缘层和下基底层的一部分，并与第一沟槽分隔开；场绝缘层，位于第一沟槽的一部分中以及第二沟槽的一部分中；以及第一鳍状图案，由第一沟槽和第二沟槽限定。场绝缘层的上表面比掩埋绝缘层的上表面高。

公开(公告)号：CN114792719A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202111651089.4

申请日：2021-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  尹钟植

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开了一种集成电路器件和制造其的方法。该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；沟道区，在鳍型有源区上；栅极线，在鳍型有源区上围绕沟道区并在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；绝缘间隔物结构，覆盖栅极线的栅极侧壁和沟道区的沟道侧壁，其中绝缘间隔物结构包括空气间隔物，该空气间隔物具有在第一水平方向上面对栅极侧壁的第一部分和在第二水平方向上面对沟道侧壁的第二部分。

公开(公告)号：CN106024888B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201610176766.4

申请日：2016-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  赵纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了包括面积增加的接触件的半导体器件。一种半导体器件包括多个有源图案，其从衬底突出并且在衬底上以第一距离和第二距离间隔开。多个选择性外延生长部分中的每一个生长在多个有源图案中的相应一个的上表面上。源极/漏极接触件延伸横跨多个选择性外延生长部分，以保持在多个有源图案中的第一有源图案的顶表面的上方，第一有源图案以多个有源图案中的第一有源图案之间的第一距离彼此间隔开，并且源极/漏极接触件包括延伸部分，该延伸部分朝着衬底延伸至多个有源图案中的两个有源图案的顶表面的下方，该两个有源图案以多个有源图案中的该两个有源图案之间的第二距离间隔开。

公开(公告)号：CN109841587B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910278489.1

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种具有接触塞的半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍；第二鳍，紧邻第一鳍并且基本平行于第一鳍，第一鳍和第二鳍形成多鳍有源区；第一源/漏，位于第一鳍上；第二源/漏，位于第二鳍上；以及第一接触塞，位于第一源/漏上并且位于第二源/漏上，其中，第一接触塞的中心从多鳍有源区的中心偏移。

公开(公告)号：CN106067464A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610206422.3

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括第一鳍有源区、基本上与第一鳍有源区平行的第二鳍有源区、位于第一鳍有源区中的第一源/漏区、位于第二鳍有源区中的第二源/漏区、位于第一源/漏区上的第一接触塞以及位于第二源/漏区上的第二接触塞。第二接触塞的中心从第二源/漏区的中心偏移。

公开(公告)号：CN106057793A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610131423.6

申请日：2016-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

Abstract: 提供了一种半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板，包括在其上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极，与第一有源图案和第二有源图案交叉；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，分别在处于第一栅电极的一侧的第一有源图案和第二有源图案上；以及有源接触件，在第一源极/漏极区上以电连接到第一源极/漏极区。有源接触件包括第一子接触件和第二子接触件。第二子接触件包括朝着基板垂直延伸的垂直延伸件。垂直延伸件的底表面低于第一子接触件的底表面。

公开(公告)号：CN106024868A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610126260.2

申请日：2016-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  具滋悦 ,  金相吉

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/41791

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源/漏接触件，与多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到源/漏接触件下方的源区/漏区，多个源区/漏区中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分与多个源区/漏区下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。