圆片集成微透镜光学系统制作方法及该器件结构

    公开(公告)号:CN102701142A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210170139.1

    申请日:2012-05-28

    Abstract: 本发明提供一种圆片集成微透镜光学系统制作方法,所述制作方法包括以下步骤:1)提供一硅衬底,在其上下表面沉积腐蚀掩膜层;通过光刻、刻蚀制作出腐蚀窗口图形;2)自所述腐蚀窗口腐蚀硅衬底;形成腐蚀腔体,同时形成悬浮薄膜;3)利用悬浮薄膜的塑性形变形成悬浮薄膜微结构;从而形成微透镜结构;4)将所述微透镜结构与光学系统进行圆片级键合组装,形成密封腔体。由于微透镜结构是凹陷在衬底内部,采用圆盘键合工艺将微透镜和光学器件进行圆片组装并不会导致微透镜结构破裂。由于采用了圆片级键合进行微透镜和光学器件的组装,最终光学系统的尺寸可以大大减小,系统组装效率也能得到大幅提高。

    对称组合弹性梁结构电容式微加速度传感器及制作方法

    公开(公告)号:CN101858929B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201010181131.6

    申请日:2010-05-21

    Abstract: 本发明涉及对称组合弹性梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法。加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称直梁、两个对称框架梁、八根对称L梁连接在一起形成的组合弹性梁结构以及上、下盖板组成。与框架梁相连接的每根直弹性梁的另一端连接在中心质量块侧面顶端和底端的中间或顶角,与框架梁相连接的每根L梁的另一端连接在外部支撑框架内侧面。本加速度传感器采用对称直梁、框架梁、L梁连接在一起形成的组合弹性梁结构,具有高度对称性,可以显著减小传感器的交叉灵敏度,传感器采用微电子机械系统技术制作,是一种高灵敏度的电容式微加速度传感器。

    一种非致冷热电堆红外探测器及制作方法

    公开(公告)号:CN101776483B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN200910247354.5

    申请日:2009-12-29

    Abstract: 本发明涉及一种非致冷热电堆红外探测器及制作方法,其特征在于在非致冷热电堆红外探测器中的红外吸收区上制作了一个微型加热器。由于微型加热器的制作工艺与热电堆的制作工艺完全兼容,两者实现了同一芯片集成。利用微型加热器对封装后红外探测器的热传导进行测量,实现了对封装后器件的真空度的测量;利用微型加热器模拟热电堆红外探测器的工作状态,实现了探测器红外性能圆片级自检测功能。本发明可用于批量生产,不仅可以对圆片级键合真空封装这一关键工艺步骤进行监测,还以在圆片级对探测器的红外性能进行测量,提高器件测试的效率,降低测试成本,可实现一种低成本、高性能的非致冷热电堆红外探测器。

    一种双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及方法

    公开(公告)号:CN102495234A

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201110379369.4

    申请日:2011-11-23

    Abstract: 本发明涉及双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及制作方法,其特征在于(1)双器件层SOI硅片为弹性梁-质量块结构的基片;(2)固定上电极、固定下电极分别位于质量块的上下两边;(3)弹性梁为直梁,其一端与质量块相连,另一端与支撑框架相连;(4)过载保护凸点制作在质量块的上下两面;(5)阻尼调节槽制作在质量块的上下两面;(6)质量块电极引出通孔的位置在支撑框架之上。利用湿法腐蚀自停止技术,在湿法腐蚀中一次加工形成加速度传感器中最为重要的弹性梁-质量块结构;利用硅硅直接键合方法实现了三层硅片的键合,质量块电极引出通孔通过红外对准光刻在固定上电极制作。在提高器件灵敏度的同时也降低了交叉轴灵敏度。

    一种具有高占空比的微机械热电堆红外探测器及制作方法

    公开(公告)号:CN102322961A

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201110213982.9

    申请日:2011-07-27

    Abstract: 本发明涉及一种高占空比非致冷热电堆红外探测器的结构及制作方法,其特征在于在采用了L形折叠型热电偶臂设计,摒弃了传统热电堆结构笔直的结构设计,将热电偶臂进行了折叠处理,折叠部分的热电偶臂相互垂直。热电堆结构冷结区(21)固定在硅基体(13)上,热电堆结构热结区端(20)固定在红外吸收区(15)上,热电堆结构下方的硅衬底(16)通过硅腐蚀技术去除,而热电堆传感器的热电偶臂(14和12)则通过折叠的方式分布在吸收区四周。本发明微机械热电堆结构可广泛应用于红外探测器、气体传感器和真空传感器等微机电传感器。

    石墨烯的图形化方法
    276.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102263013A

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN201110218695.7

    申请日:2011-08-01

    Abstract: 本发明公开了一种在衬底上开具沟槽,再利用这些沟槽对石墨烯进行图形化的方法。该方法包括如下步骤:利用微加工技术中的深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀在衬底上制作出以沟槽为边界的图形结构;将无支撑的大面积石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽的图形化衬底上;烘干衬底与石墨烯,利用溶液的表面张力使沟槽区域的石墨烯断裂,得到所需要的图形化石墨烯。该方法可以在衬底上精准确定图形化石墨烯的位置,并且无需对石墨烯进行光刻刻蚀等处理,避免了对石墨烯晶格质量造成损害,解决以往石墨烯图形化过程中成本高、定位难、易受污染等问题。

    热光型红外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN101566502B

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN200910049388.3

    申请日:2009-04-15

    Abstract: 本发明涉及一种热光型红外探测器及制作方法,其特征在于所述的红外探测器由硅衬底,制作于硅衬底之上的像素阵列,以及和硅衬底相键合的玻璃构成,或者由硅衬底,制作于硅衬底之上的像素阵列,与硅衬底相键合的玻璃以及和硅衬底相粘接的红外滤光片构成。在所述的TO-IRD中,采用特殊的隔热柱结构和工艺设计,制作出具有较高高度、站立于硅衬底上的隔热柱,提高TO-IRD的隔热性能;在像素膜系结构中,通过设计和制作专门的红外吸收层,提高TO-IRD对红外辐射的吸收率,且不影响它对读出光的调制功能;采用硅玻璃键合或在真空中粘接红外滤光片,实现器件的真空封装。

    一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法

    公开(公告)号:CN1866002B

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN200610026520.5

    申请日:2006-05-12

    Abstract: 本发明涉及一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法,特征在于所述的敏感膜的组成材料为6-巯基尼古丁酸(6-MNA)。它是以自组装的方法在贵金属基底上形成的单分子层。本发明制备的自组装单分子层能够对二硝基甲苯(DNT)、梯恩梯(TNT)、黑索金(RDX)和太安(PETN)等含硝基(-NO2)或硝酸酯基(-ONO2)的爆炸物敏感,可以在各类力和质量敏感元件上进行自组装修饰,形成灵敏检测器件。具有灵敏度高、响应时间快、特异性和重现性好等优点,在敏感性能方面明显优于国外使用的4-巯基苯甲酸(4-MBA)单分子层敏感膜,能够分辨几十ppt量级的TNT蒸气,可用于多种场合的安全检查和反恐的需求。

    一种微型电磁式振动能量采集器及其制作方法

    公开(公告)号:CN102176637A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110027379.1

    申请日:2011-01-25

    Abstract: 本发明涉及一种微型电磁式振动能量采集器及其制作方法。所述的电磁式振动能量采集器由中心质量块、外部支撑框架、二根折叠弹性梁、平面螺旋线圈、两块永磁体、上盖板及衬底等组成。所述的电磁式振动能量采集器利用体硅微机械加工技术的方法制作振动结构(包括中心质量块和折叠弹性梁),利用表面微机械加工技术的方法制作平面螺旋线圈,平面螺旋线圈制作在中心质量块的上表面上,两块永磁体并列位于平面螺旋线圈的正上方。本发明的能量采集器可在较低的频率范围内工作,将环境中振动的机械能转化为电能,用于解决无线传感网络或微纳器件等依赖电池供电的问题,该能量采集器具有体积小、制作方法简单、易于批量制造等优点,应用前景广阔。

    利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法

    公开(公告)号:CN102142362A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201010104413.6

    申请日:2010-02-02

    Abstract: 本发明提供一种利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法,首先在待进行光刻的半导体材料结构上制备金属薄膜,然后将两片沉积有金属薄膜的半导体材料结构相对固定在预设浓度的金属化合物胶粒溶液中,并将两者分别连接到电源的正负两极,以使所述金属化合物胶粒在所述半导体材料结构上发生单层电泳沉积,进而形成纳米沉积胶粒图案,再将该半导体材料结构自金属化合物胶粒溶液中取出去除水分后,进行干法刻蚀以在半导体材料结构表面形成纳米颗粒图形,最后将刻蚀后的半导体材料结构湿法化学腐蚀以去除沉积胶粒以及其下的各无需材料层,以形成纳米岛图形,此工艺过程简单,成本低廉、参数可控、环境友好、且去除方便。

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