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公开(公告)号：CN103618045A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310415207.0
申请日：2013-09-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。
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公开(公告)号：CN102569652B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210076528.8
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备和应用。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。当为Ti-Sb2Te相变存储材料时，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。
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公开(公告)号：CN1905077B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200610028229.1
申请日：2006-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器器件单元的测试系统及测试方法，其特征在于所述的测试系统是由控制计算机、脉冲信号发生器、数字信号源、微控探针台和转换连接部件组成；其中，通过通用接口总线使主控计算机与脉冲信号发生器和数字信号源相连；通过控制卡的控制电缆使脉冲信号发生器和数字信号源与微控探针台相连；主控计算机通过控制于控制探针台在脉冲信号发生器和数字信号源之间切换；微控探针台的两个探针分别与相变存储器的上、下电极接触，构成一个存储单元，并通过操作模块进行电流-电压、电压-电流、电阻与写脉高、电阻与写脉宽、电阻与擦脉高、电阻与擦脉宽以及疲劳等七种测试。
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公开(公告)号：CN102332530B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201010225613.7
申请日：2010-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法，该存储器单元包括衬底、位于衬底上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的下电极、位于下电极之上的加热电极、位于加热电极上的相变材料层、位于相变材料层上的上电极；其加热电极为侧壁结构，相变材料层也为侧壁结构，并且所述相变材料层与所述加热电极相交，它们的夹角在30度到150度之间。制备时，通过在绝缘材料中开设沟槽，在沟槽中制备薄膜，然后去除多余材料保留沟槽侧壁上的薄膜从而形成侧壁结构。本发明的加热电极和相变材料采用相交的纳米侧壁结构，使它们的接触面非常小，从而达到降低器件单元操作电流、降低功耗和增加器件可靠性的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101372606B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200810201175.3
申请日：2008-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液，其以抛光液总重量为基准，包含0.01-5wt％的氧化剂、0.01-4wt％的表面活性剂、0.01-3wt％的有机添加剂、0.2-30wt％的氧化铈抛光颗粒及pH调节剂、水性介质。此抛光液主要应用于硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP工艺。通过本发明提供的氧化铈化学机械抛光液，相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光速率可控制在5nm/min到1500nm/min，同时表面粗糙度降低到了7.4以下。利用上述抛光液对相变材料GexSbyTe(1-x-y)速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。
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公开(公告)号：CN102011089B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010289914.6
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102034804B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010512040.6
申请日：2010-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/065 , H01L27/115 , H01L21/98 , G11C16/02
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。
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公开(公告)号：CN102263041B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201010186449.3
申请日：2010-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明涉及一种通过键合法实现的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储器的第一圆晶；制造表面有低电阻率重掺杂半导体层的第二圆晶；键合第一圆晶和第二圆晶，通过后续的工艺去除第二圆晶多余部分半导体，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离等工艺；继续在键合圆晶上制造选通单元和电阻转换存储单元，获得的多层堆叠电阻转换存储器中的重掺杂半导体为字/位线。本发明采用重掺杂的半导体字/位线取代金属字/位线，能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。
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