公开(公告)号：CN101193320A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710199984.0

申请日：2007-11-29

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 芹泽俊介

IPC: H04N9/78

CPC classification number: H04N9/78

Abstract: 在具有Y/C分离电路的影像信号处理电路中，在从将Y/C分离电路进行旁路的通过模式向进行Y/C分离的分离模式切换时确保正常的动作。控制电路在接受从处于停止驱动Y/C分离电路的状态的通过模式向使Y/C分离电路进行动作的分离模式切换的指示时，驱动Y/C分离电路并开始Y/C分离电路内的缓冲存储器的动作(S50)。控制电路对1H周期的脉冲进行计数，当检测经过缓冲存储器可保持的影像信号的期间时(S52)，例如估计非同步期间的定时的到来(S54)，切换开关电路，从使旁路电路的输出通过的状态设定成使Y/C分离电路生成的亮度信号Y和颜色信号C通过的状态(S56)。

公开(公告)号：CN101193300A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710187042.0

申请日：2007-11-19

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小菅哲夫 ,  藤村健介 ,  棚桥直树

IPC: H04N7/26 ,  H04N7/015

CPC classification number: H04N5/4401 ,  H04N5/46 ,  H04N19/423 ,  H04N19/44 ,  H04N21/44004

Abstract: 当数据为HDTV信号的情况下，将缓冲存储器(20)作为两个存储体，进行流水线处理。另一方面，当数据为SDTV信号的情况下，将缓冲存储器(20)作为无存储体，不进行流水线处理。这样，便可以使存储器变小，并且防止画质的劣化。

公开(公告)号：CN101188409A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710159611.0

申请日：2007-11-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 盐田智基

IPC: H03G5/16

CPC classification number: H03G5/025

Abstract: 提供音质调整电路和信号特性调整电路。在音调控制电路中设定频带的电容器容量大，难以内置于集成电路。由LPF(30)从原声音信号(SIN)中提取低音域成分(SLO)。低音域调整电路(38)对SLO进行增益调整并生成低音域调整信号(SLT)。另外由反转电路(32)将SLO反转，通过加法电路(34)与SIN相加而提取高音域成分(SHO)。高音域调整电路(36)对SHO进行增益调整而生成高音域调整信号(SHT)。合成电路(24)将SIN和SHT、SLT合成，生成分别对高音域、低音域实施提升或削减处理的SOUT。LPF(30)由RC有源滤波器构成，决定其截止频率的电阻由使用开关和电容器电路的等效电阻构成。

公开(公告)号：CN101183835A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710152562.8

申请日：2007-10-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 高桥幸雄

IPC: H02M7/217

CPC classification number: H02M1/4225 ,  Y02B70/126

Abstract: 提供一种电压产生电路，其能够在第1晶体管和第2晶体管分别导通的情况下减少来自交流电源的电流所流入的元件数量。在基于一端与线圈连接的电源的交流电压而在由串联连接点与电源的另一端连接的第1和第2电容器构成的串联电容器的两端产生直流电压的电压产生电路中，特征在于具备：通过线圈与电源的一端连接的第1晶体管；与电源的另一端连接的第2晶体管；与第1晶体管朝正方向串联连接的第1二极管；与第2晶体管朝正方向串联连接的第2二极管；从经过线圈的电源的一端向串联电容器的一端朝正方向连接的第3二极管；以及从经过线圈的电源的一端向串联电容器的另一端朝反方向连接的第4二极管。

公开(公告)号：CN101183079A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710148345.1

申请日：2007-08-31

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小川隆司

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  H01L21/66

CPC classification number: G09G3/006 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233

Abstract: 本发明的电致发光显示装置的缺陷检查方法，使用于控制向EL元件供给的驱动电流的元件驱动晶体管(Tr2)在其线性区域动作，基于使EL元件为发光程度时的发光亮度或阴极电流，检测由EL元件的短路引起的灭点缺陷。使元件驱动晶体管(Tr2)在其饱和区域动作，根据使EL元件为发光程度时的阴极电流，可检测由元件驱动晶体管(Tr2)的特性偏差引起的暗点缺陷，在根据发光亮度检测异常显示像素时，求出异常显示像素中在灭点检查时未被判定为灭点缺陷的像素，将该像素检测为由元件驱动晶体管(Tr2)的特性偏差引起的暗点缺陷。由此，能对EL显示装置的显示缺陷根据其原因高精度地检测。

公开(公告)号：CN101170111A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710161272.X

申请日：2007-09-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小林俊介

IPC: H01L27/085 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/0692

Abstract: 一种半导体装置，在大电流用途的J－FET中，沿芯片的对角线并排配置两个动作区域，芯片尺寸的小型化或动作区域的扩大有限。将栅极区域的延伸方向设为沿芯片的一个边的方向，将两个动作区域沿芯片的第一对角线并列配置，将两个焊盘电极沿芯片的第二对角线配置。由此，能够有效地活用芯片上的面积，因此，若为相同的动作区域面积，则芯片尺寸实现小型化，若为相同的芯片尺寸，则动作区域的面积实现扩大。

公开(公告)号：CN101154946A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710148786.1

申请日：2007-09-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 松尾雄一

IPC: H03M1/66 ,  H03M1/68 ,  G09G3/36

CPC classification number: H03M1/682 ,  G09G3/20 ,  G09G2310/027 ,  H03M1/765

Abstract: 本发明提供一种D/A变换器。通过输入数字信号的上位m位信号，选择来自电阻串(10)的输出，并变换为具有下位n位的份量的宽度的一对模拟信号VH、VL。通过将该VH、VL以电阻串(22)来分割，并变换为根据下位n位信号所选择的模拟信号，从而将n+m位的输入数字信号变换为模拟信号，其中n、m两者均为2以上的整数。从而能够简化D/A变换器的结构。

公开(公告)号：CN101145580A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710149643.2

申请日：2007-09-10

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 八柳俊佑 ,  上原正文 ,  安齐胜义

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L27/0722 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其目的在于提供ESD耐量被提高的晶体管构造。在中浓度的漏极层(10)的表面上从栅极电极(7)的漏极侧的端部离间形成高浓度的漏极层(12)，而且在栅极电极(7)和高浓度的漏极层(12)之间的衬底表面上包围高浓度漏极层(12)形成P型杂质层(13)，通过异常电涌开启寄生双极晶体管(30)期间，电子从源极电极(15)向漏极电极(16)移动，在此，电子避开形成P型杂质层(13)的衬底表面附近(X)，如图4箭头(25)所示，从更深的位置向漏极电极(16)侧以蔓延方式分散移动。

公开(公告)号：CN101145572A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200610171901.2

申请日：2006-12-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 及川贵弘

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置，目的是谋求半导体装置的低电阻化，其特征在于，具有与第一金属膜(18)抵接的在半导体层上形成的贯通孔(10)；在所述贯通孔(10)的侧壁部上形成的绝缘膜(12)；在不形成所述绝缘膜(12)的所述贯通孔(10)的底部的第一金属膜(18)上和所述半导体层上形成的第二金属膜(13)；在所述贯通孔(10)内的所述绝缘膜(12)以及第一金属膜(18)上形成的阻挡层金属膜(14)以及通过所述阻挡层金属膜(14)在所述贯通孔内形成的配线层(15)。

公开(公告)号：CN101136430A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710141774.6

申请日：2007-08-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  小林充幸

IPC: H01L29/40 ,  H01L27/088 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/564 ,  H01L24/13 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置，在分立半导体的芯片中，已知在半导体衬底的第一主面侧设置电流经路上的第一电极及第二电极，且可进行倒装片安装。但是，由于在衬底内的水平方向也流过电流，故存在电阻成分增加的问题。在第一主面侧设置与元件区域连接的第一电极及第二电极，在第二主面侧设置具有耐腐蚀性、耐氧化性的低电阻的厚膜金属层。由此降低衬底水平方向流过的电流的电阻成分。另外，通过适宜选择厚膜金属层的厚度，可抑制成本的增大，降低装置的电阻值。另外，由于厚膜金属层采用Au，从而可防止随经过时间引起的厚膜金属层的变色等不良。