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公开(公告)号：CN111564553A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010270672.X
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法，该钽-锑-碲相变材料的沉积方法包括提供一基底(1)；在该基底(1)上沉积钽(Ta)前驱体，得到Ta基底，该钽(Ta)前驱体包括TaCl5；在该Ta基底上沉积锑(Te)前驱体，得到Te基底，该锑(Te)前驱体包括Te(C4H9)2；在该Te基底上沉积碲(Sb)前驱体，得到该钽-锑-碲相变材料，该碲(Sb)前驱体包括Sb[(CH3)2N]3；该沉积的方法为原子层沉积(ALD)。本发明提供的钽-锑-碲相变材料的沉积方法具有填充能力强、厚度精确可控和薄膜致密性好的特点。
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公开(公告)号：CN111384238A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811623426.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种选通管材料、选通管单元及存储器件结构，选通管材料为至少包括Ge及S的化合物，所述选通管材料的化学通式为(GexS1-x)1-yMy，其中，M包括掺杂材料，且0.1≤x≤0.9、0≤y≤0.5。本发明的选通管材料选用GexS1-x材料，该材料用于选通管单元时具有开通电流大、漏电流小、热稳定性好、材料简单及无毒性等优点；本发明的选通管材料通过在GexS1-x材料中掺入掺杂材料，可以调节和优化该选通材料制作的选通管单元的阈值电压、开通电流及疲劳特性等性能；可以提高该选通材料制作的选通管单元的热稳定性、降低该选通材料制作的选通管单元的漏电流、增强该选通管材料制作的选通管单元的可重复性。
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公开(公告)号：CN109728162B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811626077.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜包括：至少一层Ge‑Sb‑Te层；至少一层C层；至少一层界面层，界面层位于相邻的Ge‑Sb‑Te层与C层之间并与二者相接触，界面层的成分包括C掺杂的Ge‑Sb‑Te。本发明的界面层，通过诱导部分C原子扩散进入Ge‑Sb‑Te层纳米层并取代Ge‑Sb‑Te层中的部分的Ge、Sb、Te元素，从而在界面形成有序、稳定的C掺杂Ge‑Sb‑Te结构。此外，体系仍然具有超晶格体系特点，从而可以基于其有效的调控得到的相变薄膜材料的相变性能，相变薄膜体系可调控出两态或三态等的存储特性，本发明所提供的超晶格结构相变薄膜可应用于相变存储器中，具有结晶温度可调、晶态电阻以及多态存储等特点。
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公开(公告)号：CN106611814B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201510697470.2
申请日：2015-10-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的相变材料及其制备方法，用于相变存储器的相变材料的化学通式为Sc100‑x‑y‑zGexSbyTez，其中，0≤x≤60，0≤y≤90，0＜z≤65，0＜100‑x‑y‑z＜100。本发明的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力；Sc100‑x‑y‑zGexSbyTez具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻值态与低阻值态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求，是一种新型的存储材料；材料的热稳定性、相变速度以及疲劳循环特性得到了提高；可采用脉冲电压或脉冲激光驱动相变材料在不同的结构状态之间发生可逆转变，同时使相变材料的性能发生可逆变化，从而实现相变存储器的信息存储。
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公开(公告)号：CN110655087A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911012164.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 浙江新创纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/141
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅胶体及其制备方法，所述二氧化硅胶体的制备方法包括如下步骤：将无机碱溶液按一定滴加速度要求加入到pH为2～4的活性硅酸中制得pH为8.5～9.5的碱性混合物；将碱性混合物升温至90℃～100℃保温至少10min获得非球形二氧化硅晶种；将非球形二氧化硅晶种加热至沸，在保证体系pH为9.0～10.0的情况下，滴加活性硅酸保温至少10min；自然冷却至室温获得二氧化硅胶体，且二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形。这种新的制备方法简单有效，能够确保二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为非球形，并且避免了二氧化硅胶体中如Ca2+、Mg2+、Al3+等金属阳离子杂质，拓宽了其应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110619906A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910763063.5
申请日：2019-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种多级相变存储器的读出电路及读出方法，涉及微电子技术领域，解决了传统方法无法读出多级相变存储单元存储的多位数据的技术问题。本发明提供的多级相变存储器的读出方法应用于存储有N位二进制数据的相变存储单元，读出方法按照由高位到低位的顺序逐位读取目标相变存储单元的N位二进制数据，读出方法包括N个阶段，第M阶段包括步骤：获取目标相变存储单元当前状态所对应的读电流；获取参考电流，其中，当M＝1时选择起始参考电流，当M>1时根据之前读出的数据位选择对应阶段的参考电流；比较读电流和对应阶段的参考电流，获得读出电压信号；处理读出电压信号，获得二进制数据的第N-M+1位数据信号；其中，1≤M≤N。
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公开(公告)号：CN110335636A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910605311.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的多级存储读写方法及系统，包括：数据存储模块，包括多个存储数据的数据单元；参考模块，包括多个参考单元，2k-1个参考单元对应1个数据单元，用于存储与存储的数据对应的参考信号，k为存储的数据比特；读出功能模块，在读取某一数据单元时将其对应的参考信号读出，并还原数据单元中储存的数据。本发明采用2T2R的结构作为基本单位进行数据存储，通过两个相变存储元件不同阻值的组合在一定程度上减少阻值漂移带来的影响，实现高密度存储；设置检纠错功能，通过检错、纠错提高相变存储器多值存储的可靠性；设置参考单元，通过参考单元计算还原存储的数据，实现高可靠性读取；同时降低检纠错的难度，进一步提高可靠性。
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公开(公告)号：CN110289037A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910561346.1
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种非易失存储器读出电路及读出方法，包括：纳秒级充电脉冲产生模块，产生后充电脉冲信号；充电电压产生模块，产生后充电电压；读位线充电模块，给读位线充电；第一参考读电压生成电路，给参考读位线充电，并产生参考读电流和第一参考读电压；灵敏放大器，将参考读电流与读出电流相比较，产生读出电压信号。本发明提高了读位线电压上升的速度，降低了读出电流的峰值，降低了动态功耗，降低了读出电流及参考读电流到达稳定值所需的时间；且在参考读电流中引入寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，并对读位线和读参考位线进行后充电操作，最大程度的消除了伪读取现象，减小了读出时间。
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公开(公告)号：CN110098322A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810088435.4
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Sc-Sb-Te相变存储材料为Sc-Sb2Te3相变存储材料，所述C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料中，C的原子百分比为1%~40%。本发明通过对Sc-Sb2Te3进行C掺杂，由于C是一种低热导的材料，可以很好的防止热扩散，且C的良好导电性保证了材料良好的导通，本发明的C掺杂Sc-Sb2Te3相变材料在外部能量的作用下，能够实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变，高低阻态的阻值比可达两个数量级；其作为相变存储器的存储介质时，相变存储单元不仅具有相变速度快、写操作电流低等优点，而且器件的高温数据保持力及可靠性有了极大的提高；采用本发明相变存储器单元结构的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。
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公开(公告)号：CN109988508A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711475583.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及精密抛光技术领域，特别是涉及一种硅溶胶基磁流变金属抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种硅溶胶基磁流变金属抛光液，包括如下组分：硅溶胶、金属表面保护剂、分散剂、pH缓冲剂、磁性粒子保护剂、所述抛光液的pH值为9‑13。本发明针对如何使抛光液与磁性粒子相互配合，克服磁性粒子本身具有的易团聚、易板结和易被腐蚀等缺点，所提供的抛光液能够解决磁流变抛光过程中出现的磁流变液板结、寿命短，抛光后表面出现划伤、异色和难清洗等问题，具有优良的产业化前景。
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