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公开(公告)号：CN115146848A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762708.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于不同入射粒子与物质相互作用的智能预测方法及系统。方法包括：获取数据库中的样本数据，并将样本数据划分为训练集和测试集；分别定义训练集和测试集中的自变量和因变量，其中，自变量为入射粒子的参数信息，因变量为入射粒子辐照导致的物理损伤信息；建立回归方程，获取不同入射粒子对器件造成的物理损伤；基于知识图谱，对入射粒子对器件造成的物理损伤信息进行语义分析。本发明通过对拥有不同参数入射粒子对器件辐照损伤造成的缺陷以及由缺陷导致的材料性能退化及多种物理机制进行智能预测，并进一步将物理现象转换为语义特征，通过机器学习方法计算、学习分析，提高预测效率，为半导体器件的材料选取提供重要依据。
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公开(公告)号：CN115146535A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762668.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G06K9/62 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料机器学习力场开发方法，包括使用VASP软件进行半导体材料的第一原理分子动力学模拟，获得MD中的每一帧构象的势能和原子受力信息；使用经验力场进行含PKA的MD模拟，获得含PKA的MD模拟轨迹；利用VASP软件对轨迹中的构象进行单点能计算，获取含PKA的MD模拟构象的势能和原子受力信息；将MD模拟和含PKA的MD模拟中的构象势能和原子受力信息作为数据库，训练得到机器学习力场。本发明使用经验力场进行含PKA的MD模拟，之后使用第一原理计算轨迹中构象的势能和原子受力，获得了和辐照缺陷演化实际工况接近的数据库，从而实现了建立准确表征材料中辐照缺陷演化过程的材料机器学习力场。
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公开(公告)号：CN115146516A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762740.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F16/22 , G06F40/18 , G06F111/10 , G06F111/14
Abstract: 本发明提供了一种基于空间辐照的不同入射粒子类型的仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述仿真方法包括：构建入射粒子的参数类型数据库，其中，所述参数类型数据库包括所述入射粒子的参数列表，所述参数列表是根据所述入射粒子的不同参数的之间的对应关系生成的表单；调用与标定入射粒子对应的参数列表，根据所述参数列表对所述标定入射粒子进行可视化仿真。本发明实现了对不同入射粒子类型进行仿真的目的，便于对不同类型入射粒子与物质相互作用仿真进行研究，从而便于研究缺陷浓度对航天器件材料宏观性能的影响。
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公开(公告)号：CN115083546A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210769735.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于从头算分子动力学方法计算材料离位阈能的方法，属于模拟技术领域，所述方法包括：建立与材料对应的体系模型；设定模拟参数，利用从头算分子动力学方法对所述体系模型进行离位阈能的模拟计算，并获取演化完成后的体系结构，其中，所述模拟参数包括PKA预设能量；根据所述体系结构的状态确定后续模拟计算所需施加的新的PKA能量，并进行再次模拟计算，直至所述体系结构中首次产生稳定缺陷，获取此时的PKA能量，并将其确定为所述材料的离位阈能。本发明解决了半导体材料离位阈能无法定量且准确计算的问题，且方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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公开(公告)号：CN115061029A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210759798.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaN/GaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108345746B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810136611.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F119/04
Abstract: MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及MOS工艺器件性能退化的等效评价方法，为了满足针对不同类型辐照源的MOS工艺器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面带电粒子辐照源，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到修正电离吸收剂量，并确定性能退化与修正电离吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DT，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到该轨道下的修正电离吸收剂量，根据函数关系曲线找到该轨道下的修正电离吸收剂量所对应的性能退化情况，完成对在轨MOS工艺器件的性能退化的评价。本发明适用于等效评价MOS工艺器件的性能退化情况。
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公开(公告)号：CN111865296A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735247.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H03K19/14
Abstract: 本发明提供了一种超高压光电耦合器和数字信号系统，涉及光电学元件技术领域。所述超高压光电耦合器包括发射端、可见光纤、接收端以及光电流调理电路，所述发射端用于将输入的电信号转换为光信号，所述可见光纤作为传输介质，用于传输所述发射器发射的光信号，所述可见光纤的一端与所述发射端连接；所述接收端用于接收所述可见光纤传输的光信号，所述可见光纤的另一端与所述接收端连接；所述光电流调理电路用于对所述接收端接收到的信号进行修正。这样，通过所述发射端、所述可见光纤、所述接收端以及所述光电流调理电路的配合，以实现10KV耐压的超高压光电耦合器。
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公开(公告)号：CN111864070A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735693.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变。异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
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公开(公告)号：CN111863608A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735726.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L23/552 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制备方法。所述大功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；对所述外延层进行氧化处理和光刻处理，形成注入窗口；通过所述注入窗口对所述外延层进行多次重金属离子注入，且后一次注入所述重金属离子形成的离子注入区位于前一次注入所述重金属离子形成的离子注入区的上方。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升晶体管的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证晶体管本身的高性能指标。另外，本发明与常规的晶体管的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN111856238A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735731.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种基于载流子流向的晶体管辐射损伤分析方法及装置，方法包括：选择入射粒子；根据入射粒子分别对不同的晶体管进行辐照试验，获得多个辐照后的晶体管；分析各个辐照后的晶体管，确定各个晶体管的载流子流向和性能参数；根据载流子流向确定各个晶体管的敏感区域，和各个敏感区域在试验过程中的位移吸收剂量；确定位移吸收剂量平均值和性能参数平均值，建立性能参数平均值和位移吸收剂量平均值之间的对应关系；重复多次，获得多个对应关系，结合所有的对应关系确定晶体管性能变化与位移吸收剂量的关系，对晶体管的位移损伤进行等效分析。本发明能够对不同入射粒子在不同结构的晶体管中造成的位移损伤进行分析，步骤简单，易于操作。
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