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公开(公告)号：CN110835123B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911250054.2
申请日：2019-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
Abstract: 本发明涉及石墨纳米片复合磁性粒子制备技术领域，具体的说是一种特别适用作吸波材料具有钴氧化物‑钴‑石墨纳米片的片‑核‑壳微观结构的磁性复合的钴金属颗粒及钴氧化物复合石墨纳米片粉体的制备方法，其特征在于将钴金属颗粒复合石墨纳米片的复合粉体，均匀的分散于有氧化剂的水溶液当中，搅拌分散，确保复合粉体与氧化性溶液充分接触，使金属钴表面产生氧化包覆层，从而得到石墨纳米片复合钴及钴氧化物复合粉体，微观结构上具有片‑核‑壳式旳形貌，具有制备流程工艺简单，易于操作，无环保压力，可大规模量产等显著的优点。
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公开(公告)号：CN114105088A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111359134.9
申请日：2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: B82Y30/00 , C01B32/184 , C01B32/194 , C01G51/04 , H05K9/00
Abstract: 本发明涉及新型吸波剂制造技术领域，具体的说是一种能够提供多层异形空心微结构，进而有效提高吸波率的石墨纳米片复合四氧化三钴多层异形空心吸波剂的制备方法，其特征在于，先采用一步溶剂热法制备前驱体，以石墨纳米片和钴盐为原料，通过混合溶剂的还原作用，以柠檬酸作为形貌控制剂，PVP为分散剂制备空多层异形空心结构Co3O4/GNs复合吸波材料的前驱体；再通过在马弗炉中煅烧将实心前驱体氧化为多层异形空心结构Co3O4/GNs复合吸波材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112939083A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110177562.3
申请日：2021-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: C01G39/06 , C01G49/08 , C01B32/194 , H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼/四氧化三铁/石墨烯纳米片复合吸波剂及其制备方法，属于吸波剂材料领域。本申请以铁盐、GNs(石墨烯纳米片)、钼盐、硫源、混合醇溶液、尿素为反应原料，采用简单的一步溶剂热法得到四氧化三铁复合的GNs，再将其与钼盐和硫源混合通过第二步水热反应在中空的四氧化三铁表面包覆一层二硫化钼，进一步改善了复合吸波剂的电磁性能，利用包覆的二硫化钼增强复合材料的介电损耗，改善其阻抗匹配，从而达到增强复合吸波剂吸波性能的目的。该方法所得到的Fe3O4/GNs复合材料很均匀，为空心球结构，且具有良好的分散性，包覆MoS2以后有很好的电磁吸收特性。
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公开(公告)号：CN110835123A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911250054.2
申请日：2019-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
Abstract: 本发明涉及石墨纳米片复合磁性粒子制备技术领域，具体的说是一种特别适用作吸波材料具有钴氧化物-钴-石墨纳米片的片-核-壳微观结构的磁性复合的钴金属颗粒及钴氧化物复合石墨纳米片粉体的制备方法，其特征在于将钴金属颗粒复合石墨纳米片的复合粉体，均匀的分散于有氧化剂的水溶液当中，搅拌分散，确保复合粉体与氧化性溶液充分接触，使金属钴表面产生氧化包覆层，从而得到石墨纳米片复合钴及钴氧化物复合粉体，微观结构上具有片-核-壳式旳形貌，具有制备流程工艺简单，易于操作，无环保压力，可大规模量产等显著的优点。
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公开(公告)号：CN114105088B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111359134.9
申请日：2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: C01B32/184 , B82Y30/00 , C01B32/194 , C01G51/04 , H05K9/00
Abstract: 本发明涉及新型吸波剂制造技术领域，具体的说是一种能够提供多层异形空心微结构，进而有效提高吸波率的石墨纳米片复合四氧化三钴多层异形空心吸波剂的制备方法，其特征在于，先采用一步溶剂热法制备前驱体，以石墨纳米片和钴盐为原料，通过混合溶剂的还原作用，以柠檬酸作为形貌控制剂，PVP为分散剂制备空多层异形空心结构Co3O4/GNs复合吸波材料的前驱体；再通过在马弗炉中煅烧将实心前驱体氧化为多层异形空心结构Co3O4/GNs复合吸波材料。
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公开(公告)号：CN108345746B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810136611.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F119/04
Abstract: MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及MOS工艺器件性能退化的等效评价方法，为了满足针对不同类型辐照源的MOS工艺器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面带电粒子辐照源，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到修正电离吸收剂量，并确定性能退化与修正电离吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DT，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到该轨道下的修正电离吸收剂量，根据函数关系曲线找到该轨道下的修正电离吸收剂量所对应的性能退化情况，完成对在轨MOS工艺器件的性能退化的评价。本发明适用于等效评价MOS工艺器件的性能退化情况。
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公开(公告)号：CN108345746A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136611.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及MOS工艺器件性能退化的等效评价方法，为了满足针对不同类型辐照源的MOS工艺器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面带电粒子辐照源，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到修正电离吸收剂量，并确定性能退化与修正电离吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DT，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到该轨道下的修正电离吸收剂量，根据函数关系曲线找到该轨道下的修正电离吸收剂量所对应的性能退化情况，完成对在轨MOS工艺器件的性能退化的评价。本发明适用于等效评价MOS工艺器件的性能退化情况。
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