-
公开(公告)号：CN118017351A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410055316.4
申请日：2024-01-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/14 , H01S5/028 , H01S5/026 , H01S5/0239 , H01S5/02355 , G02B5/20 , G02F1/09 , G02B27/28
Abstract: 本发明公开了一种芯片级法拉第激光器及其实现方法，涉及半导体激光技术领域以及MEMS芯片制造技术领域，该激光器包括镀增透膜的微型激光二极管、准直扩束模块、微型法拉第原子滤光器、反馈腔镜、压电陶瓷以及激光器固定装置。本发明利用MEMS技术制作的芯片级法拉第原子滤光器作为外腔半导体激光器的选频器件，实现了首个芯片级法拉第激光器，通过光电子器件的小型化和集成化，芯片级法拉第激光器的体积远小于主流法拉第激光器，且性能优于传统光栅、干涉滤光片选频的外腔半导体激光器，可应用于芯片原子钟等可移动、便携式时频设备。
-
公开(公告)号：CN117761997A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311681133.5
申请日：2023-12-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS原子气室的芯片主动光钟及其实现方法。本发明通过激光对MEMS原子气室中的增益介质进行泵浦，建立布居数反转，通过谐振腔的腔反馈，使自发辐射不断放大达到激光阈值后输出主动激射信号。由于产生主动激射信号的谐振腔是坏腔，其增益线宽远小于腔模线宽，能大大抑制腔牵引效应带来的噪声，输出激光可直接作为光频标信号使用，无需伺服电路来稳定谐振腔腔长，减小了系统的体积和功耗。同时以MEMS原子气室作为核心部件，各个光电元器件以堆叠方式组装并集成于硅基芯片上，结合芯片微腔光梳进行频率下转换，实现窄线宽、高稳定度的芯片主动光钟。本发明为主动光钟在小型化、便携式时频设备中的部署提供新途径。
-
公开(公告)号：CN113611675B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110680799.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/427
Abstract: 本发明涉及一种散热装置，包括：盖板；底板，结合在所述盖板下方，所述底板上设置有多个供液微通道和多个蒸汽扩散通道，所述供液微通道和蒸汽扩散通道相互间隔排列，并且相邻的所述供液微通道和蒸汽扩散通道共用侧壁，该共用的所述侧壁上设有通孔；入液口，所述入液口与所述供液微通道连通；以及蒸汽出口，所述蒸汽出口与所述蒸汽扩散通道连通。本发明的散热装置蒸发面积较大且热源到蒸发界面的路径热阻较小，散热效率较高。此外，本发明的散热装置无需外接泵送系统，减小了散热系统的占用空间且降低了功耗，易于实现受限空间内的芯片散热。
-
公开(公告)号：CN116705625B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310961493.4
申请日：2023-08-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/67 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，盲孔的深度为DAF膜的厚度；在DAF膜的表面沉积种子层，使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至第一金属材料完全填充所述盲孔；去除DAF膜表面多余的金属材料，得到晶圆的DAF膜封装结构；利用DAF膜封装结构，将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔，在盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱，利用金属柱的导热性，提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。
-
公开(公告)号：CN115768045B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202211385954.X
申请日：2022-11-07
Applicant: 北京大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明涉及一种散热器及电子设备，该散热器包括底板、射流板和盖板。其中，底板具有若干微通道结构。射流板上开设有射流槽，射流槽上设置有歧管结构，以形成有交错排布的歧管入口和歧管出口，射流槽包括进液部和出液部。射流槽上开设有若干射流入口和射流出口，出液部和微通道结构通过歧管入口和射流入口连通，出液部和微通道结构通过歧管出口和射流出口连通，进液部和出液部通过歧管结构和微通道结构连通。盖板具有进液口和出液口。本发明所述的散热器，能够充分发挥歧管结构的降低压降的作用，避免了局部过热，也利用了微射流进行强化换热，实现了微射流和歧管式微通道的有机结合，强化了针对超高热流密度电子芯片的高效冷却能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314016A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310467668.6
申请日：2023-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本申请提供一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的第一侧形成第一金属层；对硅基衬底的第二侧进行减薄，以使第一金属层贯穿硅基衬底的第二侧；在硅基衬底的第二侧形成第二金属层；其中，在硅基衬底的第一侧形成第一金属层，包括：对硅基衬底的第一侧进行刻蚀，形成多个盲孔；在盲孔的一侧形成第一金属材料层；对第一金属材料层进行刻蚀，形成第一金属层。本申请通过在硅基衬底一侧直接制备盲孔，避免形成外延层，提升了硅通孔制备工艺的工艺兼容性，降低了硅通孔制备工艺的制作难度以及制作成本。
-
公开(公告)号：CN116037230A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211633878.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及人工电磁材料技术领域，尤其涉及一种基于微流控的可重构超表面及其控制方法。该基于微流控的可重构超表面沿预设方向依次设置有驱动层、构型层、弹性薄膜层及容纳薄膜形变层；驱动层内设置有驱动通道和填充通道；构型层内设置有谐振腔，谐振腔与驱动通道和填充通道均连通；容纳薄膜形变层内设置有形变腔，形变腔用于收容形变的所述弹性薄膜层。本发明中当驱动通道内的驱动液进入到谐振腔内，导致导电液在谐振腔中的比例降低，造成超表面单元结构的改变。同时，还因为弹性薄膜层可以产生形变，才能使超表面单元结构发生改变。本发明可以使微流控技术构建较为复杂的超表面构型。
-
公开(公告)号：CN116021889A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310035012.7
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京大学
IPC: B41J2/14
Abstract: 本发明属于打印技术领域，具体涉及一种压电式打印喷头及压电式打印喷头组件。本发明中的压电式打印喷头包括压电薄膜、衬底结构和喷嘴，所述压电薄膜的横截面为第一椭圆面或者第一椭圆面的一部分，所述衬底结构包括压力部，所述压力部内具有压力腔，所述压电薄膜设于所述压力部的顶端且与所述压力腔对应设置，所述喷嘴设于所述压力部的底端，所述喷嘴内部与所述压力腔相连通。通过使用本技术方案中的压电式打印喷头，压电薄膜的横截面为第一椭圆面或者第一椭圆面的一部分，相较于现有的矩形压电薄膜，在相同驱动电压、薄膜面积与形状长宽比的条件下，具有更高的体积位移形变量，并且可以减小喷嘴处流速的残余振荡，减少卫星滴的产生。
-
公开(公告)号：CN112701097B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202011569057.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明实施例提供了一种嵌入式微流体冷却系统及硅基转接板，所述冷却系统包括：进液流道、进液分配流道、出液收集流道、毛细流道、进液口和出液口，所述进液流道连接所述进液分配流道，所述毛细流道连接所述进液分配流道和所述出液收集流道，所述进液口设置于所述进液流道上，所述出液口设置于所述出液收集流道上；所述进液分配流道的通道宽度逐渐减小；所述出液口到第一毛细流道端的距离为第一距离，所述出液口到第二毛细流道端的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。本发明实施例提供的冷却系统及硅基转接板，对嵌入式微流体的流道结构进行改进，在减少泵功率的同时使冷却效率和散热均匀性大大提高，进而提升对芯片的冷却效果。
-
公开(公告)号：CN113948634A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111058725.2
申请日：2021-09-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了神经突触器件及其制备方法、电子设备，神经突触器件包括硅衬底、纳米沟道、第一微米沟道、第二微米沟道、第一液体、第二液体、第一电极及第二电极等。纳米沟道和第一、第二微米沟道形成于硅衬底上。纳米沟道壁面沉积有氧化铝，纳米沟道两端分别连通第一、第二微米沟道，第一液体设置于第一微米沟道和纳米沟道内，第二液体设置于第二微米沟道和纳米沟道内，与第一液体在纳米沟道中形成互不相溶的界面。本发明通过水解氧化铝的方式在纳米沟道的外壁面形成正电荷，以基于表现出来的离子输运特征形成抑制型神经突触器件。本发明的神经突触器件具有工艺一致性好、性能更稳定以及成本低等优点，有利于神经突触器件的进一步集成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
306
records
(took 0.028 seconds)
