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公开(公告)号：CN101551403B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910051766.1
申请日：2009-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片及制作方法，其特征是同一套微加工工艺将热电堆的加速度传感器、压力传感器和温度传感器制作在一个芯片上。采用热对流式的加速度传感器，是用多晶硅电阻作为加热器，用两对金属(铝、钛钨金等)和P型多晶硅或N型构成热电堆检测由加速度引起的密封空腔内的温度差，来检测加速度。用低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条，在LPCVD炉中用TEOS栓形成真空参考腔，制作出高精度的绝对压力传感器。同时用多晶硅热敏电阻来检测温度变化，构成温度传感器。此集成芯片实现微型化和低成本化，具有精度高，可靠性好，稳定性佳等优点。
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公开(公告)号：CN101303366B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710040541.7
申请日：2007-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/135
Abstract: 本发明涉及硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法，其特征在于所述的加速度开关传感器是由绝缘衬底上的锚区和硅框架、单端固支在锚区的低阻硅悬臂梁、绝缘衬底上的金属静电驱动导电定极板、悬臂梁下表面上的绝缘介质层、介质层上金属接触电极、固定金属接触电极以及信号驱动/检测回路组成。提供的传感器驱动电压与阀值加速度间存在一定关系且具有锁止功能。同时利用金属桥路通断检测传感器工作状态的信号输出方式，使利用MEMS制作的加速度开关传感器具有结构简单、体积小、功耗低、导通电阻小、接口电路方便、输入、输出隔离性好等特点。
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公开(公告)号：CN102213919B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010144358.3
申请日：2010-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明涉及一种悬架结构光刻胶的涂胶方法，具有能够在沟槽、孔洞、微柱等结构上形成悬架结构，并用于光刻掩膜的特性。其具体步骤为：首先将少量一定浓度的光刻胶滴于极性溶液表面，使之在气-液界面自组装形成一定厚度的光刻胶膜，再将该光刻胶膜转移至已刻蚀出图形的半导体材料上，使之跨过沟槽和孔洞等形成悬架的光刻胶结构，之后对该光刻胶膜进行前烘、曝光、显影及后烘等步骤形成光刻图形。该光刻胶膜可实现刻蚀掩膜、牺牲层材料、胶保护等功能，其工艺过程简单、用料节省、成本低廉。
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公开(公告)号：CN102376629A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010255550.X
申请日：2010-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种借助悬架光刻胶制作硅通孔互连的方法。其具体步骤为：首先在减薄或未减薄的硅片上刻蚀出通孔，再利用自组装方法在硅片上表面形成跨越通孔的悬架光刻胶膜并光刻形成悬架光刻胶对通孔一端的封口，溅射形成金属种子层后再去胶以形成通孔一端的悬架金属膜封口结构，之后进行铜电镀以填满通孔形成连通结构。该方法先刻蚀通孔后形成了平整的金属种子层表面结构，避免了表面平坦化后处理，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102375332A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010258142.X
申请日：2010-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺，首先将自组装方法制作的光刻胶薄膜粘覆转移于存在沟槽或间隙的半导体材料表面形成平整的悬架光刻胶结构，曝光显影以选择性去除不需要部位的光刻胶膜并坚膜，之后在室温条件下在光刻胶表面沉积金属或其它半导体材料层以实现其结构的平坦化工艺，最后对沉积的材料层刻蚀形成结构和图形。该方法有别于传统的平坦化工艺，利用自组装的方法将平坦化和光刻工艺结合在了一起，方法简单、材料节约、成本低廉、对设备要求低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101590997B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910053221.4
申请日：2009-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种使用湿法腐蚀在硅片单面低成本制作集成压阻二氧化硅悬臂梁的方法，属于硅微机械制造技术领域。具体特征是使用四甲基氢氧化铵水溶液通过各向异性腐蚀释放二氧化硅悬臂梁结构，并且使用钛金铬三层复合金属作为引线，与硅压阻形成良好的欧姆接触，同时兼容湿法腐蚀以及后期的化学敏感修饰。本发明的特点是制作工艺成本低廉、节约时间、成品率高、可批量生产且便于和压敏电阻集成。
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公开(公告)号：CN102213919A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010144358.3
申请日：2010-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明涉及一种悬架结构光刻胶的涂胶方法，具有能够在沟槽、孔洞、微柱等结构上形成悬架结构，并用于光刻掩膜的特性。其具体步骤为：首先将少量一定浓度的光刻胶滴于极性溶液表面，使之在气-液界面自组装形成一定厚度的光刻胶膜，再将该光刻胶膜转移至已刻蚀出图形的半导体材料上，使之跨过沟槽和孔洞等形成悬架的光刻胶结构，之后对该光刻胶膜进行前烘、曝光、显影及后烘等步骤形成光刻图形。该光刻胶膜可实现刻蚀掩膜、牺牲层材料、胶保护等功能，其工艺过程简单、用料节省、成本低廉。
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公开(公告)号：CN101534103B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910048787.8
申请日：2009-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属-绝缘层-金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM电容的开口；在电感区域沟槽里制作电感的下导线；最后采用各向同性腐蚀释放电感结构和MIM电容，使它们悬空。采用低温工艺，在普通的低阻硅片上制造，整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101477029B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910045484.0
申请日：2009-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N19/00
Abstract: 本发明涉及一种提高谐振式超薄悬臂梁传感器的表面应力敏感方法，属于微机械传感技术领域。具体特征是在超薄的谐振式悬臂梁的上、下表面上均自组装生长能够进行选择特异性识别的单分子敏感膜，当敏感分子与待检测的目标分子特异性结合后，目标分子之间的相互作用在悬臂梁的表面上产生了表面应力，上下表面应力的共同作用导致悬臂梁的弹性系数发生变化，从而改变了悬臂梁的固有谐振频率，通过测量谐振频率的变化即可实现对目标分子的检测。同传统的利用质量吸附方法进行敏感测试相比，利用这种表面应力敏感的方法进行生化痕量测试，其灵敏度可以提高一个数量级。本发明特点是原理简单、灵敏度高、容易实现。
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公开(公告)号：CN101567394B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910052205.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/808 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/337 , G01B7/02
Abstract: 本发明涉及一种垂直环绕删结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个Pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。所述的场效应晶体管与敏感结构制作在SOI硅片的顶层硅上，采用微机械加工方法同时制成。通过电容耦合实现对敏感结构的位移检测。
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