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公开(公告)号：CN102556942B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010584462.4
申请日：2010-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法，该方法首先在单晶硅片表面形成氧化层和低应力氮化硅层；然后在低应力氮化硅层上制作多晶硅温度敏感电阻和多晶硅加热电阻；再制作金属互连线形成加速度传感器输出电路；腐蚀单晶硅片形成凹腔，释放悬臂梁；并用BCB胶键合盖板硅片形成密闭空腔，完成加速度传感器芯片。本发明采用LPCVD淀积的低应力氮化硅薄膜作为加热电阻和温度敏感电阻的支撑层，并采用LPCVD淀积和掺杂工艺制作多晶硅加热电阻和多晶硅温度敏感电阻，所制作的热对流加速度传感器芯片具有检测精度高，可靠性好，稳定性佳等优点，制作工艺与IC工艺兼容，有利于实现芯片微型化和低成本化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102556942A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010584462.4
申请日：2010-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于温度敏感电阻的热对流加速度传感器芯片的制作方法，该方法首先在单晶硅片表面形成氧化层和低应力氮化硅层；然后在低应力氮化硅层上制作多晶硅温度敏感电阻和多晶硅加热电阻；再制作金属互连线形成加速度传感器输出电路；腐蚀单晶硅片形成凹腔，释放悬臂梁；并用BCB胶键合盖板硅片形成密闭空腔，完成加速度传感器芯片。本发明采用LPCVD淀积的低应力氮化硅薄膜作为加热电阻和温度敏感电阻的支撑层，并采用LPCVD淀积和掺杂工艺制作多晶硅加热电阻和多晶硅温度敏感电阻，所制作的热对流加速度传感器芯片具有检测精度高，可靠性好，稳定性佳等优点，制作工艺与IC工艺兼容，有利于实现芯片微型化和低成本化。
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公开(公告)号：CN101551403B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910051766.1
申请日：2009-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片及制作方法，其特征是同一套微加工工艺将热电堆的加速度传感器、压力传感器和温度传感器制作在一个芯片上。采用热对流式的加速度传感器，是用多晶硅电阻作为加热器，用两对金属(铝、钛钨金等)和P型多晶硅或N型构成热电堆检测由加速度引起的密封空腔内的温度差，来检测加速度。用低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条，在LPCVD炉中用TEOS栓形成真空参考腔，制作出高精度的绝对压力传感器。同时用多晶硅热敏电阻来检测温度变化，构成温度传感器。此集成芯片实现微型化和低成本化，具有精度高，可靠性好，稳定性佳等优点。
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公开(公告)号：CN101551403A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910051766.1
申请日：2009-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片及制作方法，其特征是同一套微加工工艺将热电堆的加速度传感器、压力传感器和温度传感器制作在一个芯片上。采用热对流式的加速度传感器，是用多晶硅电阻作为加热器，用两对金属(铝、钛钨金等)和P型多晶硅或N型构成热电堆检测由加速度引起的密封空腔内的温度差，来检测加速度。用低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条，在LPCVD炉中用TEOS栓形成真空参考腔，制作出高精度的绝对压力传感器。同时用多晶硅热敏电阻来检测温度变化，构成温度传感器。此集成芯片实现微型化和低成本化，具有精度高，可靠性好，稳定性佳等优点。
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公开(公告)号：CN101487747B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910046040.9
申请日：2009-02-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法，其特征是采用由低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条。将低应力的氮化硅薄膜膜区设计为长矩形，根据膜区的应力分布，充分利用多晶硅电阻条的纵向压阻效应，以及尽量利用膜上张应力的区域，将一对电阻条的一部分放到了薄膜的外面，另外两个电阻条布置在膜的中心位置。并将每个电阻条的打折的弯角部分开接触孔淀积金属将其导通。采用与IC工艺兼容表面微机械加工工艺，可以制作量程从1KPa～1MPa高灵敏度，稳定性佳，高精度的绝对压力传感器芯片。
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公开(公告)号：CN101487747A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046040.9
申请日：2009-02-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法，其特征是采用由低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条。将低应力的氮化硅薄膜膜区设计为长矩形，根据膜区的应力分布，充分利用多晶硅电阻条的纵向压阻效应，以及尽量利用膜上张应力的区域，将一对电阻条的一部分放到了薄膜的外面，另外两个电阻条布置在膜的中心位置。并将每个电阻条的打折的弯角部分开接触孔淀积金属将其导通。采用与IC工艺兼容表面微机械加工工艺，可以制作量程从1KPa～1MPa高灵敏度，稳定性佳，高精度的绝对压力传感器芯片。
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