公开(公告)号：CN101534103B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200910048787.8

申请日：2009-04-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李昕欣 ,  吴争争 ,  顾磊

IPC: H03H7/00 ,  B81B7/02 ,  H03H3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属-绝缘层-金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM电容的开口；在电感区域沟槽里制作电感的下导线；最后采用各向同性腐蚀释放电感结构和MIM电容，使它们悬空。采用低温工艺，在普通的低阻硅片上制造，整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。

公开(公告)号：CN101534103A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910048787.8

申请日：2009-04-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李昕欣 ,  吴争争 ,  顾磊

IPC: H03H7/00 ,  B81B7/02 ,  H03H3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属－绝缘层－金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM电容的开口；在电感区域沟槽里制作电感的下导线；最后采用各向同性腐蚀释放电感结构和MIM电容，使它们悬空。采用低温工艺，在普通的低阻硅片上制造，整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。