-
公开(公告)号：CN101534103B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910048787.8
申请日：2009-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属-绝缘层-金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM电容的开口；在电感区域沟槽里制作电感的下导线；最后采用各向同性腐蚀释放电感结构和MIM电容，使它们悬空。采用低温工艺，在普通的低阻硅片上制造，整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101534103A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910048787.8
申请日：2009-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上，电感和电容元件结构悬空，且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属－绝缘层－金属电容的下金属极板；生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层；然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线；再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽，用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM电容的开口；在电感区域沟槽里制作电感的下导线；最后采用各向同性腐蚀释放电感结构和MIM电容，使它们悬空。采用低温工艺，在普通的低阻硅片上制造，整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN100405543C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610029276.8
申请日：2006-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/822 , H01L21/00
Abstract: 本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表面电镀出电感或互感的上导线，再利用各向异性腐蚀形成“V”字形或倒梯形的沟槽，在沟槽里面制作电感或互感的下导线，并使下导线与上导线在硅片表面处交叠，形成良好的电连接，最后采用XeF2气体各向同性干法腐蚀释放出整个线圈结构。电感或互感的线圈由两边的二氧化硅层支撑。本发明采用常温工艺在普通硅片上实现一种高Q值(品质因数)的螺管形电感或高增益的互感，工艺步骤简明、成品率高，整个器件工艺与CMOS工艺相兼容。且器件悬浮的嵌入于硅片内部，有利于封装和后序工艺加工。
-
公开(公告)号：CN101154505A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710045457.4
申请日：2007-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种旋转式悬浮微机械可变电容及制作方法，其特征在于旋转式可变电容结构能够抵抗环境冲击或加速度的影响，可变电容的驱动电极沿着中心轴旋转方向运动，旋转角度为0－10度，可变电容的可动电极通过周围的连接梁支撑，在器件的周围和中心处有连接支撑梁的固定端，下图中实心为固定电极，空心为可动电极，驱动部分和敏感电容部分均采用梳齿或夹板结构，本发明给出的旋转式结构适合于各种CMOS(互补金属氧化物半导体)、微机械类型加工。且制作的微机械可变电容抗环境振动和环境加速度的影响。
-
公开(公告)号：CN101110354A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710044293.3
申请日：2007-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的悬浮式可变电容的制作方法，其特征在于利用电镀工艺形成器件结构并通过XeF2气体各向同性腐蚀，部分移除衬底的硅材料释放可变电容结构，降低衬底损耗。悬浮的电容结构由两边的氧化硅层支撑。本发明采用不超过120℃的低温工艺在普通硅片上实现一种高Q值、低电压和大可变范围的可变电容，工艺步骤简明，成品率高，整个器件的制作方法与CMOS工艺相兼容。
-
公开(公告)号：CN1889233A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610029276.8
申请日：2006-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/822 , H01L21/00
Abstract: 本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表面电镀出电感或互感的上导线，再利用各向异性腐蚀形成“V”字形或倒梯形的沟槽，在沟槽里面制作电感或互感的下导线，并使下导线与上导线在硅片表面处交叠，形成良好的电连接，最后采用XeF2气体各向同性干法腐蚀释放出整个线圈结构。电感或互感的线圈由两边的二氧化硅层支撑。本发明采用常温工艺在普通硅片上实现一种高Q值(品质因数)的螺管形电感或高增益的互感，工艺步骤简明、成品率高，整个器件工艺与CMOS工艺相兼容。且器件悬浮的嵌入于硅片内部，有利于封装和后序工艺加工。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.032 seconds)
