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公开(公告)号：CN101590997B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910053221.4
申请日：2009-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种使用湿法腐蚀在硅片单面低成本制作集成压阻二氧化硅悬臂梁的方法，属于硅微机械制造技术领域。具体特征是使用四甲基氢氧化铵水溶液通过各向异性腐蚀释放二氧化硅悬臂梁结构，并且使用钛金铬三层复合金属作为引线，与硅压阻形成良好的欧姆接触，同时兼容湿法腐蚀以及后期的化学敏感修饰。本发明的特点是制作工艺成本低廉、节约时间、成品率高、可批量生产且便于和压敏电阻集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101475140B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910045556.1
申请日：2009-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及纳米尺度下界面陷阱作用产生的巨压阻效应以及纳米巨压阻的制作方法，属于微电子机械系统领域。本发明所述巨压阻的具体特征是压阻的厚度在纳米量级，压阻效应来源于硅和二氧化硅处界面的电子陷阱效应。传统体硅的压阻效应来源于应力下载流子迁移率的改变，而本发明所述的纳米尺度下的巨压阻是在应力作用下硅和二氧化硅处界面的电子陷阱作用改变载流子的浓度产生的。随着压阻厚度的减小，界面效应占的比例越大，界面陷阱产生的压阻效应也越明显。本发明制作的压阻具有压阻系数大，横向压阻和纵向压阻电阻值变化相同，和半导体工艺兼容的优点，可以运用于传感器和微电子机械系统中。
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公开(公告)号：CN101814817A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010143838.8
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02K35/02
Abstract: 本发明涉及一种非谐振非接触式的振动能量采集器，其特征在于所述的能量采集器由感应外界振动的质量块和产生电能的弹簧发电系统组成。质量块感应外界振动，通过质量块与弹簧发电系统之间的排斥力将能量传递给弹簧，驱动弹簧振动，通过电磁效应产生电能。在此能量采集器的工作过程中，弹簧发电系统不需要与外界振动发生谐振，因而可以在低的频率范围内工作，发电功率受外界振动频率影响小；质量块不与弹簧发电系统发生接触，因而器件的可靠性好；采用斥力驱动弹簧，斥力可以很大，因而发电功率大。本发明可以应用于无线传感器，无线通讯等，为无线设备供电，替代原有的电池供电方式，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101814817B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010143838.8
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02K35/02
Abstract: 本发明涉及一种非谐振非接触式的振动能量采集器，其特征在于所述的能量采集器由感应外界振动的质量块和产生电能的弹簧发电系统组成。质量块感应外界振动，通过质量块与弹簧发电系统之间的排斥力将能量传递给弹簧，驱动弹簧振动，通过电磁效应产生电能。在此能量采集器的工作过程中，弹簧发电系统不需要与外界振动发生谐振，因而可以在低的频率范围内工作，发电功率受外界振动频率影响小；质量块不与弹簧发电系统发生接触，因而器件的可靠性好；采用斥力驱动弹簧，斥力可以很大，因而发电功率大。本发明可以应用于无线传感器，无线通讯等，为无线设备供电，替代原有的电池供电方式，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101590997A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910053221.4
申请日：2009-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种使用湿法腐蚀在硅片单面低成本制作集成压阻二氧化硅悬臂梁的方法，属于硅微机械制造技术领域。具体特征是使用四甲基氢氧化铵水溶液通过各向异性腐蚀释放二氧化硅悬臂梁结构，并且使用钛金铬三层复合金属作为引线，与硅压阻形成良好的欧姆接触，同时兼容湿法腐蚀以及后期的化学敏感修饰。本发明的特点是制作工艺成本低廉、节约时间、成品率高、可批量生产且便于和压敏电阻集成。
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公开(公告)号：CN101475140A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910045556.1
申请日：2009-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及纳米尺度下界面陷阱作用产生的巨压阻效应以及纳米巨压阻的制作方法，属于微电子机械系统领域。本发明所述巨压阻的具体特征是压阻的厚度在纳米量级，压阻效应来源于硅和二氧化硅处界面的电子陷阱效应。传统体硅的压阻效应来源于应力下载流子迁移率的改变，而本发明所述的纳米尺度下的巨压阻是在应力作用下硅和二氧化硅处界面的电子陷阱作用改变载流子的浓度产生的。随着压阻厚度的减小，界面效应占的比例越大，界面陷阱产生的压阻效应也越明显。本发明制作的压阻具有压阻系数大，横向压阻和纵向压阻电阻值变化相同，和半导体工艺兼容的优点，可以运用于传感器和微电子机械系统中。
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