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公开(公告)号：CN100495038C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510111362.9
申请日：2005-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维集成的高量程加速度传感器。其特征在于所述的三维加速度传感器是由三个相互独立的加速度传感元件集成一体构成的；X、Y轴方向的加速度传感元件的结构相同，其敏感方向在硅平面方向，两个相同结构的传感元件相互垂直排布；Z轴方向的加速度传感元件为另一种结构，其敏感方向为硅片的垂直方向，平行排布于X、Y轴方向的加速度传感元件的一侧；是采用MEMS常规工艺制作，且考虑了两种不同传感元件的工艺兼容问题，使制作的的传感器三个方向的敏感元件没有窜扰现象，且可依要求设计出1-10万g的不同量程的三维高冲击加速度传感器。
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公开(公告)号：CN100440561C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610118474.1
申请日：2006-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微机械红外热电堆探测器结构及其制作方法，其特征在于作为红外吸收层的悬浮膜结构具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性的干法刻蚀从正面腐蚀衬底形成悬浮膜结构释放器件。探测器的衬底和悬浮于框架中间的红外吸收层分别构成热电堆的冷结区和热结区，支撑臂连接框架和红外吸收区并承载热电堆；中间悬浮的红外吸收层带有不同形状的腐蚀开口，作为干法刻蚀工作气体进入衬底进行反应的通道。采用了标准CMOS工艺中最常见的材料，便于实现和信号处理电路的集成。使用了选择性很好的干法刻蚀形成红外吸收层，相比传统的湿法腐蚀不仅简化了工艺流程，降低了对光刻机的要求；同时不需考虑对其它材料的破坏，拓宽了探测器可用材料的范围。
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公开(公告)号：CN100422071C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510030805.1
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械加速度计圆片级封装工艺，其特征在于，采用粘接键合和深反应离子刻蚀微机械体加工工艺技术相结合，所述的圆片级封装工艺步骤是：使用各向异性腐蚀溶剂氢氧化钾双面同时腐蚀出保护腔体和未穿通的引线通孔；使用干刻蚀型苯丙环丁烯，涂覆于盖板的保护腔体一面的整个正面，即有保护腔体的这一面；使用键合机完成盖板硅片和微机械加速度器件的硅片的键合；利用深反应离子刻蚀技术将铝引线处通孔刻蚀穿通。本发明提供的圆片级封装工艺采用的设备和工艺均为微机械加工的常规工艺和设备，具有通用中性强特点，适用于从低量程微机械加速度计到高冲击微机械加速度计的制作。
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公开(公告)号：CN101251426A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710173683.0
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后，空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降，并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。
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公开(公告)号：CN100397085C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510030947.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及一种悬臂梁-质量块结构的吸合时间式数字加速度传感器其特征在于(1)质量块由悬臂梁支撑，组成悬臂梁-质量块结构，通过锚点与衬底连接；在质量块两侧对称分布了一对左、右驱动电极和一对左、右敏感电极；所述传感器用纯数字电路制作接口电路；(2)所述的悬臂梁-质量块结构在X-Y平面内绕锚点运动；(3)质量块与敏感电极接触为状态A，质量块不与敏感电极接触为状态B。状态A与B可以用数字电路中的0和1(或者1和0)表示；本发明提供的是一种纯数字式传感器，接口电路易于制又可实现超微小型化而灵敏度和非线性与传流电容或传感器相当。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100373516C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410066370.1
申请日：2004-09-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种翘曲膜结构的单刀双掷射频和微波微机械开关及其制作方法。由第一基板上的第一凹部、位于第一凹部底部以及第一基板表面上的第一波导线、第一凹部底部的第一吸引电极、第一基板表面上的转换导体、第二基板上的第二凹部、位于第二凹部底部以及第二基板表面上的第二波导线、第二凹部底部的第二吸引电极、悬于第一凹部和第二凹部之间的翘曲弹性介质膜、翘曲弹性介质膜上的驱动导电膜以及其上的第二介质膜构成的复合膜组成。翘曲弹性介质膜内含有不大于100MPa的预置压应力。在稳定状态，复合膜与某一路波导线表面接触，使该路信号保持断开，复合膜与另一路波导线分开，使该路信号保持导通。具有状态锁存功能又无静态功耗特点。
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公开(公告)号：CN101082523A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710042881.3
申请日：2007-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明公开了一种柔性温度传感器的制作方法。其特征在于首先在载体硅片上涂覆一层聚二甲基硅氧烷(PDMS)中间夹层，在室温固化后，用氧等离子体活化其表面；紧接着在上面重叠涂覆高粘度聚酰亚胺(PI)预聚体并用阶梯式工艺进行预固化，其后在上面重叠沉积所有金属层，并依次用剥离技术和湿法腐蚀图形化形成金属温敏电阻及电连接；再在最上层涂覆一薄层低粘度PI保护膜，用湿法刻蚀露出金属压焊块部分；然后将器件放在热板上并将柔性载体上的中间夹层剥下来，最后将分离后的柔性器件置于烘箱中以完全固化两PI膜层，这样实现了PDMS和PI与MEMS工艺兼容。所述的制作方法简单、成本低、成品率高，而且有望实现批量生产及高密度传感器的集成。
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公开(公告)号：CN100998901A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710036416.9
申请日：2007-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法，其特征在于微针密度可达50％，微针针孔与基底垂直，阵列中微针为多根针头或单根针头，微针长度达100－200μm，针孔最小为2nm，且针孔的开口可在针头上方或侧面。本发明拟采用电化学腐蚀方法在硅片上制作规则排布的多孔硅，然后刻蚀出针头，简化了针头的制作工艺，降低了成本，其特征在于针孔由电化学腐蚀方法制作，深宽比大、直径小。可阳止微生物通过注射孔进入组织，避免生物组织因注射而被感染，且提高药物输送效率。
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公开(公告)号：CN1851950A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610026291.7
申请日：2006-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal－Oxide Semiconductor，CMOS)兼容的微机械热电堆红外探测器结构及其制作方法，其特征为利用(100)单晶硅各向异性腐蚀特性采用正面特定的开口通过正面腐蚀实现大吸收面积微机械热电堆结构，所制作的红外探测器特征在于框架与中间悬浮的红外吸收区构成热电堆的冷结区和热结区；支撑臂连接框架和红外吸收区以及承载热电堆；长条形开口覆盖整个红外吸收区。本发明提供的结构和工艺具有腐蚀时间短、器件占空比大，器件成品率高等特点，特别适合大阵列红外探测器的制作。
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公开(公告)号：CN1819291A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510112299.0
申请日：2005-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法，其特征在于采用硅作为牺牲层，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作像素的双材料支撑梁和红外敏感部分，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料制作锚或对锚进行保护，最后采用XeF2气体腐蚀硅牺牲层释放像素。本发明具有以下积极效果和优点：一方面采用干法释放，避免湿法释放过程对像素结构的破坏；另一方面，降低了制作成本且与IC工艺相兼容。
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