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公开(公告)号：CN115000296A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210551303.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料中嵌入原子级厚度的过渡金属界面材料的方式改善材料的存储性能。该相变存储器具有快速、低功耗的擦写特性，稳定的多级电阻态以及较好的疲劳特性，有望应用于神经形态器件及高密度存储领域。
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公开(公告)号：CN114721230A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210276000.9
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。
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公开(公告)号：CN114361202A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111523997.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元及其制作方法，相变存储单元包括：衬底；至少一个下电极，所述下电极设置于衬底中，所述下电极的上接触面暴露于衬底外且与衬底上表面持平；相变材料层，所述相变材料层水平部分与下电极连接，所述相变材料层为L形；填充材料，所述填充材料设置于相变材料层竖直部分上方，并与相变材料层一同构成相变存储结构；上电极，所述上电极设置于相变材料层的上方。本发明能够有效缩小相变存储单元的的相变区域。
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公开(公告)号：CN114203901A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111512058.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00 , G11C11/4063 , G11C11/4074
Abstract: 本发明提供一种开关器件及存储器，该开关器件包括下电极、上电极及夹设于下电极与上电极之间的开关材料层，其中：开关材料层包括Te、Se和S中的至少一种元素；开关器件处于开启状态时，开关材料层呈液态，且禁带宽度为0；开关器件处于关闭状态时，开关材料层呈结晶态，且开关材料层与上电极之间形成肖特基势垒，开关材料层与下电极之间形成肖特基势垒。本发明的开关器件采用开关材料晶态‑液态‑晶态相变开关机理，具有开通电流大、漏电流小、阈值电压小、单元一致性高、与CMOS工艺兼容、热稳定好、元素简单、低毒性及可极度萎缩等优点，能够驱动相变存储单元、阻变存储单元、铁电存储单元、磁存储单元等存储单元，实现高密度三维信息存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114024434A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111190984.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电源管理芯片的软启动及漏电防护电路，包括：功率管，其源极和漏极到阱区之间分别寄生了第一二极管和第二二极管，其源极或漏极作为输入节点，漏极或源极作为输出节点；第一开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输入节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；第二开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输出节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；通过电压比较电路、低电压检测锁定输出电路、软启动电路、衬底控制电路和栅极驱动电路相互配合控制功率管的状态实现软启动和漏电防护。
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公开(公告)号：CN113889571A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111106532.X
申请日：2021-09-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种高性能相变存储器及其制备方法。该相变存储器包括：基底层，电极层，介质隔离层，底电极层，相变材料层，顶电极层，所述介质隔离层与底电极层之间设有介质缓冲材料层。该相变存储器可以有效避免底电极因氧化造成的性能衰退，确保电极的使用寿命；并且增加了散热面积，提高了器件操作过程中的散热效率，从而降低相变存储介质中的热应力，减小阻值漂移系数，提高了器件可靠性。
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公开(公告)号：CN111662641B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010628968.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种高选择比的化学机械抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：抛光颗粒0.1wt％‑30wt％；保护剂0wt％‑10wt％；表面活性剂0wt％‑10wt％；氧化剂0.001wt％‑10wt％；其余为水和pH调节剂。本发明可以明显改善相变材料的划伤，抛光速率得以提升，选择比大大提高，满足产业化应用对于相变材料抛光过程的要求。
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公开(公告)号：CN110828664B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201911132175.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本申请提供一种相变材料、相变材料的制备方法和相变存储器，该相变材料是由碳、铋、锑和碲四种元素组成，相变材料的通式为CxBi0.5Sb1.5Te3，其中0.01
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公开(公告)号：CN112951295A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911178667.X
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种数据的多级存储方法、系统、电子设备及存储介质，其中，方法包括确定存储器施加有第一脉冲，第一脉冲用于控制存储器处于高阻状态，确定存储器施加有第二脉冲，第一脉冲的脉宽与第二脉冲的脉宽不一致，从低阻阻值集合中确定低阻状态对应的低阻阻值，根据低阻阻值确定存储器可存储的数据集合。基于本申请实施例，采用在存储器施加不同脉宽的第二脉冲，使得存储器处于低阻状态对应的低阻阻值不同，在稳定的低阻阻值时进行数据存储，能够实现数据的多级存储，相较于传统调节脉冲幅值的方法更易于实现，并且还能够降低芯片的设计难度。
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