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公开(公告)号：CN105633279A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610066316.X
申请日：2016-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1286
Abstract: 本发明提供一种包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法，包括：1）提供衬底，在衬底内形成至少一个下电极；2）在下电极的上表面形成加热电极，在加热电极之间的衬底表面形成第一绝缘材料层；3）采用回刻工艺刻蚀去除部分加热电极及第一绝缘材料层，在加热电极上方的第一绝缘材料层内形成限定型孔结构；4）在限定型孔结构内形成部分限定型相变材料结构，并在部分限定型相变材料结构表面形成上电极；5）在上电极表面形成引出电极。本发明与传统蘑菇型器件结构相比，相变体积减小，可以大大降低器件功耗并提高相变速度，与完全限定型相变材料器件结构相比，不需要引入相变材料的化学机械抛光工艺，避免了对相变材料上表面的损伤。
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公开(公告)号：CN103855302A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210518165.9
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法。其中，所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe，Sb与Se的原子比为a：1，0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10；采用Sb2Se3合金靶、Al单质靶、以及Sb单质靶共溅射形成。利用本发明的相Al-Sb-Se材料作为信息存储介质，可以有效地提高存储器的可靠性，降低擦写操作的功耗等。
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公开(公告)号：CN101488514B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910046487.6
申请日：2009-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/762 , G11C16/02
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；所述选通单元为PN二极管、或肖特基二极管、或双极型晶体管；所述电阻转换存储器采用的选通单元被至少两个深度不同的浅沟道相互隔离开。本发明提供几种电阻转换存储器的器件结构，包括了PN二极管、肖特基二极管和双极型晶体管的器件结构，这些结构的特点在于构造简单，因此其制造方法简便，且与半导体工艺完全兼容，有助于降低成本，使采用该技术的高密度电阻转换存储器更具竞争力。
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公开(公告)号：CN102759669A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110103677.4
申请日：2011-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种分析器件操作窗口与相变材料纳米尺寸效应的实验方法。发明人研究发现相变材料的高阻、低阻之间的阻值相差4-5个量级，而利用该相变材料制备的存储单元的高阻态与低阻态的阻值相差2-3个量级。该实验方法通过制备不同尺寸的测试样品，包括不同厚度的相变材料层及不同尺寸的上电极，进行电学与存储性能测试，包括I-V特性，脉冲操作下的可逆转变特性等，从而为研究相变材料的纳米尺寸效应与器件操作窗口之间的规律提供了准确可靠的实验数据，通过实验数据可以进一步研究相变材料与器件操作窗口高低阻值不同的原因所在，进而分析其中的纳米尺寸效应及纳米尺度下的载流子行为。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834152B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010152466.5
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形成PN层，并进行激活处理，随后表面依次沉积粘附层和金属层，并平坦化；圆晶键合圆晶一和圆晶二；通过后续的工艺去除圆晶二多余部分，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离工艺。本发明还包括一种制造肖特基二极管选通的三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法。本发明不仅能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性和较少的缺陷，有望在三维立体堆叠中获得大规模的应用。
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公开(公告)号：CN101486901B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910046243.8
申请日：2009-02-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种检测卤代烃的传感材料，其特征在于：中心为二价铂，与铂配位的两个配体为2-苯基吡啶，同时苯基上还存在芳基取代基。传感材料包括铂、2-苯基吡啶配体和苯基上的芳基或由芳基进一步构建成的寡聚物和聚合物。所述的芳基包括进一步构建成的寡聚物或聚合物，还包括芳基的衍生物。所述的检测方法是利用荧光手段通过检测发光材料的荧光强度的变化实现的。所提供的发光材料应用于易挥发的卤代烃的检测。
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公开(公告)号：CN101236780B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810033924.6
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C16/02 , H01L27/115
Abstract: 本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。为了最大限度的利用存储器面积，本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存储阵列能够布满整个存储芯片是本发明最大的优势之处。为了实现上述优势，本发明首先对存储阵列下的外围电路作一合理分割，其次对分割后的外围电路相互控制问题提出一套解决方案，最后基于上述两点提出了外围电路的拼接方案。以此在电路设计层面彻底实现三维立体结构相变存储芯片。
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公开(公告)号：CN101894771B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010206329.5
申请日：2010-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造半导体第一晶圆；制造半导体第二晶圆；键合第一晶圆和第二晶圆；沉积第一电极材料；通过半导体工艺，在原第一晶圆顶部镶嵌的第一位线上方形成对应的多层结构单元；沉积绝缘介质材料；在所述基底上通过半导体工艺制造沟槽；填充存储材料，并进行回刻工艺，仅保留沟槽内的存储材料；填充第三金属材料层，并进行化学机械抛光平坦化，原位地、免光刻地在沟槽内形成第二字/位线。本发明提出的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，通过键合法实现多层堆叠电阻转换存储器的制造，工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN102268332A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010189161.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。
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