-
公开(公告)号：CN102117823A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010532660.6
申请日：2010-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电阻转换纳米线与大尺寸选通管的矛盾，避开低效率、高难度集成问题，实现电阻转换纳米线与选通管的无缝对接，最终通过低成本的方法实现超高密度、高性能的电阻转换存储器阵列的高效制造。
-
公开(公告)号：CN101350360B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810042296.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法，所述三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置包括如下结构：衬底、逻辑电路、底层字线阵列、至少一层存储层、位线阵列；所述衬底的一侧依次设有逻辑电路、底层字线阵列，所述至少一层存储层依次堆叠于所述底层字线阵列背对所述逻辑电路的一侧。本发明装置可实现高密度的存储方案。
-
公开(公告)号：CN101892453A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010237976.2
申请日：2010-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于具有第一材料基底，基底上方具有多个凹槽，凹槽中填充有至少一种非第一材料。制造上述靶材的步骤如下：在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液，经烧结、冷却和平坦化得到。在靶材部分消耗后，还可通过对靶材的消耗部分的修复实现靶材的重复充分利用，提高利用率。本发明可方便地制备复合材料薄膜，并且降低薄膜制备的成本，提升靶材的利用率。
-
公开(公告)号：CN101459129B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810207298.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺步骤制造二极管阵列，有效节省了光刻次数，采用特定的金属与半导体，使两者之间形成稳定的肖特基接触，用于肖特基二极管的形成，进而对存储器件进行选通。作为本发明的一部分，还包括基于自对准肖特基二极管阵列的电阻转换存储器的制造方法。
-
公开(公告)号：CN101477987B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910045084.X
申请日：2009-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示一种三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法。电阻转换存储器包括基底、若干第一布线、若干第二布线、若干存储单元阵列。多个平行设置的第一布线设置于基底上；多个相互平行的第二布线设置于基底上、与第一布线绝缘分离、并与第一布线交叉配置；呈矩阵排列的存储单元阵列层叠设置于基底上，上下相邻的两个存储单元阵列之间、存储单元阵列与基底之间至少设置第一布线、第二布线中的一个；存储单元阵列包括电阻转换存储单元、多晶半导体肖特基二极管。本方法可形成高质量的金属-半导体接触，成本较低，有望在三维高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834152A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010152466.5
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形成PN层，并进行激活处理，随后表面依次沉积粘附层和金属层，并平坦化；圆晶键合圆晶一和圆晶二；通过后续的工艺去除圆晶二多余部分，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离工艺。本发明还包括一种制造肖特基二极管选通的三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法。本发明不仅能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性和较少的缺陷，有望在三维立体堆叠中获得大规模的应用。
-
公开(公告)号：CN101770188A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044949.0
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种去除冷压印残留胶层的方法，属于纳米制造领域。其特征在于：在透光模板图形表面选择性覆盖不透光材料，将图案表面进行修饰后直接用作模板压印，能够使光敏压印胶复型结构选择性的固化，最后用化学溶剂将未固化区域的压印胶直接清洗去除，实现压印后清除压印残留胶层的目的。
-
公开(公告)号：CN101567421A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910052408.2
申请日：2009-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种柱状相变材料纳米阵列及其制备方法，可在亚微米CMOS标准工艺曝光技术基础上，通过利用反应离子刻蚀技术刻蚀修整光刻胶的方法，制备出柱状结构直径为50nm左右的柱状相变材料纳米阵列。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗，为相变存储器的高速、高密度、低压、低功耗发展方向奠定了基础。本发明不仅适用于制备相变存储器的相变材料纳米阵列，同样适用于制备其他电子器件特别是纳电子器件所需的纳米尺度的材料薄膜，具有很大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN101567420A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910052407.8
申请日：2009-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器加热电极的制备方法，首先利用CVD技术在衬底上依次沉积SiO2/S3N4/SiO2介质层，接着使用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在顶层SiO2上制备出直径为150～300nm的孔洞。之后，沉积S3N4100～200nm并刻蚀，连同一开始沉积的S3N4刻穿，在孔洞中形成出50～150nm厚的S3N4侧墙。最后，将S3N4侧墙作为硬掩膜把底层SiO2刻蚀完，利用CVD技术填入W、TiN等电极材料，并进行化学机械抛光停在底层SiO2上，形成直径100nm以下的柱状加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。
-
公开(公告)号：CN101546810A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910050392.1
申请日：2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；由于该锗锑硒合金材料的电阻率具有随温度变化的特性，从而可以应用到电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的存储功能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
274
records
(took 0.058 seconds)
