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公开(公告)号：CN105914121A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610265059.2
申请日：2016-04-26
申请人： 苏州原位芯片科技有限责任公司
发明人： 王建平
CPC分类号： H01J35/18 , C23C16/345 , C23F1/02 , C23F1/12 , G21K7/00
摘要： 本发明涉及一种三角形单晶硅支撑粱结构式X射线氮化硅窗口构造及其制造方法，其特点是通过掩膜层氮化硅膜生长，光刻与刻蚀，湿法刻蚀，氮化硅膜生长，背面套刻与刻蚀，湿法刻蚀工艺来获得最终产品，构成薄层三角形结构框架阵列，在框架阵列之间形成氮化硅窗口。由此，可实现更粗的支撑梁，支撑梁结构稳定，实施制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN103094476B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310018505.6
申请日：2013-01-18
摘要： 本发明提供一种相变合金材料的无损刻蚀方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在该半导体衬底上形成相变合金材料层；在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来；使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中；将所述刻蚀气体激发成等离子体以刻蚀暴露出来的相变合金材料层至所述半导体衬底上。本发明的优点在于，采用了溴化氢的刻蚀气体，可以减少刻蚀过程中的侧向腐蚀，氦气作为惰性气体，可以避免引入氧气或氮气而导致的材料表面性能改变，从而获得清洁、平整、陡直且无侧壁损伤的相变合金材料图形。
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公开(公告)号：CN102881581B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110264034.8
申请日：2011-09-07
申请人： 南亚科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/336 , C23F1/12
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3085
摘要： 本发明涉及一种在基底中形成狭缝的方法及刻蚀气体组成。其中，在基底中形成狭缝的方法，包括：于基底上形成掩模层，其中掩模层不包括碳。透过掩模层为掩模，对基底进行蚀刻工艺，以于基底中形成至少一个狭缝。蚀刻气体包括Cl2、CF4以及CHF3，CF4与CHF3的莫耳比为约0.5至0.8，以及F与Cl的莫耳比为约0.4至0.8。此外，蚀刻工艺同时移除掩模层。
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公开(公告)号：CN102998725B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210529823.4
申请日：2012-12-11
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法，该超薄金属膜被所述金属活性刻蚀剂的氟基等离子体轰击处理，氟基等离子体的物理轰击使金属薄膜表面粗糙化。同时，通过调节刻蚀时氟离子能量与浓度，使大量氟离子吸附到金属薄膜粗糙表面并在表面扩散与反应，获得表面富集氟离子的金属薄膜。刻蚀后氟离子在粗糙的金属薄膜表面生成大量结晶缺陷，使金属薄膜表面黑化。粗糙黑化的金属薄膜表面结构具有高表体比、低反射率的特点，有效增强太赫兹辐射的吸收性能和效率，且制备工艺简单，与MEMS工艺兼容，可广泛应用于太赫兹探测与成像领域。
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公开(公告)号：CN103854992A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210509752.1
申请日：2012-11-30
发明人： 李成强
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L33/00 , C23F1/12 , C30B33/12
CPC分类号： C30B33/12 , C30B29/406 , H01L21/3065
摘要： 本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：向反应腔室内输入由氯气和氯化物气体混合的刻蚀气体；向反应腔室施加激励功率，以使所述刻蚀气体形成等离子体；向待处理基片施加偏压功率，以使所述等离子体刻蚀待处理基片。本发明提供的基片刻蚀方法可以减少甚至避免GaN槽底部的针状物的出现，从而提高工艺质量。
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公开(公告)号：CN102004500B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201010247286.5
申请日：2010-07-30
申请人： 显示器生产服务株式会社
CPC分类号： G05D7/0641 , H01J37/32449
摘要： 本发明涉及一种蚀刻气体的控制系统。所述的控制系统包括一个质量流动控制单元，一个流率控制单元和一个调节气体控制单元。所述的质量流动控制单元控制输入到内室中的蚀刻气体的质量流动。所述的流率控制单元将蚀刻气体输配给与质量流动控制单元相连、并安装在内室中的一个顶部气体注射器和一个侧部气体注射器。所述的调节气体控制单元向质量流动控制单元和流率控制单元输配并补充一种外加气体和调节气体，这些气体能调节内室中等离子体的离子密度和分布。
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公开(公告)号：CN101572993B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200810024701.3
申请日：2008-04-29
申请人： 汉达精密电子(昆山)有限公司
发明人： 吴政道
IPC分类号： H05K3/10 , H05K3/16 , C23F1/12 , C23F1/02 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C14/34 , C23C14/14 , C23F1/16
摘要： 本发明提供一种绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其包括如下步骤：(1)提供一绝缘导热金属基板；(2)将该基板置入等离子反应室中并通入混有高侵蚀性气体的气体混合物，对该金属基板的表面做不规则性地侵蚀以形成纳米级表面粗糙度；(3)将该等离子反应室中等离子化学气相沉积，产生自由基等离子，并在该金属基板的表面形成多层高导热涂层；(4)涂布一层高导热绝缘胶；(5)在多层高导热涂层的金属基板外层溅镀上金属导电层与金属防护层；(6)抗蚀刻膜屏蔽电路图的导体部分，蚀刻去除非导体部分，再脱去抗蚀刻膜；(7)印刷液态感光防焊油墨。本发明工艺制程简单，导热性佳，且工艺比较环保。
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公开(公告)号：CN102041508B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910197667.4
申请日：2009-10-23
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 周鸣
摘要： 本发明公开了一种刻蚀沟槽的方法，所述刻蚀在刻蚀反应腔内进行，对层间介质层进行刻蚀形成沟槽，该方法分为两步执行，包括：第一步刻蚀控制刻蚀反应腔内的压力为一预定值，向刻蚀反应腔内提供偏置功率，向刻蚀反应腔内通入包括氧气和四氟化碳CF4的气体；在刻蚀到沟槽深度的1/3～2/3时，执行第二步刻蚀，保持与第一步刻蚀时刻蚀反应腔内的压力相同，向刻蚀反应腔内提供偏置功率、源功率和磁场，向刻蚀反应腔内通入包括氢气、氧气和CF4的气体。采用该方法有效解决了刻蚀的沟槽出现侧壁边粗糙(LER)的问题。
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公开(公告)号：CN102031525A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910196781.5
申请日：2009-09-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C23F1/02 , C23F1/12 , C30B33/12 , B81C1/00 , H01L21/3065 , H01L21/308
摘要： 本发明提供一种深硅通孔的刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。该发明包括采用反应离子刻蚀的刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行，所述刻蚀步骤采用的气体中包括用于化学反应等离子刻蚀硅的第一气体和用于与硅反应形成硅化物保护膜的第二气体。使用该方法刻蚀形成TSV时，具有刻蚀效率高、TSV通孔侧壁光滑度好的特点。
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