公开(公告)号：CN105914121B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201610265059.2

申请日：2016-04-26

申请人： 苏州原位芯片科技有限责任公司

发明人： 王建平

IPC分类号： H01J35/18 ,  C23C16/34 ,  C23F1/02 ,  C23F1/12 ,  G21K7/00

摘要： 本发明涉及一种三角形单晶硅支撑粱结构式X射线氮化硅窗口构造及其制造方法，其特点是通过掩膜层氮化硅膜生长，光刻与刻蚀，湿法刻蚀，氮化硅膜生长，背面套刻与刻蚀，湿法刻蚀工艺来获得最终产品，构成薄层三角形结构框架阵列，在框架阵列之间形成氮化硅窗口。由此，可实现更粗的支撑梁，支撑梁结构稳定，实施制备工艺简单。

公开(公告)号：CN105914121A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610265059.2

申请日：2016-04-26

申请人： 苏州原位芯片科技有限责任公司

发明人： 王建平

IPC分类号： H01J35/18 ,  C23C16/34 ,  C23F1/02 ,  C23F1/12 ,  G21K7/00

CPC分类号： H01J35/18 ,  C23C16/345 ,  C23F1/02 ,  C23F1/12 ,  G21K7/00

摘要： 本发明涉及一种三角形单晶硅支撑粱结构式X射线氮化硅窗口构造及其制造方法，其特点是通过掩膜层氮化硅膜生长，光刻与刻蚀，湿法刻蚀，氮化硅膜生长，背面套刻与刻蚀，湿法刻蚀工艺来获得最终产品，构成薄层三角形结构框架阵列，在框架阵列之间形成氮化硅窗口。由此，可实现更粗的支撑梁，支撑梁结构稳定，实施制备工艺简单。

公开(公告)号：CN205722831U

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201620360000.7

申请日：2016-04-26

申请人： 苏州原位芯片科技有限责任公司

发明人： 王建平

IPC分类号： G21K7/00

摘要： 本实用新型涉及一种窗口式氮化硅板，包括有硅垫底层，其特点是：硅垫底层的上方外围设置有单晶硅外框，硅垫底层上分布有凹槽结构，凹槽内分布有若干单晶硅支架梁，若干单晶硅支架梁相互之间间隔排布，构成框架阵列，框架阵列之间形成氮化硅窗口，硅垫底层的上方、硅垫底层的下方、单晶硅支架梁的顶端，均分布有氮化硅膜层。由此，单晶硅支架梁的高度与宽度采用精简化设计，保证承载能力的同时，无需向外延长发展，降低了使用成本。并且，即便是某些特殊情况下，需要进行外延分布，高度亦可以超过20um，减少了规格上的限制。采用框架阵列的构造，整体结构稳定，有效承载外界应力。制造便利，实施工艺简单，实际投产的成品优良率高。