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公开(公告)号：CN101243544A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680029299.7
申请日：2006-08-07
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/027 , C23C16/26 , H01L21/033 , C23C16/507 , H01L21/3213 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/0276 , C23C16/26 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/268 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S430/151
Abstract: 本发明提供一种利用光学可写式掩膜处理一半导体基材上的薄膜结构的方法，其包括将该基材置放于一反应器处理室中，该基材于其表面上具有一欲依据预定图案作蚀刻的目标层；藉由下列方式于该基材上沉积含碳硬掩膜层：(a)将含碳制程气体引入处理室中；(b)藉由将等离子射频电源耦合至一再进入路径的外部的方式于该再进入路径中形成再进入环形射频等离子电流，其中该再进入路径包括一位于该工作件上方的制程区；以及(c)将射频等离子偏压电源或偏压电压耦合至该工作件。该方法更包括于该含碳硬掩膜层中光微影地定义该预定图案，并在该硬掩膜层的存在下蚀刻该目标层。
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公开(公告)号：CN1638814A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805571.6
申请日：2003-02-28
Applicant: 鲁迪格哈加有限责任公司
IPC: A61L2/14 , H01J37/32 , C23C16/507
CPC classification number: H01J37/321 , A61L2/14 , H05H1/46 , H05H2001/4652
Abstract: 描述了借助于低压等离子体的物品杀菌用装置，该装置包括一个容纳物品的真空室，真空室与用于待电离气体的导管相连。此外，一个高频发射装置带有用于将交流电等离子体感应耦合到室内的天线系统。按照本发明，该天线系统包括两个相互之间有间距的耦合线圈。
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公开(公告)号：CN116162919B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210905355.X
申请日：2022-07-29
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/507 , H01J37/32
Abstract: 根据一个实施方式的排气管装置包括：介电管；射频电极；和等离子体产生电路。排气管装置用作配置在处理室与将处理室内的气体排出的真空泵之间的排气管的一部分。射频电极包括配置在介电管的外周侧的薄金属板、配置在薄金属板的外周侧的缓冲构件和配置在缓冲构件的外周侧的导电性中空结构体，并且射频电压施加到射频电极。等离子体产生电路在介电管内产生等离子体。
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公开(公告)号：CN115491657B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211149178.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Inventor： 孙晓波
IPC: C23C16/44 , C23C16/507 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种反应腔的清洁方法、计算机可读存储介质、反应腔的驱动电路及半导体的加工设备。所述反应腔的清洁方法包括以下步骤：经由远程等离子体系统对所述反应腔进行初步清洁处理；对所述反应腔进行所述初步清洁处理及搅拌清洁处理的叠加处理，其中，所述搅拌清洁处理是由交替进行的顶部射频清洁处理和侧方射频清洁处理组成；以及终止所述初步清洁处理及所述顶部射频清洁处理，以对所述反应腔进行所述侧方射频清洁处理。
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公开(公告)号：CN116162919A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210905355.X
申请日：2022-07-29
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/507 , H01J37/32
Abstract: 根据一个实施方式的排气管装置包括：介电管；射频电极；和等离子体产生电路。排气管装置用作配置在处理室与将处理室内的气体排出的真空泵之间的排气管的一部分。射频电极包括配置在介电管的外周侧的薄金属板、配置在薄金属板的外周侧的缓冲构件和配置在缓冲构件的外周侧的导电性中空结构体，并且射频电压施加到射频电极。等离子体产生电路在介电管内产生等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115537782A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211235658.1
申请日：2022-10-10
Applicant: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
Inventor： 欧阳亮
IPC: C23C16/458 , C23C16/24 , C23C16/507 , H01J37/32 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供硅片载具以及PECVD反应腔。所述硅片载具包括绝缘框架以及嵌套在所述绝缘框架之外的电极框架，所述绝缘框架包括相对的第一绝缘壁以及第二绝缘壁，所述第一绝缘壁以及第二绝缘壁上还对应交叉设置有用于承载硅片的第一电极以及第二电极，所述第一电极从所述第一绝缘壁向外伸出与所述电极框架一侧的第一汇流排连接，所述第二电极从所述第二绝缘壁向外伸出与第二汇流排连接，所述第二汇流排与所述电极框架绝缘并且设置在所述电极框架以及绝缘框架之间。本发明的硅片载具既能在PECVD反应腔腔外载送硅片减少硅片花篮的使用，又能在腔内进行等离子体放电，还能使反应腔中能同时容纳更多的硅片，从而提高PECVD工艺的产能。
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公开(公告)号：CN115491657A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211149178.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Inventor： 孙晓波
IPC: C23C16/44 , C23C16/507 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种反应腔的清洁方法、计算机可读存储介质、反应腔的驱动电路及半导体的加工设备。所述反应腔的清洁方法包括以下步骤：经由远程等离子体系统对所述反应腔进行初步清洁处理；对所述反应腔进行所述初步清洁处理及搅拌清洁处理的叠加处理，其中，所述搅拌清洁处理是由交替进行的顶部射频清洁处理和侧方射频清洁处理组成；以及终止所述初步清洁处理及所述顶部射频清洁处理，以对所述反应腔进行所述侧方射频清洁处理。
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公开(公告)号：CN114447354A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210104816.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 纳狮新材料有限公司
Inventor： 朱锋
IPC: H01M8/0213 , C23C16/26 , C23C16/448 , C23C16/507 , H01M8/0228
Abstract: 本申请涉及一种类金刚石复合涂层及其制备方法，类金刚石复合涂层特征在于，所述类金刚石复合涂层包含：在所述金属极板上形成的第一层和第二层，其中所述第一层为未掺杂的类金刚石层，所述第二层是掺杂的类金刚石层；在所述金属极板与所述第一层之间的过渡层；和在所述第一层和所述第二层之间的梯度层；其中，所述过渡层使用包含有机硅氧化合物和含碳氢源的材料以薄膜沉积的方式制备，并且所述有机硅氧化合物的浓度从所述金属极板至所述第一层的方向上逐渐减小；其中，所述梯度层包含掺杂离子，所述掺杂离子的浓度在从所述第一层至所述第二层的方向上逐渐增加直至与所述第二层中掺杂离子的浓度相同。
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公开(公告)号：CN113337805A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110214742.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/507 , C23C16/56 , H01L49/02
Abstract: 提供一种半导体处理系统以在金属‑绝缘体‑金属电容器中形成电容器介电层。所述半导体处理系统包括：前体槽，被配置成从金属有机固体前体产生前体气体；处理室，被配置成执行等离子体增强化学气相沉积；以及至少一个缓冲槽，位于所述前体槽与所述处理室之间。所述至少一个缓冲槽通过第一管道耦合到所述前体槽，并通过第二管道耦合到所述处理室。
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公开(公告)号：CN109642318A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780034217.6
申请日：2017-04-07
Applicant: SIO2医药产品公司
IPC: C23C16/507 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/36
Abstract: 提供了一种用于将润滑层施加到表面的两阶段方法。该两阶段方法包括低功率沉积步骤和高功率交联步骤。该方法包括提供有待加工的器皿或物体的表面。提供了具有内部通道的气体入口，该内部通道具有至少一个出口。提供了外电极。经由该内部通道的至少一个出口引入气态PECVD前体。在有效在该内表面的至少一部分上形成PECVD润滑层的条件下，将电磁能施加到该外电极。在将电磁能施加到该外电极的至少一些时间期间，提供该器皿或该物体与该气体入口之间的相对轴向运动。
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