公开(公告)号：CN105247668A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201580000862.7

申请日：2015-03-31

Applicant: 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

Inventor： 山田隆 ,  小田大造 ,  大石良 ,  榛原照男 ,  宇野智裕

IPC: H01L21/60 ,  B21C1/00 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC classification number: H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为10％以上且小于50％；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为70％以上。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。

公开(公告)号：CN104412360A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380034211.0

申请日：2013-06-05

Applicant: 索泰克公司

Inventor： I·拉杜 ,  M·波卡特 ,  阿诺德·卡斯泰 ,  格维塔兹·戈丹 ,  G·里奥

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/12 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12646 ,  Y10T428/12653 ,  Y10T428/12674

Abstract: 用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m2的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：-将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；-向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。