公开(公告)号：CN101160420A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200580049416.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 小野敏昭 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 按照本发明的硅单晶的制造方法，由于通过用CZ法培育由不存在Grown－in缺陷的无缺陷区域构成的硅单晶，将含氢原子的物质的气体添加于培育装置内的气氛气体中，以及向结晶内掺氮或/和碳，以此制造硅单晶，故可截取整个面不存在Grown－in缺陷，系由无缺陷区域构成，且BMD足够且均匀地形成的晶片。这样的晶片可大幅度减少在其上所形成的集成电路的特性不合格品的发生，作为应对电路的微细化和高密度化的衬底，可对制造成品率的提高作出贡献，从而可广泛应用。

公开(公告)号：CN101133193A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200580048849.5

申请日：2005-11-29

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： Z·陆

IPC: C30B15/30 ,  C30B15/00 ,  C30B15/22

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/22 ,  C30B15/305 ,  Y10S117/917 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1052

Abstract: 本发明公开了用于控制直拉法晶体生长装置内的晶体生长的方法和系统。在晶体生长装置内施加磁场，并且在从熔体拉制晶锭的同时改变该磁场以控制熔体－固体界面的形状。熔体－固体界面的形状响应于根据晶锭的长度改变的磁场形成为预期的形状。

公开(公告)号：CN101006206A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580028656.3

申请日：2005-08-24

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 宝来正隆 ,  杉村涉 ,  小野敏昭

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203

Abstract: 该硅片是在含氢的惰性气氛下通过CZ法培育的，是在晶片厚度方向整个区域上、结晶直径方向的整个区域上不含COP和位错簇的完全无生长引入的缺陷的晶片，且晶片整个区域由晶格间硅优势区域构成。该硅单晶培育方法通过在含氢的惰性气氛中提拉硅单晶，扩大PI区域提拉速度的范围，通过在这种PI区域提拉速度范围内进行提拉，使单晶柱体部分成为晶格间硅优势区域。

公开(公告)号：CN1312327C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN03816590.2

申请日：2003-07-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星二 ,  园川

IPC: C30B29/06

CPC classification number: H01L21/3225 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及外延生长用硅晶片，将通过柴克劳斯基法(CZochralski method-CZ法)掺杂氮，在至少晶片中心成为会发生空隙型缺陷的V区域的区域内培育的硅单晶加以切削，而制作成的硅晶片，其特征是在晶片表面出现的上述空隙型缺陷中，开口部尺寸是20nm以下的缺陷数目是0.02个/cm2以下的外延生长用硅晶片，及特征是在此外延生长用硅晶片的表面形成有外延层的外延晶片。由此，能够容易地以高生产性且低成本制成具有高吸杂能力、且在外延层上极少有对器件特性有不良影响的SF的高品质的外延晶片。

公开(公告)号：CN1304647C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN03810538.1

申请日：2003-05-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  三田村伸晃 ,  布施川泉 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/322

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203

Abstract: 本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法，将生长速度控制在：在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下，通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度，及在进一步逐渐降低生长速度的情况下，在进行氧析出处理时，BMD密度表示为1×107个/cm3以上及/或者晶片寿命表示为30μsec以下的数值的高氧析出Nv区域衰减的边界生长速度之间，以育成单晶体。由此，提供一种在由柴可拉斯基法制造单晶硅时，不属于空位多的V区域、OSF区域、及晶格间硅多的I区域的任意其一，并且具有优异的电特性及吸气能力，可以确实提升器件成品率的单晶硅及外延片。

公开(公告)号：CN1254855C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02106772.4

申请日：2002-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在勤

IPC: H01L21/324 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  Y10S117/911 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明公开了一种具有受控缺陷分布的硅晶片，其中具有从晶片表面向内的足够深度的脊区与晶片体区内的高吸除效应结合。硅晶片中充当内部吸除位置的氧淀析具有垂直分布。从晶片顶面到底面的氧淀析浓度分布包括在距晶片顶面和底面第一和第二预定深度处的第一和第二峰、晶片的顶和底面与第一和第二峰中的每一个之间的脊区，以及第一和第二峰之间的凹陷区，该凹陷区对应晶片体区。其中凹陷区内的最低氧淀析浓度至少比第一和第二峰处的最高氧淀析浓度小一个数量级。为得到这种氧淀析浓度分布，晶片在包括氨和氩的气体混合物气氛中在低于约1200℃的温度经历快速热退火工艺，使得晶片器件区内滑移位错减少，且快速热退火加热室上的二氧化硅减少。

公开(公告)号：CN1253610C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN98805271.7

申请日：1998-04-09

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： R·法尔斯特 ,  S·A·马克格拉夫 ,  S·A·麦奎德 ,  J·C·霍尔泽 ,  P·马蒂 ,  B·K·约翰逊

IPC: C30B15/00 ,  C30B33/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括控制(i)生长速度V，(ii)在从结晶温度到不低于约1325℃的温度范围内晶体恒定直径段生长期间的平均轴向温度梯度G0；以及(iii)为形成该基本不含聚集本征点缺陷轴对称区而使晶体从结晶温度到约1050℃的冷却速度。这个轴对称区从晶棒圆周边向内扩延，从硅棒的圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少约为晶棒半径长度的十分之三，沿中心轴测得的长度至少约为晶棒恒定直径段长度的十分之二。

公开(公告)号：CN1227395C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN01800727.9

申请日：2001-03-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  布施川泉 ,  太田友彦 ,  前田茂丸

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206

Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法，对使用CZ法在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片，用粒子计数器计数粒子时，0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此，提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低，提高装置特性优良的高品质硅片的生产性，并减低成本的制造技术。

公开(公告)号：CN1508299A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200310123311.9

申请日：2003-12-18

Applicant: 瓦克硅电子股份公司

Inventor： 马丁·韦伯 ,  维尔弗里德·冯·阿蒙 ,  赫伯特·施密特 ,  亚尼斯·维尔布里斯 ,  尤里·格尔夫加特 ,  列昂尼德·戈尔布诺夫

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  Y10S117/917 ,  Y10T117/1068

Abstract: 本发明涉及一种单晶，其超过总锭长度10％的锭长度具有均匀缺陷图及狭窄的径向掺杂剂及氧变化，以及一种用以制造该硅晶片的方法。该依照Czochralski法的方法包括，于固化界面区域内的熔化物中形成偏离转动对称的温度分布。

公开(公告)号：CN1489643A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804207.7

申请日：2002-01-02

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： R·J·法尔斯特 ,  V·弗拉迪米尔 ,  P·穆蒂 ,  F·博诺利

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种单晶硅晶片，它包括一个前表面、一个后表面、一个连接前表面和后表面的侧表面、一个垂直于前表面和后表面的中心轴及一个晶段，上述晶段围绕中心轴轴向对称，并且基本上是从前表面延伸到后表面，其中晶格空位是主要的本征点缺陷，所述晶段具有至少约为半径的25％的径向宽度，并含有附聚的空位缺陷和残留的晶格空位浓度，其中(i)附聚的空位缺陷具有一小于约70nm的半径和(ii)残留的晶格空位本征点缺陷浓度低于当晶片经受氧析出热处理时产生无控制的氧析出的阈值浓度。