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公开(公告)号：CN101784696B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880104363.2
申请日：2008-11-14
申请人： 欧姆龙株式会社
CPC分类号： C23C18/14 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1667 , C23C18/1678 , C23C18/1696 , C23C18/1893 , C23C18/2086 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681 , Y10T428/31692
摘要： 本发明所涉及的金属膜的制造方法，包括以下步骤：使用含有具有3个以上反应基团的加成聚合性化合物、具有酸性基团的加成聚合性化合物、和具有亲水性官能团的加成聚合性化合物的底层组合物形成有机膜的有机膜形成步骤；将所述酸性基团转化为金属(M1)盐的金属盐生成步骤；通过使用金属(M2)离子水溶液进行处理，将所述酸性基团的金属(M1)盐转化为金属(M2)盐的金属固定步骤，所述金属(M2)离子水溶液含有离子化倾向比所述金属(M1)离子低的金属(M2)离子；将所述金属(M2)离子还原，在所述有机膜表面形成金属膜的还原步骤；将所述金属膜进行氧化的氧化步骤。由此，提供了能够在任意的基材上低成本地形成金属膜以及金属图案，能够解决溅镀法中存在的问题点的金属膜的制造方法、由该方法制造的金属膜以及其应用。
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公开(公告)号：CN101622376B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200880003504.1
申请日：2008-01-25
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 马克·伊安·瓦格纳
IPC分类号： C23C16/18 , C23C14/14 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/08 , C23C18/1642 , C23C18/1658 , C23C18/1678 , C23C18/1685 , C23C18/31
摘要： 公开用于在半导体基片上形成金属膜的组合物和方法。所公开的方法之一包括：加热该半导体基片以获得加热的半导体基片；将该加热的半导体基片暴露于组合物，该组合物包含包括至少一种配体的金属前体、过量的中性不稳定配体、超临界溶剂、和可选的至少一种B、C、N、Si、P及其混合物的源；在该加热的半导体基片处或其附近将该组合物暴露于还原剂和/或热能；从该金属前体分离该至少一种配体；和形成该金属膜，同时使得金属氧化物的形成最少。
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公开(公告)号：CN1922344A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200480030052.8
申请日：2004-10-15
申请人： 应用材料公司
发明人： 德米特里·鲁博弥尔斯克 , 阿拉库玛·山姆戈萨卓姆 , 伊恩·A·帕查姆 , 瑟戈伊·洛帕汀
IPC分类号： C25D7/12 , C23C18/16 , H01L21/288
CPC分类号： H01L21/76838 , C23C18/1601 , C23C18/1619 , C23C18/1628 , C23C18/1678 , C23C18/1682 , C23C18/1872 , C23C18/28 , H01L21/288 , Y10S134/902
摘要： 本发明的实施例一般地提供了一种流体处理平台。该平台包括具有衬底传输机械手的主机、主机上的至少一个衬底清洁室、以及至少一个处理外壳。处理外壳包括定位成与处理外壳的内部流体连接的气体供应、定位在外壳中的第一流体处理室、定位成支撑衬底用于在第一流体处理室中进行处理的第一衬底头组件设置、定位在外壳中的第二流体处理室、定位成支撑衬底用于在第二流体处理室中进行处理的第二头组件、以及定位在第一和第二流体处理室之间并设置为将衬底在流体处理室和主机机械手之间传输的衬底梭。
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公开(公告)号：CN1849411A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480026282.7
申请日：2004-06-25
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： C23C18/1601 , C23C18/1603 , C23C18/1608 , C23C18/161 , C23C18/1658 , C23C18/1678 , C23C18/1879 , C23C18/28 , C23C18/30 , C23C18/31 , C23C18/405 , C23C18/44 , H05K3/182 , H05K2203/013 , H05K2203/1157
摘要： 提供了在衬底上沉积金属图案的方法和系统。因此，可在衬底上形成无电镀活性层。然后可使用喷墨技术独立地喷墨无电镀沉积组合物的至少两种组分到各种衬底上。金属组合物可被喷墨到无电镀活性层上。金属组合物可包含金属盐和任选的添加剂。可在喷墨金属组合物前或后喷墨还原剂组合物以在衬底上形成无电镀组合物。金属盐和还原剂反应形成可在电子器件或其它产品形成中使用的金属图案。所述可喷墨组合物在宽的条件范围内稳定，并允许在喷墨配方和衬底选择上的广泛自由。
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公开(公告)号：CN1745194A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480002998.3
申请日：2004-01-28
申请人： 传导喷墨技术有限公司
CPC分类号： C23C18/1678 , C23C18/1608 , C23C18/1651 , C23C18/1667 , C23C18/405
摘要： 本发明公开了一种在基底上形成导电金属区域的方法，包括在基底上沉积金属离子溶液，以及在基底上沉积一种还原剂溶液，从而使得金属离子和还原剂在反应溶液中一起反应，以在基底上形成导电金属区域。
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公开(公告)号：CN1639840A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804707.1
申请日：2003-01-21
申请人： 应用材料有限公司
CPC分类号： H01L21/67126 , C23C18/1607 , C23C18/1619 , C23C18/1628 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/1678 , C25D7/123 , C25D17/001
摘要： 一种向形成于衬底上的亚微米结构中淀积催化层的设备和方法，该催化层包括选自贵金属、半贵金属和其合金/组合。典型的金属包括钯、铂、钴、镍和钨。催化层可通过无电淀积、电镀或化学汽相淀积技术来淀积。在一个实施方式中，催化层可淀积在结构中，从而用作后续淀积的导电材料的阻挡层。在另一实施方式中，催化层可淀积在阻挡层上。在又一实施方式中，催化层可以淀积在籽晶层上，而籽晶层淀积在阻挡层上，从而用作籽晶层中的任何不连续处的“补丁”。一旦催化层已经淀积，可以在催化层上通过例如无电淀积工艺淀积导电材料。在另一实施方式中，导电材料是通过无电淀积技术然后进行电镀或化学汽相淀积而淀积在催化层上的。在另一实施方式中，通过电镀或通过化学汽相淀积技术在催化层上淀积导电材料。
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公开(公告)号：CN105565676A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510745606.2
申请日：2015-11-05
申请人： 康宁公司
发明人： 蒂埃里·吕克·阿兰·达努 , 克莱门斯·鲁道夫·霍恩 , 罗南·唐基
CPC分类号： C03C17/10 , C03C17/004 , C03C2217/256 , C23C18/1605 , C23C18/1616 , C23C18/1678 , C23C18/1689 , C23C18/1879 , C23C18/1893 , C23C18/31 , C23C18/44
摘要： 本发明披露了用于涂覆或装饰玻璃套筒的表面的方法。所述方法包括通过化学镀方法将金属层沉积到玻璃套筒的表面上。本发明还披露了内表面被涂覆或装饰的玻璃套筒，以及包括涂覆的玻璃套筒的电子装置。
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公开(公告)号：CN104508181A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380039322.0
申请日：2013-11-26
申请人： 三菱重工业株式会社
CPC分类号： F01D25/24 , C23C18/1605 , C23C18/1616 , C23C18/1619 , C23C18/1633 , C23C18/1675 , C23C18/1678 , C23C18/1692 , C23C18/18 , C23C18/1817 , C23C18/32 , C23C18/44 , F01D25/005 , F04D17/122 , F04D29/023 , F04D29/4206 , F05D2230/90 , Y10T29/49323 , C23C18/36
摘要： 一种回转机械的制造方法，其包括：形成具有多个开口部(5、6、10、11)来吸入、排出流体(F)的回转机械(100)的机室(1)的机室形成工序(S0)；在机室形成工序(S0)之后，通过开口部(5、6、10、11)，将前处理液(W1)向机室(1)内供给后从机室(1)排出，来进行机室(1)的内表面(1a)的活性化的表面活性化工序(S2)；在表面活性化工序(S2)之后，通过开口部(5、6、10、11)，进行镀敷液(W3)的向机室(1)内的供给和从机室(1)内的排出而使镀敷液(W3)循环，来进行机室(1)的内表面(1a)的镀敷的镀敷工序(S5)；以被在镀敷工序(S5)中镀敷后的机室(1)从外周侧覆盖的方式，设置相对于机室(1)能够相对旋转的旋转体(3、4)的组装工序(S7)。
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公开(公告)号：CN102070952B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010573616.X
申请日：2010-11-22
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： C23C18/1678 , C09D11/52 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/1204 , C23C18/52
摘要： 一种第3a族油墨，其包含以下物质作为初始组分：多胺溶剂；第3a族材料/有机络合物；以及还原剂；其中所述还原剂的摩尔浓度超过所述第3a族材料/有机络合物的摩尔浓度；所述第3a族油墨是稳定的分散体，第3a族油墨是不含肼且不含肼鎓的。还提供了制备第3a族油墨的方法，以及使用所述第3a族油墨在用于很多种半导体应用的基材上沉积第3a族材料的方法，例如VLSI技术中的硅装置的金属化、半导体III-V合金的生长、薄膜晶体管(TFT)、发光二极管(LED)；和红外检测器。
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公开(公告)号：CN101796217B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880105171.3
申请日：2008-11-14
申请人： 欧姆龙株式会社
CPC分类号： H05K3/387 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/14 , C23C18/1667 , C23C18/1678 , C23C18/1893 , C23C18/2086 , C23C18/31 , G02B5/0808 , G02B27/1073 , G02B27/144 , H05K3/181 , H05K2203/1157 , H05K2203/121 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681 , Y10T428/31692
摘要： 本发明所涉及的金属膜的制造方法，包括以下步骤：使用含有具有3个以上反应基团的加成聚合性化合物、具有酸性基团的加成聚合性化合物、具有碱性基团的加成聚合性化合物、和具有亲水性官能团的加成聚合性化合物的底层组合物形成有机膜的有机膜形成步骤；将所述酸性基团转化为金属(M1)盐的金属盐生成步骤；通过使用金属(M2)离子水溶液进行处理，将所述酸性基团的金属(M1)盐转化为金属(M2)盐的金属固定步骤，所述金属(M2)离子水溶液含有离子化倾向比所述金属(M1)离子低的金属(M2)离子；将所述金属(M2)离子还原，在所述有机膜表面形成金属膜的还原步骤。由此，提供了能够在任意的基材上低成本地形成金属膜以及金属图案的金属膜的制造方法、底层组合物、由该方法制造的金属膜以及其应用。
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