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公开(公告)号：CN1890406B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200480035875.X
申请日：2004-09-30
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： C25D1/04 , C25D1/10 , C25D1/20 , H01L2924/0002 , Y10S977/755 , Y10S977/762 , H01L2924/00
摘要： 本公开内容涉及用于产生纳米线(1202)的系统(500)和方法(600、1600)。通过暴露(614)超点阵(100)中的材料层(102、104)并且溶解和迁移(1610)暴露层(102)的边缘(302)的材料至衬底(1802)可制作纳米线(1202)。还可通过暴露(614)超点阵(100)中的材料层(102)并且将材料沉积到暴露层(102)的边缘(302)上来制作纳米线(1202)。
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公开(公告)号：CN101044625A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580035958.3
申请日：2005-09-22
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L29/49 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02282 , H01L21/02123 , H01L21/02172 , H01L21/022 , H01L21/316 , H01L28/56 , H01L29/4908
摘要： 本发明描述了用于形成具有多层电介质(108，110，128，130)的溶液加工晶体管(100，120)的方法、装置、器件和/或系统的实施方案。
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公开(公告)号：CN100594262C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200480026282.7
申请日：2004-06-25
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： C23C18/1601 , C23C18/1603 , C23C18/1608 , C23C18/161 , C23C18/1658 , C23C18/1678 , C23C18/1879 , C23C18/28 , C23C18/30 , C23C18/31 , C23C18/405 , C23C18/44 , H05K3/182 , H05K2203/013 , H05K2203/1157
摘要： 提供了在衬底上沉积金属图案的方法和系统。因此，可在衬底上形成无电镀活性层。然后可使用喷墨技术独立地喷墨无电镀沉积组合物的至少两种组分到各种衬底上。金属组合物可被喷墨到无电镀活性层上。金属组合物可包含金属盐和任选的添加剂。可在喷墨金属组合物前或后喷墨还原剂组合物以在衬底上形成无电镀组合物。金属盐和还原剂反应形成可在电子器件或其它产品形成中使用的金属图案。所述可喷墨组合物在宽的条件范围内稳定，并允许在喷墨配方和衬底选择上的广泛自由。
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公开(公告)号：CN101036232A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200580034168.3
申请日：2005-08-30
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/0673 , H01L29/4908
摘要： 通过如下步骤制造薄膜晶体管(TFT)(10)：提供衬底(20)，沉积并图案化金属栅极(30)，将图案化的金属栅极阳极化以在金属栅极上形成栅极绝缘层(40)，在至少部分栅极绝缘层上沉积并图案化包括多阳离子氧化物的通道层(70)，以及沉积并图案化相互分离且均与通道层接触的导电源极(50)和导电漏极(60)。
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公开(公告)号：CN101053085A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580036681.6
申请日：2005-09-27
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7391
摘要： 在形成半导体装置(20、40、50、60、70、80)的一种方法中，形成第一电极(30)，该第一电极(30)与半导体材料(28)电气耦合。在形成第一电极(30)之后，与第一电极(30)相邻且从第一电极(30)延伸选定距离(36、76)从而在半导体(28)上形成绝缘体(34、74)。在形成绝缘体(34、74)之后，形成与半导体材料(28)电气耦合且与绝缘体(34、74)相邻的第二电极(38、62、78)。
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公开(公告)号：CN101044628A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580036067.X
申请日：2005-09-21
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/445
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969
摘要： 本发明描述了用于形成具有双层电介质(108，110)的晶体管(100)的方法、装置、部件和/或系统的实施方案。
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公开(公告)号：CN101023529A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031428.1
申请日：2005-08-17
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L29/51 , H01L21/314 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/022 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , H01L21/02118 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L21/3143 , H01L21/316 , H01L21/3185 , H01L21/4757 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L51/0003 , H01L51/0035 , H01L51/0537
摘要： 一种方法，包括借助于一种或者多种溶液处理工艺，在衬底(102)的至少一部分上沉积(142)第一材料，以形成第一材料层(108)，所述第一材料层(108)的至少一部分包括无机介电材料；借助于一种或者多种溶液处理工艺，在所述第一材料层(108)的所述至少一部分上和/或与所述第一材料层(108)的所述至少一部分接触地沉积(146)第二材料，以形成第二材料层(108)，所述第二材料层(108)的至少一部分包括有机介电材料，以形成介电器件层的至少一部分；和至少部分地改变所述第一和/或所述第二材料层(108)的至少一部分。
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公开(公告)号：CN1934712A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008000.5
申请日：2005-02-25
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78648 , Y10T408/5633
摘要： 一个示例性实施例包括半导体器件。该半导体器件可以包括具有一种或多种金属氧化物的沟道，所述金属氧化物包括锌镓、镉镓、镉铟。
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公开(公告)号：CN1890406A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480035875.X
申请日：2004-09-30
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： C25D1/04 , C25D1/10 , C25D1/20 , H01L2924/0002 , Y10S977/755 , Y10S977/762 , H01L2924/00
摘要： 本发明内容涉及用于产生纳米线(1202)的系统(500)和方法(600、1600)。通过暴露(614)超点阵(100)中的材料层(102、104)并且溶解和迁移(1610)暴露层(102)的边缘(302)的材料至衬底(1802)可制作纳米线(1202)。还可通过暴露(614)超点阵(100)中的材料层(102)并且将材料沉积到暴露层(102)的边缘(302)上来制作纳米线(1202)。
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