公开(公告)号：CN1290961C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN03151489.8

申请日：2003-08-01

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 金野智久 ,  元成正之 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/302 ,  B24B1/00 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供了一种用于化学机械抛光的水分散体。通过它，即使对具有低机械强度绝缘体的待抛光器件也能减少划痕，铜膜和阻挡金属膜都能得到高效抛光，并在不过度抛光绝缘体的情况下，得到具有高精确度且足够平整的精加工表面，本发明还提供了半导体设备的生产方法。用于化学机械抛光的水分散体包括磨料颗粒，其中磨料颗粒包括(A)由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒和(B)复合颗粒。简单颗粒(A)优选由无机颗粒组成，复合颗粒(B)优选由通过有机颗粒与无机颗粒整体结合而形成的无机有机复合颗粒组成。半导体设备的生产方法包括使用抛光用水分散体对半导体材料待抛光表面进行抛光的步骤。

公开(公告)号：CN1831076A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610056893.7

申请日：2006-03-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 内仓和一 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体及化学机械研磨方法、以及用于调制化学机械研磨用水系分散体的试剂盒。其中，所述化学机械研磨用水系分散体可以高效地分别研磨各种被研磨物，可以得到充分平坦化的高精度的加工面，而且即使超过最佳研磨时间而继续进行化学机械研磨，配线部分中的凹陷或磨耗也不会恶化。所述化学机械研磨用水系分散体含有(A)磨料、(B)有机酸、(C)苯并三唑或者其衍生物、(D)聚(甲基)丙烯酸盐、(E)氧化剂及(F)水，所述(A)磨料的配合量为2～10质量％。

公开(公告)号：CN1824462A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610057704.8

申请日：2006-02-23

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 仕田裕贵 ,  服部雅幸

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02

Abstract: 一种化学机械研磨方法，其中，包含通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序来化学机械地研磨被研磨面的过程；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中，通过改变前述水系分散体(I)和前述水溶液(II)的混合比来改变研磨速度。

公开(公告)号：CN100526015C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610057704.8

申请日：2006-02-23

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 仕田裕贵 ,  服部雅幸

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02

Abstract: 一种化学机械研磨方法，其中，包含通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序来化学机械地研磨被研磨面的过程；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中，通过改变前述水系分散体(I)和前述水溶液(II)的混合比来改变研磨速度。

公开(公告)号：CN100516157C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN03122045.2

申请日：2003-04-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  安藤民智明 ,  西元和男 ,  川桥信夫

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨用水分散体，它难以腐败、几乎不引起划伤、仅产生少量凹坑、而且适合于用在半导体设备生产过程中的层间电介质的微隔离步骤或平面化步骤中。该化学机械研磨用水分散体含有处在水性介质中的二氧化铈颗粒；由具备在环上带有氮原子和硫原子的杂环结构的化合物，如异噻唑酮化合物构成的防腐剂；以及有机成分如有机磨粒，它由树脂颗粒、由具有特定分子量的水溶性聚合物或类似物构成的分散剂、表面活性剂和/或有机酸或其盐组成。以水性介质、二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的总比例为100%质量计，二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的含量分别为0.1-20%质量、0.001-0.2%质量和0.1-30%质量。该水分散体的pH值可以保持在中性范围内。

公开(公告)号：CN1576345A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410055263.9

申请日：2004-07-01

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02

Abstract: 公开了一种水分散体，其包含(A)磨料粒，(B)选自2－溴－2－硝基－1，3－丙二醇，2－溴－2－硝基－1，3－丁二醇，2，2－二溴－2－硝基乙醇和2，2－二溴－3－次氮基丙酰胺中的至少一种化合物，和(C)一种不同于组分(B)中化合物的有机组分。该水分散体即使储存后或在中性pH范围内使用也没有腐败的问题，以及特别应用于半导体器件制造的STI方法中时生产出几乎没有凹痕或划痕的极好的抛光表面。

公开(公告)号：CN1498931A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104711.5

申请日：2003-10-31

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 西元和男 ,  坂野达章 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  宫下直人 ,  重田厚 ,  松井嘉孝 ,  井田和彦

IPC: C09G1/04

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。

公开(公告)号：CN1453328A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122045.2

申请日：2003-04-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 服部雅幸 ,  安藤民智明 ,  西元和男 ,  川桥信夫

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨用水分散体，它难以腐败、几乎不引起划伤、仅产生少量凹坑、而且适合于用在半导体设备生产过程中的层间电介质的微隔离步骤或平面化步骤中。该化学机械研磨用水分散体含有处在水性介质中的二氧化铈颗粒；由具备在环上带有氮原子和硫原子的杂环结构的化合物，如异噻唑酮化合物构成的防腐剂；以及有机成分如有机磨粒，它由树脂颗粒、由具有特定分子量的水溶性聚合物或类似物构成的分散剂、表面活性剂和/或有机酸或其盐组成。以水性介质、二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的总比例为100％质量计，二氧化铈颗粒、防腐剂和有机成分的含量分别为0.1－20％质量、0.001－0.2％质量和0.1－30％质量。该水分散体的pH值可以保持在中性范围内。