化学机械研磨垫
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101379598B

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200780004401.2

    申请日:2007-01-30

    CPC classification number: H01L21/31053 B24B37/24 H01L21/31058 H01L21/3212

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够在赋予高研磨速度的同时,充分地抑制被研磨面的刮痕的发生,且对于研磨量能够实现高度的被研磨面内均匀性的化学机械研磨垫。上述目的通过研磨层的表面电阻率为1.0×107~9.9×1013Ω的化学机械研磨垫达成。该研磨层优选由含有(A)体积电阻率为1.0×1013~9.9×1017Ω·cm的高分子基质成分和(B)体积电阻率为1.0×106~9.9×1012Ω·cm的成分的组合物形成。

    化学机械抛光垫、其制造方法以及化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN100410017C

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200510054230.7

    申请日:2005-02-05

    Abstract: 一种化学机械抛光垫,包含由(A)苯乙烯聚合物和(B)二烯聚合物构成的非水溶性基质。上述化学机械抛光垫的制造方法,其特征在于制备含有(A)苯乙烯聚合物、(B)二烯聚合物和(C)交联剂的组合物,将上述组合物成形为预定的形状,并在成形的同时或者成形后加热使其固化,以及一种化学机械抛光方法,其特征在于通过上述化学机械抛光垫对被抛光物的被抛光面进行抛光。根据本发明,可以提供一种化学机械抛光垫,其能够优选适用于金属膜的抛光或绝缘膜的抛光、特别是STI技术,在得到平坦的被抛光面的同时,还能达到较高的抛光速度,且具有足够长的寿命。

    化学机械研磨垫
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101379598A

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200780004401.2

    申请日:2007-01-30

    CPC classification number: H01L21/31053 B24B37/24 H01L21/31058 H01L21/3212

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够在赋予高研磨速度的同时,充分地抑制被研磨面的刮痕的发生,且对于研磨量能够实现高度的被研磨面内均匀性的化学机械研磨垫。上述目的通过研磨层的表面电阻率为1.0×107~9.9×1013Ω的化学机械研磨垫达成。该研磨层优选由含有(A)体积电阻率为1.0×1013~9.9×1017Ω·cm的高分子基质成分和(B)体积电阻率为1.0×106~9.9×1012Ω·cm的成分的组合物形成。

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