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公开(公告)号：CN119860195A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510062261.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: E21B43/119 , E21B43/1185
Abstract: 本发明涉及石油开采工程领域，具体涉及一种基于多传感器接箍识别的嵌入式石油射孔系统，本发明引入IMU传感器采集系统运动状态数据，通过核心控制模块处理CCL信号和系统运动状态数据，结合两个传感器综合判定是否发送点火信号；射孔点火模块在接收到点火信号时引爆火工品；本发明能够提高射孔定位精度。
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公开(公告)号：CN119777804A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510057049.9
申请日：2025-01-14
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: E21B43/116 , E21B43/119 , E21B47/00 , E21B47/13
Abstract: 本发明公开了一种用于石油射孔的嵌入式多模块协同处理系统，该系统与射孔枪配合使用，在射孔枪内设置套管接箍定位器CCL，该系统包括：前端信号处理模块、嵌入式微控制器、上位机通信模块和后端点火电路模块；套管接箍定位器CCL用于检测井筒中套管接箍的位置，生成CCL信号；前端信号处理模块用于采集CCL信号并对其作预处理，将经预处理后的信号输入嵌入式微控制器；上位机通信模块用于实现上位机与嵌入式微控制器互相通信；嵌入式微控制器用于系统控制与调度管理，采集和存储数据，输出点火控制信号；后端点火电路模块接收点火控制信号后，执行点火爆破操作。本发明应用于石油射孔，可以实现对石油射孔过程中各类数据的采集和存储，以及点火控制。
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公开(公告)号：CN119730271A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411931581.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法，包括正面阴极栅控MOS结构，由导电区、绝缘层、导电层、第一类型掺杂导电区域、第二类型重掺杂导电区、第一类型重掺杂导电区组成；中间区域漂移区结构，由掺杂导电区、第一类型导电区、第二类型导电区、单一杂质漂移区组成；背面阳极场截止结构，由第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层组成；本发明通过在传统槽栅场截止半超结IGBT的基础上引入载流子存储结构，增强了传统半超结IGBT的电导调制水平，优化了器件的折中关系。
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公开(公告)号：CN118248768A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410365861.3
申请日：2024-03-28
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0376 , H01L31/20
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器领域，涉及高灵敏全日盲非晶氧化铟镓基光电晶体管及其制备方法，包括：栅极、栅介质层、晶体管有源层、源极以及漏极，晶体管有源层为非晶氧化铟镓薄膜，非晶氧化铟镓薄膜的禁带宽度大于等于4.43eV，吸收带边小于等于280nm；非晶氧化铟镓薄膜的生长气氛和退火气氛均为贫氧气氛；本发明通过控制非晶氧化铟镓薄膜生长时的溅射参数，进而控制In掺入的剂量，保证了非晶氧化铟镓薄膜的日盲紫外响应特性；本发明采用贫氧气氛作为氧化铟镓薄膜生长和热退火处理时的环境气氛，使薄膜内部的氧空位含量大幅增加，进而产生光电导增益并强化了薄膜中载流子的渗流传导，使晶体管具备较高的迁移率和优异的探测灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119835951A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411981610.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种阳极具有深缓变掺杂场截止层的半超结IGBT及其制备方法，IGBT包括正面阴极栅控MOS结构、中间区域半超结漂移区结构和背面阳极缓变掺杂场截止层；背面阳极缓变掺杂场截止层从上到下依次包括第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层，其中第二类型导电层与第一类型导电层掺杂类型不同，所述第二类型导电层的掺杂浓度从阳极表面向体内缓慢降低，且掺杂深度在10μm～30μm之间、掺杂浓度峰值在1e15cm‑3量级。本发明通过在传统载流子存储半超结IGBT的基础上在阳极引入缓变掺杂的场截止层，减缓了半超结IGBT的关断电压过冲。
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公开(公告)号：CN118248794A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410364176.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L31/20 , H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0376 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及半导体光电探测领域，具体涉及一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管及其制备方法，制备方法包括制备晶体管的同质结时，对衬底进行加热，在氩氧混合气体的氛围中于衬底上沉积非晶氧化镓富氧层薄膜作为同质结底层；在室温、纯氩气体的氛围中于同质结底层上沉积非晶氧化镓贫氧层薄膜作为同质结顶层，富氧层的氧空位浓度低于贫氧层，同质结顶层的厚度占整个同质结厚度的30％以下；本发明方案制备的晶体管能够大幅抑制暗电流和提升光电流，进而极大地提升器件的探测灵敏度，并且本发明的晶体管有助于利用脉冲栅压对器件进行快速恢复，另外本发明工艺简单，无须引入氧化镓以外的其他半导体材料。
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公开(公告)号：CN119051672A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411219850.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03M13/41
Abstract: 本发明涉及一种低时延可重构的维特比译码电路，属于无线数字通信技术领域。电路包括控制单元、可重构分支度量生成单元、可重构路径度量存储单元、加比选单元、幸存路径存储单元和回溯单元。控制单元接收码率、约束长度和截断长度信息，并根据接收到的信息生成重构信息，以控制后续译码电路的重构。可重构分支度量生成单元根据码率信息选择不同的分支度量生成单元，并采用软判决方法计算欧式距离，生成分支度量值。本发明通过可重构设计，实现了对多种码率和约束长度的支持，并通过改进型回溯算法降低了译码延时，提高了维特比译码电路的灵活性和可用度，使其能够满足高速通信和功耗敏感的应用需求。
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公开(公告)号：CN117220704A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311244429.0
申请日：2023-09-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于蓝牙加密传输的楼宇对讲系统及方法，属于楼宇对讲技术领域，系统包括物业终端、数据中心、若干蓝牙mesh网关、若干访客终端以及若干住户终端；方法包括如下步骤：数据中心生成公私密钥对；数据中心对所有终端进行终端注册；获取访客终端的第一加密数据；访客终端进行签名；住户/物业终端进行签名验证和解密，得到并响应第一解密数据；获取住户/物业终端的第二加密数据；住户/物业终端进行签名；访客终端进行签名验证和解密，得到并响应第二解密数据。本发明解决了现有技术存在的硬件成本投入大，后期维护费用高，存在泄密风险以及数据传输不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN119226674A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411248315.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于三段式CORDIC算法的复乘单元的FFT硬件加速电路，属于无线通信电路领域。该电路包括地址产生单元、随机存储单元、旋转角度产生单元、基于三段式CORDIC算法的复乘单元、基四蝶形单元、输出处理单元和倒序单元。其中，基于三段式CORDIC算法的复乘单元采用流水线结构，将迭代过程分为三个阶段，利用ROM表存储预先计算好的迭代结果，并通过角度二极化编码和移位相加操作实现复数乘法运算。与传统的FFT算法相比，本发明具有运算速度快、存储压力小、资源消耗少等优点，适用于无线通信、图像处理等领域的信号处理任务。旨在解决传统FFT算法计算量大、存储压力大、运算缓慢和资源消耗大的问题。
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