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公开(公告)号：CN119270576A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411690346.9
申请日：2024-11-25
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法，包括以下步骤：S1：基于提供的设计图案，筛选设计尺寸小于最小设计尺寸加第一预定值区域为Target检查区；S2：基于光罩检查标准，对设计图案OPC修正得到修正图案；S3：在Target检查区基础上，基于修正图案，筛选在光罩制造尺寸规则极限及以上至第二预定值区域为POST OPC检查区；S4：对POST OPC检查区仿真模拟并MEEF分析，选择超出MEEF预定值区域为MEEF检查区；S5：对MEEF检查区确定新光罩检查标准。MEEF引入光罩验证避免因光罩误差产生桥接；在最小设计尺寸与光罩制造尺寸极限附近仿真筛选，缩小仿真范围，找到真实的风险热点。
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公开(公告)号：CN118838127A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411085436.5
申请日：2024-08-08
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种光阻消退量的测量方法及光学邻近修正方法，测量方法包括：提供光阻层，在光阻层定义出目标光阻图形，目标光阻图形上设置有锚定点；依据定义的目标光阻图形对光阻层进行曝光显影，以形成具有锚定点的实际光阻图形；基于实际光阻图形的锚定点位置确定目标光阻图形的目标边缘；通过测量获取实际光阻图形的实际边缘；基于实际边缘与目标边缘的间距，获取实际光阻图形的光阻消退量。本发明基于锚定点可以获取光阻图形准确的目标边缘，及通过测量获得光阻图形的实际边缘后，通过实际边缘与目标边缘的间距，可以准确获得光阻图形的实际光阻消退量。
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公开(公告)号：CN119987119A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510249622.6
申请日：2025-03-04
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供亚分辨率辅助图形及其形成方法，光刻图形中至少包括相邻的一个第一目标图形和一个第二目标图形，第二目标图形的关键尺寸大于第一目标图形的关键尺寸；依次添加第一亚分辨率辅助图形和第二亚分辨率辅助图形，形成第二亚分辨率辅助图形的禁止区域；判断第二亚分辨率辅助图形的禁止区域与第二目标图形是否接触，若是，则将第二亚分辨率辅助图形移除。本发明在插入第二亚分辨率辅助图形后直接长出一个禁止区域，若禁止区域接触到第二目标图形就把第二亚分辨率辅助图形自身移除。利用此方法不仅不会影响到其他亚分辨率辅助图形摆放，也即不会误删除其他需要的亚分辨率辅助图形，也不用在后续设计规则检测时耗费太多资源。
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公开(公告)号：CN119322424A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411662360.8
申请日：2024-11-20
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种OPC后的检测模型及其建立方法、优化OPC验证的方法，所述OPC后的检测模型的建立方法，包括：获取OPC后的第一样品图形，第一样品图形在光刻后容易出现光刻胶顶部形貌失真；获取第一样品图形的光学模型及对应的失真等级；对光学模型采用不同曝光参数进行光刻仿真以获得不同失真等级的量测数据和量测图像，量测数据及量测图像包括反映光刻胶曝光后的顶部形貌的线宽及图像；将光学模型在不同曝光参数下对应的失真等级、量测数据和量测图像投入样品图形库建立检测模型，用于判定OPC后的版图数据中是否存在光刻胶的顶部形貌异常的图形。本发明用于优化对部分热点缺陷的检出效果及检出效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118838110A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411091526.5
申请日：2024-08-09
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种掩膜版图形及其优化方法，该优化方法为在初始图形包括并排排列且长度不等的密集图形和稀疏图形时，通过在位于密集图形宽度方向至少一侧的稀疏图形末端增加曝光辅助图形，使其沿稀疏图形长度方向延伸，且密集图形长度与稀疏图形的始端和曝光辅助图形的末端之间的距离的差值为密集图形长度的±10％之间，使得集成电路版图中图形密度程度相差减小，密集图形的末端因为有曝光辅助图形的遮挡不会接收到更多的曝光能量，所以不会由于光学临近效应发生“端部膨胀”现象。从而在衬底上转移得到和原始的掩膜版上图形设计相同的图案，减少集成电路版图中因图形密度不同引起的工艺差异，从而解决由此导致的接触孔功能性不良和短路等工艺缺陷。
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公开(公告)号：CN119620526A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411899648.7
申请日：2024-12-23
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，提供一种辅助图形添加方法、系统及终端，辅助图形添加方法包括以下步骤：获取目标图形；获取辅助图形，辅助图形至少包括第一辅助图形组和第二辅助图形组，第一辅助图形组包括若干第一辅助子图形，第二辅助图形组包括第二辅助子图形；获取第一辅助子图形和第二辅助子图形的添加优先级，以更新预设的添加规则；基于更新后的添加规则，将辅助图形添加至目标图形中。通过在添加规则中设置辅助图形的添加优先级，并根据添加优先级依次添加辅助图形，能够使辅助图形的添加结果在转角等复杂区域内准确可控，有效防止辅助图形添加错误导致不可控的情况发生，保证了对工艺窗口的改善效果。
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公开(公告)号：CN119535913A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411980543.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，提供一种聚焦深度测量方法，包括以下步骤：提供掩膜图形和待测试件，掩膜图形包括若干第一图形和第二图形，第一图形与相邻第二图形之间的距离小于或等于第一距离；对待测试件曝光显影将掩膜图形转移至待测试件上；根据第二图形，对待测试件进行第一类测量，得到待测试件上第二图形的聚焦深度；对待测试件进行第二类测量，得到待测试件上第一图形的聚焦深度；实现了在极小量测范围内同时精准测量待测试件上密集图形和孤立图形的聚焦深度，无需对较为临近的两种图形分开进行两次量测，并降低或避免了密集图形发生失真的风险，后续对密集图形进行切片检查时，能够更精准的反应密集图形的轮廓结构及尺寸。
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公开(公告)号：CN119439602A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411415442.2
申请日：2024-10-11
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种OPC模型构建方法及装置、存储介质和终端，其中方法包括对测试掩模进行光学曝光模拟以获取初步模拟数据，基于第一筛选条件对初步模拟数据中单元图案进行筛选获取初步单元图案信息；获取基于初步单元图案信息所建立的初步机台量测程式，基于初步机台量测程式收集待测晶圆的初步实际晶圆CD数据，基于预设建模条件对初步实际晶圆CD进行判断建立初始OPC模型；基于初始OPC模型对测试掩模进行模拟获取再次模拟数据，基于第二筛选条件对再次模拟数据中单元图案进行筛选以获取再次单元图案信息；基于再次单元图案信息获取最终OPC模型。采用智能量测方式在对现有人工参与量测方式进行优化的同时，提高了量测效率并减少人为因素产生的误差。
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公开(公告)号：CN119247684A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411400988.0
申请日：2024-10-09
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种掩膜版及形成方法，通过定义掩膜版上多个区域中的待改善区域；在待改善区域内加入亚分辨率填充图案，亚分辨率填充图案位于初始光刻OPC图案两侧，以形成新的掩膜版图案，亚分辨率填充图案用于增加待改善区域的光刻图案密度。本发明先定义掩膜版上的待改善区域，以准确改善需要增加光刻图案密度的区域。以及亚分辨率填充图案是虚拟图案，不可以在芯片上曝光出图案，本发明提高了每个区域的光刻OPC图案的图案密度的均匀度，优化光掩膜上的工艺制作进而提升光刻OPC图案的线宽的精准度，也即解决了掩膜版上各区域的光刻OPC图案密度不均匀的问题。
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