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公开(公告)号：CN119535913A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411980543.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，提供一种聚焦深度测量方法，包括以下步骤：提供掩膜图形和待测试件，掩膜图形包括若干第一图形和第二图形，第一图形与相邻第二图形之间的距离小于或等于第一距离；对待测试件曝光显影将掩膜图形转移至待测试件上；根据第二图形，对待测试件进行第一类测量，得到待测试件上第二图形的聚焦深度；对待测试件进行第二类测量，得到待测试件上第一图形的聚焦深度；实现了在极小量测范围内同时精准测量待测试件上密集图形和孤立图形的聚焦深度，无需对较为临近的两种图形分开进行两次量测，并降低或避免了密集图形发生失真的风险，后续对密集图形进行切片检查时，能够更精准的反应密集图形的轮廓结构及尺寸。
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