公开(公告)号：CN119270576A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411690346.9

申请日：2024-11-25

Applicant: 重庆芯联微电子有限公司

Inventor： 张聪 ,  敖振宇 ,  陈咏翔 ,  曾鼎程 ,  范富杰 ,  胡展源

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/44 ,  G03F1/72 ,  G03F1/84 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法，包括以下步骤：S1：基于提供的设计图案，筛选设计尺寸小于最小设计尺寸加第一预定值区域为Target检查区；S2：基于光罩检查标准，对设计图案OPC修正得到修正图案；S3：在Target检查区基础上，基于修正图案，筛选在光罩制造尺寸规则极限及以上至第二预定值区域为POST OPC检查区；S4：对POST OPC检查区仿真模拟并MEEF分析，选择超出MEEF预定值区域为MEEF检查区；S5：对MEEF检查区确定新光罩检查标准。MEEF引入光罩验证避免因光罩误差产生桥接；在最小设计尺寸与光罩制造尺寸极限附近仿真筛选，缩小仿真范围，找到真实的风险热点。

公开(公告)号：CN119987157A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510249624.5

申请日：2025-03-04

Applicant: 重庆芯联微电子有限公司

Inventor： 敖振宇 ,  曾鼎程 ,  陈咏翔 ,  范富杰 ,  胡展源

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/36 ,  G03F1/44

Abstract: 本发明提供了一种一维图案的光学临近修正方法、存储介质、电子设备，所述方法包括建立各尺寸的一维图案在各空间环境下模型误差表，所述模型误差表由数值补值表及模型补值表得到，所述数值补值表由各尺寸的一维图案在各空间环境下基于规则的光学临近效应修正获得，所述模型补值表由各尺寸的一维图案在各空间环境下基于模型的光学临近效应修正获得；对一维图案执行基于规则的光学临近效应修正，再执行基于模型的光学临近效应修正，所述规则包括所述数值补值表，所述模型包括所述模型误差表作为校正参数。本发明可用于优化一维图案的光学临近修正。

公开(公告)号：CN119147548A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411080051.X

申请日：2024-08-07

Applicant: 重庆芯联微电子有限公司

Inventor： 敖振宇 ,  陈咏翔 ,  曾鼎程 ,  范富杰 ,  胡展源

IPC: G01N21/956 ,  G06T7/00

Abstract: 一种掩膜的检测方法及装置、计算机可读存储介质、计算机程序产品、终端，所述方法包括：获取目标掩膜，所述目标掩膜是经过光学邻近校正后的掩膜；获取光罩图像，所述光罩图像是基于所述目标掩膜制作得到的掩膜版的图像；根据所述光罩图像和所述目标掩膜的图像差异，检测所述光罩图像和所述目标掩膜的一致性。通过本公开方案能够在二维上实现对掩膜的品质管控，以助于改善掩膜的制作质量。

公开(公告)号：CN119535913A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411980543.4

申请日：2024-12-31

Applicant: 重庆芯联微电子有限公司

Inventor： 周娴 ,  敖振宇 ,  陈咏翔 ,  曾鼎程 ,  范富杰 ,  胡展源

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请属于半导体技术领域，提供一种聚焦深度测量方法，包括以下步骤：提供掩膜图形和待测试件，掩膜图形包括若干第一图形和第二图形，第一图形与相邻第二图形之间的距离小于或等于第一距离；对待测试件曝光显影将掩膜图形转移至待测试件上；根据第二图形，对待测试件进行第一类测量，得到待测试件上第二图形的聚焦深度；对待测试件进行第二类测量，得到待测试件上第一图形的聚焦深度；实现了在极小量测范围内同时精准测量待测试件上密集图形和孤立图形的聚焦深度，无需对较为临近的两种图形分开进行两次量测，并降低或避免了密集图形发生失真的风险，后续对密集图形进行切片检查时，能够更精准的反应密集图形的轮廓结构及尺寸。

公开(公告)号：CN119247684A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411400988.0

申请日：2024-10-09

Applicant: 重庆芯联微电子有限公司

Inventor： 敖振宇 ,  陈咏翔 ,  曾鼎程 ,  范富杰 ,  胡展源

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/70

Abstract: 本发明提供一种掩膜版及形成方法，通过定义掩膜版上多个区域中的待改善区域；在待改善区域内加入亚分辨率填充图案，亚分辨率填充图案位于初始光刻OPC图案两侧，以形成新的掩膜版图案，亚分辨率填充图案用于增加待改善区域的光刻图案密度。本发明先定义掩膜版上的待改善区域，以准确改善需要增加光刻图案密度的区域。以及亚分辨率填充图案是虚拟图案，不可以在芯片上曝光出图案，本发明提高了每个区域的光刻OPC图案的图案密度的均匀度，优化光掩膜上的工艺制作进而提升光刻OPC图案的线宽的精准度，也即解决了掩膜版上各区域的光刻OPC图案密度不均匀的问题。

公开(公告)号：CN119322424A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202411662360.8

申请日：2024-11-20

Applicant: 重庆芯联微电子有限公司

Inventor： 敖振宇 ,  陈咏翔 ,  曾鼎程 ,  范富杰 ,  胡展源

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/38 ,  G03F1/44 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种OPC后的检测模型及其建立方法、优化OPC验证的方法，所述OPC后的检测模型的建立方法，包括：获取OPC后的第一样品图形，第一样品图形在光刻后容易出现光刻胶顶部形貌失真；获取第一样品图形的光学模型及对应的失真等级；对光学模型采用不同曝光参数进行光刻仿真以获得不同失真等级的量测数据和量测图像，量测数据及量测图像包括反映光刻胶曝光后的顶部形貌的线宽及图像；将光学模型在不同曝光参数下对应的失真等级、量测数据和量测图像投入样品图形库建立检测模型，用于判定OPC后的版图数据中是否存在光刻胶的顶部形貌异常的图形。本发明用于优化对部分热点缺陷的检出效果及检出效率。