无源互调非线性特性参数的多状态测量方法和装置

    公开(公告)号:CN110716095A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201910834388.8

    申请日:2019-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种无源互调非线性特性参数的多状态测量方法和装置,用于测量具有电流-电压非线性效应而易发生无源互调的部件或结构,在屏蔽外界电磁干扰的环境中使用,该方法包括以下步骤:获取多个状态下测量待测器件的输入电压和输出电流;基于指数形式的无源互调非线性模型,利用多组输入电压和输出电流建立非线性参数待定的方程组;利用方程组求解计算得到待测器件的无源互调非线性特性参数,并使用无源互调非线性特性参数来描述待测器件的无源互调非线性特性。

    一种基于GPU架构的微波部件微放电数值模拟方法

    公开(公告)号:CN110442919A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910631096.4

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 本发明一种基于GPU架构的微波部件微放电数值模拟方法,步骤如下:1)建立微波部件的三维模型,确定三维模型的材料和材料的二次电子发射特性参数,确定微波部件微放电仿真参数;2)建立微波部件三维模型的网格模型与微放电电子的粒子模型;3)确定三维模型网格模型中电磁场初始分布和粒子的初始分布;4)基于GPU技术在每个小网格中求解麦克斯韦方程组迭代更新电磁场分布,获得M个时间步的所有电磁场值;5)求解洛仑兹力方程组迭代更新粒子运动,获得M个时间步每个时间步的总粒子数,完成输入功率为P时的微放电数值模拟,确定输入功率为P时微放电是否发生。

    一种快速确定部件微放电阈值的时域数值模拟方法

    公开(公告)号:CN110414053A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910569890.0

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明公开了一种快速确定部件微放电阈值的时域数值模拟方法,包括:建立描述部件最小尺寸结构的三维几何模型,并将所述三维几何模型剖分成多个六面体网格;确定三维几何模型的边界和材料属性,以及材料的二次电子发射特性参数;采用宏粒子模拟空间中的自由电子,定义宏粒子的初始能量、电荷量、质量、初始分布状态和初始运动方向;建立宏粒子链表,并进行宏粒子链表初始化;基于三维几何模型、三维几何模型的边界和材料属性、材料的二次电子发射特性参数、以及宏粒子链表,从微放电阈值扫描功率起始值P0开始,进行微放电阈值数值模拟。通过本发明提高了微放电数值模拟的仿真效率。

    一种低无源互调波导法兰转换装置

    公开(公告)号:CN110137633A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910329798.7

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 本发明公开一种低无源互调波导法兰转换装置,通过构造双面周期性金属单元阵列,结合机械支撑结构,在普通波导法兰面之间形成具有双面空气间隙的非接触过渡连接。通过特定步骤确定周期性金属单元的结构形式、尺寸及空气间隙尺寸,获得合适的电磁禁带特性,保证电磁波无法从空气间隙中泄露,不影响电磁波正常传输的同时,实现波导过渡连接的内部非接触化,大幅消除了传统波导法兰连接的金属接触非线性,实现低无源互调性能。本发明所提转换装置无需改变原波导法兰结构,即可实现低无源互调过渡转换,具有较好的通用性。同时本发明所提装置具有宽带工作特性,可完全覆盖相应的波导工作带宽,可以应用于各种大功率低互调微波部件及测试系统中。

    一种基片集成式低无源互调波导法兰垫片

    公开(公告)号:CN110085951A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910329837.3

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 一种基片集成式低无源互调波导法兰垫片,通过构造基片集成式的双面周期性金属单元阵列,结合外层支撑结构,在传统波导法兰之间构成双面无金属接触的过渡连接结构,通过特定步骤确定关键结构尺寸,获得合适的电磁禁带特性,保证电磁场沿波导正常传输而不泄露,进而代替传统波导法兰连接的金属面接触,大幅消除了金属接触非线性,实现低无源互调性能。本发明所提垫片结构无需改变原波导法兰结构,即可实现低无源互调过渡连接,且通过基片集成方式可以实现小型轻薄化和高度灵活性,在低频至高频范围内均可实现与标准波导法兰面的尺寸匹配。可以实现低成本、通用批量化,可应用于各种低无源互调需求的大功率微波部件、系统以及测试系统中。

    一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法

    公开(公告)号:CN109060854A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201810695524.5

    申请日:2018-06-29

    CPC classification number: G01N23/22

    Abstract: 一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法,首先确定介质材料的材料特性、表面周期性孔隙特性、射频电磁场、静电荷积累场、静态磁场和初始电子信息,然后确定介质材料表面孔隙中的各个电子运动轨迹、电子与孔隙边界碰撞前运动时间,进而计算得到电子与孔隙边界的碰撞角度、碰撞能量,最后根据各个电子与孔隙边界碰撞后的二次电子出射信息,结合电子运动轨迹方程与孔隙边界条件,判断电子是否从孔隙中出射,得到周期性孔隙介质材料表面二次电子发射特性。

    一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法

    公开(公告)号:CN106156440B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201610585498.1

    申请日:2016-07-22

    Abstract: 一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法,首先将腔体滤波器接触部位进行等分,在两个载波频率处进行两次频域电磁场仿真,分别获得接触部位的表面电流。然后结合接触电阻确定接触部位每部分的电压降,根据接触部位非线性电流电压特性确定每部分的非线性电流。最后以该非线性电流为激励,在无源互调频率处进行电磁场仿真,最终确定出腔体滤波器端口无源互调功率电平,从而实现腔体滤波器无源互调电平的快速确定。本发明方法解决了腔体滤波器无源互调仿真的问题,可在滤波器设计阶段,有效仿真优化其无源互调性能。

    一种非接触型低无源互调波导连接结构及设计方法

    公开(公告)号:CN108666717A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810267070.1

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 本发明公开一种非接触型低无源互调波导连接结构及设计方法,在波导外壁设计周期性金属凸体,作为第一连接部。在另一波导末端设计尺寸相匹配的阶梯波导,作为第二连接部。第一连接部内嵌于第二连接部,通过机械连接构成内部非接触的波导连接结构。对凸体尺寸、连接结构内部间距等参数进行计算,获得合适的电磁禁带特性,实现对结构间隙中电磁泄露的抑制。本发明所提非接触型低无源互调波导连接结构,在不影响电磁传输的前提下实现波导连接的内部非接触,消除了传统连接的接触非线性,有效抑制了无源互调效应,且降低了对材料、加工及装配工艺的要求。同时具有宽带、结构紧凑、容差性强等优点,可应用于各种大功率低无源互调微波部件及测试系统中。

    一种快速确定规则槽二次电子产额的方法

    公开(公告)号:CN105203574B

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201510633084.7

    申请日:2015-09-29

    Abstract: 一种快速确定规则槽二次电子产额的方法,本发明将表面形貌对二次电子产额的影响划分成两个方面,一方面通过入射电子与表面作用的角度和入射电子能够照射的区域来影响产额大小,另一方面通过建立照射区域内形貌结构特征对出射电子的遮挡关系来反应产额的影响,最终通过与光滑表面产额的比拟快速获得表面形貌下的二次电子产额。本发明计算速度快,获得的二次电子发射产额与实验结果相吻合,可以定量的揭示出形貌特征对二次电子产额的影响规律,为加速器、高功率微波源的介质窗、大功率微波部件等领域中人工设计并调控特定二次电子产额下表面结构参数提供了有效方法。

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