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公开(公告)号：CN108347683A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810060931.9
申请日：2018-01-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·德厄
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/04 , B81B3/00 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2203/0127 , H04R1/00 , H04R7/12 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2201/003
Abstract: 一种微机电式麦克风，具有：扁平的第一电极，至少部分地由导电材料形成；扁平的第二电极，与第一电极间隔布置并且至少部分地由导电材料形成；布置在第一电极和第二电极之间的间隔件；以及布置在第一电极和第二电极之间所定义的空间中的膜，并且膜能够向着第一电极和/或第二电极的方向移动，膜具有膜通孔，间隔件延伸穿过膜通孔，其中，在第一电极和第二电极之间所定义的其中布置有膜的空间与麦克风的周边环境处于气体交换连接中。
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公开(公告)号：CN104576917B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410547327.0
申请日：2014-10-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G01R33/072 , G01R33/0052 , H01L27/092 , H01L43/065 , H01L43/14
Abstract: 公开了一种具有石墨烯探测层的霍尔效应传感器和用于制造所述霍尔效应传感器的方法，在选择用于在BiCMOS工艺中集成的情况下，该传感器实现为各种几何结构，包括所谓的“全3‑d”霍尔传感器的可能性。
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公开(公告)号：CN106170119A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610282799.7
申请日：2016-04-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/00
Abstract: 本申请涉及用于MEMS换能器的系统和方法。根据一个实施例，一种微机电系统(MEMS)换能器包括：第一电极；第二电极，固定至第二电极的周界处的锚；以及机械支撑件，与第二电极的周界处的锚分离并且机械连接至第一电极和第二电极。机械支撑件固定至第二电极的一部分，使得在操作期间，在机械结构与第二电极的周界之间发生第二电极的最大偏转。
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公开(公告)号：CN104902408A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510098410.9
申请日：2015-03-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/00
Abstract: 本公开涉及一种保持结构和形成保持结构的方法。公开了一种用于将隔膜固定至载体的结构，包括载体；悬置结构；以及具有配置成将悬置结构固定至载体的圆形凹陷形状的保持结构，其中保持结构的锥形侧边物理地连接至悬置结构。进一步公开了一种在载体上形成保持结构以支撑悬置结构的方法。方法可以包括：在载体上形成保持结构；在保持结构上形成悬置结构；成形保持结构，以使其具有凹陷形状；以及设置保持结构以使得保持结构的锥形侧边物理地连接至悬置结构。
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公开(公告)号：CN104576843A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410539883.3
申请日：2014-10-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种用于发射经频率调节的红外光的半导体器件，包括横向发射器结构和横向滤光器结构。横向发射器结构被配置用于发射具有发射器频率分布的红外光。此外，横向滤光器结构被配置用于对由横向发射器结构发射的红外光进行滤光，从而提供具有经调节的频率分布的经频率调节的红外光。经调节的频率分布的频率范围比发射器频率分布的频率范围窄。此外，横向气体间隙位于横向发射器结构和横向滤光器结构之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109678105B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201811217950.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·梅茨格-布吕克尔 , A·德厄 , U·赫科勒 , J·斯特拉塞 , A·沃瑟
Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。
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公开(公告)号：CN104053100B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201410090491.3
申请日：2014-03-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种MEMS声换能器，包括具有从中穿过的空腔，以及包括多个在衬底空腔上方进行延伸的传导穿孔背板部分的传导背板单元。布置在相邻的传导穿孔背板部分之间的背板单元上的电介质间隔体，以及由电介质间隔体所支撑并且在传导穿孔背板部分上进行延伸的一个或多个石墨烯薄膜。
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公开(公告)号：CN109525928A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811089999.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请涉及一种MEMS麦克风。该MEMS麦克风可以包括：声音检测单元以及阀。声音检测可以包括：第一膜；与第一膜间隔布置的第二膜；被提供在第一膜和第二之间的低压区域，在该低压区域中存在与常压相比较小的气压；至少部分地布置在低压区域中的反电极；以及声通孔，该声通孔在声音检测单元的厚度方向上延伸穿过声音检测单元。阀被被提供在声通孔处，并且设置成能够取多个阀状态，其中每个阀状态对应于所述声通孔对于声音的一个预设透射度。
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公开(公告)号：CN109279569A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810805984.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 根据一个实施例，用于双膜MEMS器件300的制造方法100包括以下步骤：在载体衬底210上提供120层布置200，其中层布置200具有彼此间隔的第一膜结构220和第二膜结构230以及布置在其间的反电极结构240，其中在反电极结构240与分别与该反电极结构间隔的第一膜结构和第二膜结构之间的中间区域260中布置有牺牲材料250，并且其中第一膜结构220具有朝向具有牺牲材料250的中间区域260的开口结构270；从中间区域部分去除140牺牲材料250，以获得在第一膜结构和第二膜结构之间的具有牺牲材料250的机械连接结构280，机械连接结构机械耦合到第一膜结构和第二膜结构之间并且与反电极结构机械解耦。
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