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公开(公告)号：CN107941629A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201810025979.6
申请日：2018-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种片状柔性材料弯曲试验设备及方法，其中设备包括安装台，还包括装夹单元和弯曲轴单元，所述装夹单元包括装夹部，所述弯曲轴单元包括沿Z轴方向延伸的弯曲轴，所述弯曲轴远离所述装夹部的一端具有用于抵触所述片状柔性材料的圆弧状侧壁，所述装夹部相对所述弯曲轴沿Y轴方向运动。本发明至少具有以下优点：在试验过程中，片状柔性材料承受的外界拉力小，弯曲半径调节范围大，结构优化。
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公开(公告)号：CN103824888A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410073082.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/788 , H01L29/42324
Abstract: 本发明公开了一种具有微浮结构的半导体器件，在器件栅电极的栅绝缘层中增加悬浮、孤立的微悬浮体，改变器件结构，热载流子经过遂穿效应透过沟道和微悬浮体之间的栅绝缘层并存储在微悬浮体内，使微悬浮体成为带电体，能够减弱器件漏极的电场强度，进一步减少热载流子的产生，可以提高半导体器件的稳定性，延长使用寿命，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117972284B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410101091.1
申请日：2024-01-24
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F17/13
Abstract: 本申请涉及一种耦合环形电感器寄生电容计算方法，属于电子信息技术领域。获取目标耦合环形电感器的导线内直径、导线外直径、单匝绕组长度、绝缘层相对介电常数、相邻两匝线圈之间的距离和线圈匝数；使用抛物线模拟线圈之间的电场线路径，构建相邻两匝线圈之间的电场线路径方程，基于电场线路径方程、单匝绕组长度和导线外直径，计算相邻两匝线圈之间的空气隙寄生电容；基于绝缘层寄生电容和空气隙寄生电容计算相邻两匝线圈之间的寄生电容；基于相邻两匝线圈之间的寄生电容、线圈与磁芯间的寄生电容和线圈匝数计算目标耦合环形电感器的总寄生电容。本申请构建的电场线路径方程更接近实际电场线路径，提高了耦合环形电感器寄生电容计算结果准确性。
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公开(公告)号：CN115775827A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111039996.3
申请日：2021-09-06
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，其包括：有源层，包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；栅极，环绕沟道区域设置；栅绝缘层，设置于栅极和沟道区域之间；其中，当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及远离有效沟道的等效源极和/或等效漏极，场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源极和/或等效漏极连通源极区域和漏极区域以形成工作电流。
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公开(公告)号：CN107941629B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810025979.6
申请日：2018-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种片状柔性材料弯曲试验设备及方法，其中设备包括安装台，还包括装夹单元和弯曲轴单元，所述装夹单元包括装夹部，所述弯曲轴单元包括沿Z轴方向延伸的弯曲轴，所述弯曲轴远离所述装夹部的一端具有用于抵触所述片状柔性材料的圆弧状侧壁，所述装夹部相对所述弯曲轴沿Y轴方向运动。本发明至少具有以下优点：在试验过程中，片状柔性材料承受的外界拉力小，弯曲半径调节范围大，结构优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811559A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410058523.1
申请日：2014-02-21
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L29/0607
Abstract: 本发明涉及一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管，其包括：绝缘衬底、半导体有源区、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极和源漏区附近的调制掺杂区；栅极电压可在半导体有源区表面诱导出导电沟道，此导电沟道将连接金属源区和金属漏区。金属源区与沟道区之间的区域以及金属漏区与沟道区之间的区域均包含可调节空穴和电子势垒高度的调制掺杂区,该调制掺杂区在沟道区的不同深度含有导电类型互补的杂质掺杂。本发明利用源漏区附近的调制掺杂区对电子和空穴势垒高度的调制作用,可以实现在正负栅极电压下都能开启的双极型薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN117954474A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211338864.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请公开了一种抗辐照场效应晶体管器件及其在抗辐照环境中的应用，用于解决现有技术场效应晶体管抗辐照方法受限的问题，该场效应晶体管器件包括衬底；隔离体，设置在衬底上；半导体堆叠，设置在隔离体上，半导体堆叠包括：有源层，设置在隔离体上，有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及栅极结构，与有源层配合；其中，在与衬底垂直的方向上，隔离体围绕半导体堆叠设置，隔离体包括在有源层厚度方向侵入沟道区域的电场调节部，且电场调节部在有源层宽度方向贯通沟道区域。
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公开(公告)号：CN117525109A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210887598.5
申请日：2022-07-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请公开了一种具有阻隔区的场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及至少在沟道区域的厚度方向上远离有效沟道的等效源区和等效漏区，该场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源区和等效漏区连通源极区域和漏极区域以贡献工作电流，其中，该场效应晶体管还包括载流子阻隔区，在与有效沟道长度方向垂直的平面上，等效源区和等效漏区的垂直投影位于载流子阻隔区的垂直投影之内。
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公开(公告)号：CN113363323A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010149102.5
申请日：2020-03-05
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和漏极区域之间沟道区域；其中，场效应晶体管器件被设置成：在器件关闭时，于沟道区域中自发形成耗尽型的第二沟道，且第二沟道不连通所述源极区域和漏极区域；在器件开启时，于沟道区域中形成第二沟道以及与第二沟道同极性的第一沟道；且第一沟道和第二沟道的至少其中之一对其中另一注入载流子，以使源漏连通并且第二沟道的载流子贡献器件的开启电流。
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