公开(公告)号：CN115490929A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210989035.7

申请日：2022-08-17

Applicant: 苏州大学 ,  苏州华东橡胶工业有限公司

Inventor： 屠迎锋 ,  陈杰 ,  江健 ,  孙子渊 ,  陆成华 ,  郭成杰

IPC: C08L7/00 ,  C08L91/06 ,  C08K3/22 ,  C08K5/5435

Abstract: 本发明涉及一种高密度橡胶材料及其制备方法。其组分包括：常见橡胶生胶、炭黑、氧化铋、氧化锌、硬脂酸、硫化剂、硫化促进剂等；以及该高密度橡胶的生产方法，步骤如下：将橡胶生胶、炭黑、氧化铋、氧化锌、硬脂酸、硫化剂、硫化促进剂放入开炼机中进行开炼，混合均匀后模压成型，再进行硫化得到高密度橡胶。本发明的橡胶密度能达到3克每立方厘米以上，同时具有良好的机械性能，强度可达9兆帕以上，断裂伸长率超过250％。

公开(公告)号：CN103811559B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201410058523.1

申请日：2014-02-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  张冬利 ,  陈杰

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明涉及一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管，其包括：绝缘衬底、半导体有源区、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极和源漏区附近的调制掺杂区；栅极电压可在半导体有源区表面诱导出导电沟道，此导电沟道将连接金属源区和金属漏区。金属源区与沟道区之间的区域以及金属漏区与沟道区之间的区域均包含可调节空穴和电子势垒高度的调制掺杂区,该调制掺杂区在沟道区的不同深度含有导电类型互补的杂质掺杂。本发明利用源漏区附近的调制掺杂区对电子和空穴势垒高度的调制作用,可以实现在正负栅极电压下都能开启的双极型薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN103811559A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410058523.1

申请日：2014-02-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  张冬利 ,  陈杰

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/0607

Abstract: 本发明涉及一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管，其包括：绝缘衬底、半导体有源区、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极和源漏区附近的调制掺杂区；栅极电压可在半导体有源区表面诱导出导电沟道，此导电沟道将连接金属源区和金属漏区。金属源区与沟道区之间的区域以及金属漏区与沟道区之间的区域均包含可调节空穴和电子势垒高度的调制掺杂区,该调制掺杂区在沟道区的不同深度含有导电类型互补的杂质掺杂。本发明利用源漏区附近的调制掺杂区对电子和空穴势垒高度的调制作用,可以实现在正负栅极电压下都能开启的双极型薄膜晶体管。