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公开(公告)号：CN118969476A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411133984.0
申请日：2024-08-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及电子信息技术领域，尤其是指一种最低寄生电容的环形滤波电感器设计方法及系统。调整第一层单匝绕组到磁芯之间的最短距离，通过第一层全层绕组的单匝绕组与磁芯间寄生电容计算模型，获取第一层单匝绕组与磁芯之间的寄生电容，调整第一层全层绕组与第二层部分层绕组之间的最短距离，通过第一层全层绕组的单匝绕组与第二层部分层绕组的单匝绕组间寄生电容计算模型，获取第一层单匝绕组与第二层单匝绕组之间的寄生电容，调整磁芯电势，通过匝数百分比计算模型，获取第二层部分层绕组与第一层全层绕组匝数百分比，得到目标环形滤波电感器。本发明使环形滤波电感器的寄生电容达到最低，并且考虑到导线曲率问题，使得寄生电容的计算更为精确。
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公开(公告)号：CN118039342A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410448323.0
申请日：2024-04-15
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及多层功率集成电感的制造方法，具体步骤如下：准备N张PI薄膜；在每一张PI薄膜上分别进行单片制作，形成N张单片样品；单片制作方法如下：在PI薄膜上激光打孔，形成过孔；在PI薄膜的上下表面分别进行光刻处理，形成光刻区域；在光刻区域进行金属沉积，形成金属层；电镀工艺增加金属层的厚度，制成单片样品；将N张单片样品依次堆叠并金属键合形成立体电感线圈；在相邻的两层单片样品之间填充磁粉填充并压合磁粉；在立体电感线圈上制作引脚，制成多层功率集成电感。本发明能够实现多层多层功率集成电感大规模量产；并且单片在制作时通过光刻和电镀工艺结合，克服了传统多层功率集成电感无法将金属层做厚的难题，制得的小型电感能够具有较低的直流内阻。
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公开(公告)号：CN117954473A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211338052.0
申请日：2022-10-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请公开了一种具有阻隔区的场效应晶体管器件，用于改善现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的沟道区域，该沟道区域中设置有载流子阻隔区；其中，当器件关闭时，载流子阻隔区用于阻隔自源极区域向漏极区域运动的载流子。
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公开(公告)号：CN103811559B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410058523.1
申请日：2014-02-21
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管，其包括：绝缘衬底、半导体有源区、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极和源漏区附近的调制掺杂区；栅极电压可在半导体有源区表面诱导出导电沟道，此导电沟道将连接金属源区和金属漏区。金属源区与沟道区之间的区域以及金属漏区与沟道区之间的区域均包含可调节空穴和电子势垒高度的调制掺杂区,该调制掺杂区在沟道区的不同深度含有导电类型互补的杂质掺杂。本发明利用源漏区附近的调制掺杂区对电子和空穴势垒高度的调制作用,可以实现在正负栅极电压下都能开启的双极型薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN103293183A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310180105.5
申请日：2013-05-15
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种新型提取LED系统热容和热时间常数的方法和理论，包括以下步骤：1）测量LED结温温度曲线；2）读取该曲线中温度上升到最高稳态温度的63.2%所对应的时间，记为LED器件的热时间常数τjc；3）读取曲线中最大结温和初始结温，两者相减之后再除以LED输入的热功率，得到LED器件的热阻Rjc；4）用提取的热时间常数除以提取的热阻，得到LED器件的热容Cjc。本发明给出了一种简便的提取LED器件整体热容和整体热时间常数的方法和理论。该方法可一次性提取整个器件的热阻、热容和热时间常数，简化了LED器件热阻和热容的提取过程，也创新性的提出了LED器件热时间常数的提取过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118039342B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410448323.0
申请日：2024-04-15
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及多层功率集成电感的制造方法，具体步骤如下：准备N张PI薄膜；在每一张PI薄膜上分别进行单片制作，形成N张单片样品；单片制作方法如下：在PI薄膜上激光打孔，形成过孔；在PI薄膜的上下表面分别进行光刻处理，形成光刻区域；在光刻区域进行金属沉积，形成金属层；电镀工艺增加金属层的厚度，制成单片样品；将N张单片样品依次堆叠并金属键合形成立体电感线圈；在相邻的两层单片样品之间填充磁粉填充并压合磁粉；在立体电感线圈上制作引脚，制成多层功率集成电感。本发明能够实现多层多层功率集成电感大规模量产；并且单片在制作时通过光刻和电镀工艺结合，克服了传统多层功率集成电感无法将金属层做厚的难题，制得的小型电感能够具有较低的直流内阻。
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公开(公告)号：CN116825820A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210887594.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请公开了一种非均匀掺杂场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件设置为当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道、以及至少在沟道区域的厚度方向上远离有效沟道的等效源区和/或等效漏区，场效应晶体管器件通过有效沟道、等效源区以及等效漏区连通源极区域和漏极区域以贡献工作电流；其中，在沟道区域靠近有效沟道的方向上：第一区域中至少部分的掺杂浓度逐渐降低；和/或，第二区域中至少部分的掺杂浓度逐渐升高；和/或，第三区域中至少部分的掺杂浓度逐渐降低；和/或，在源极区域指向漏极区域的方向上：第三区域中至少部分的掺杂浓度逐渐降低。
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公开(公告)号：CN116825819A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210886067.4
申请日：2022-07-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请公开了一种场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及至少在沟道区域的厚度方向上远离有效沟道的等效源区和等效漏区，该场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源区和等效漏区连通源极区域和漏极区域以贡献工作电流，其中，等效源区的长度大于等效漏区的长度。
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公开(公告)号：CN113363323B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202010149102.5
申请日：2020-03-05
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和漏极区域之间沟道区域；其中，场效应晶体管器件被设置成：在器件关闭时，于沟道区域中自发形成耗尽型的第二沟道，且第二沟道不连通所述源极区域和漏极区域；在器件开启时，于沟道区域中形成第二沟道以及与第二沟道同极性的第一沟道；且第一沟道和第二沟道的至少其中之一对其中另一注入载流子，以使源漏连通并且第二沟道的载流子贡献器件的开启电流。
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公开(公告)号：CN114823860A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110110414.X
申请日：2021-01-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管器件及利用其改善短沟道效应和输出特性的方法，其中该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及远离有效沟道的等效源极和/或等效漏极，该场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源极和/或等效漏极连通源极区域和漏极区域以形成工作电流。
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