公开(公告)号：CN113363323A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010149102.5

申请日：2020-03-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  赵金凤 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和漏极区域之间沟道区域；其中，场效应晶体管器件被设置成：在器件关闭时，于沟道区域中自发形成耗尽型的第二沟道，且第二沟道不连通所述源极区域和漏极区域；在器件开启时，于沟道区域中形成第二沟道以及与第二沟道同极性的第一沟道；且第一沟道和第二沟道的至少其中之一对其中另一注入载流子，以使源漏连通并且第二沟道的载流子贡献器件的开启电流。

公开(公告)号：CN113363323B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202010149102.5

申请日：2020-03-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  赵金凤 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和漏极区域之间沟道区域；其中，场效应晶体管器件被设置成：在器件关闭时，于沟道区域中自发形成耗尽型的第二沟道，且第二沟道不连通所述源极区域和漏极区域；在器件开启时，于沟道区域中形成第二沟道以及与第二沟道同极性的第一沟道；且第一沟道和第二沟道的至少其中之一对其中另一注入载流子，以使源漏连通并且第二沟道的载流子贡献器件的开启电流。