公开(公告)号：CN117954473A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202211338052.0

申请日：2022-10-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  许会芳 ,  周国澳 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种具有阻隔区的场效应晶体管器件，用于改善现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的沟道区域，该沟道区域中设置有载流子阻隔区；其中，当器件关闭时，载流子阻隔区用于阻隔自源极区域向漏极区域运动的载流子。

公开(公告)号：CN117954474A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202211338864.5

申请日：2022-10-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  许会芳 ,  周国澳 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种抗辐照场效应晶体管器件及其在抗辐照环境中的应用，用于解决现有技术场效应晶体管抗辐照方法受限的问题，该场效应晶体管器件包括衬底；隔离体，设置在衬底上；半导体堆叠，设置在隔离体上，半导体堆叠包括：有源层，设置在隔离体上，有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及栅极结构，与有源层配合；其中，在与衬底垂直的方向上，隔离体围绕半导体堆叠设置，隔离体包括在有源层厚度方向侵入沟道区域的电场调节部，且电场调节部在有源层宽度方向贯通沟道区域。

公开(公告)号：CN117525109A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210887598.5

申请日：2022-07-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  刘敏 ,  周国澳 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种具有阻隔区的场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及至少在沟道区域的厚度方向上远离有效沟道的等效源区和等效漏区，该场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源区和等效漏区连通源极区域和漏极区域以贡献工作电流，其中，该场效应晶体管还包括载流子阻隔区，在与有效沟道长度方向垂直的平面上，等效源区和等效漏区的垂直投影位于载流子阻隔区的垂直投影之内。