公开(公告)号：CN115775827A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202111039996.3

申请日：2021-09-06

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  陈乐凯 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，其包括：有源层，包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；栅极，环绕沟道区域设置；栅绝缘层，设置于栅极和沟道区域之间；其中，当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及远离有效沟道的等效源极和/或等效漏极，场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源极和/或等效漏极连通源极区域和漏极区域以形成工作电流。

公开(公告)号：CN116825819A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202210886067.4

申请日：2022-07-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  郭烨烨 ,  陈乐凯 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及至少在沟道区域的厚度方向上远离有效沟道的等效源区和等效漏区，该场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源区和等效漏区连通源极区域和漏极区域以贡献工作电流，其中，等效源区的长度大于等效漏区的长度。

公开(公告)号：CN114823860A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110110414.X

申请日：2021-01-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  陈乐凯 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管器件及利用其改善短沟道效应和输出特性的方法，其中该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及远离有效沟道的等效源极和/或等效漏极，该场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源极和/或等效漏极连通源极区域和漏极区域以形成工作电流。