公开(公告)号：CN116825820A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202210887594.7

申请日：2022-07-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  郭烨烨 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种非均匀掺杂场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件设置为当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道、以及至少在沟道区域的厚度方向上远离有效沟道的等效源区和/或等效漏区，场效应晶体管器件通过有效沟道、等效源区以及等效漏区连通源极区域和漏极区域以贡献工作电流；其中，在沟道区域靠近有效沟道的方向上：第一区域中至少部分的掺杂浓度逐渐降低；和/或，第二区域中至少部分的掺杂浓度逐渐升高；和/或，第三区域中至少部分的掺杂浓度逐渐降低；和/或，在源极区域指向漏极区域的方向上：第三区域中至少部分的掺杂浓度逐渐降低。

公开(公告)号：CN116825819A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202210886067.4

申请日：2022-07-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王明湘 ,  郭烨烨 ,  陈乐凯 ,  张冬利 ,  王槐生

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道以及至少在沟道区域的厚度方向上远离有效沟道的等效源区和等效漏区，该场效应晶体管器件通过有效沟道、以及等效源区和等效漏区连通源极区域和漏极区域以贡献工作电流，其中，等效源区的长度大于等效漏区的长度。