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公开(公告)号：CN107941629B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810025979.6
申请日：2018-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种片状柔性材料弯曲试验设备及方法，其中设备包括安装台，还包括装夹单元和弯曲轴单元，所述装夹单元包括装夹部，所述弯曲轴单元包括沿Z轴方向延伸的弯曲轴，所述弯曲轴远离所述装夹部的一端具有用于抵触所述片状柔性材料的圆弧状侧壁，所述装夹部相对所述弯曲轴沿Y轴方向运动。本发明至少具有以下优点：在试验过程中，片状柔性材料承受的外界拉力小，弯曲半径调节范围大，结构优化。
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公开(公告)号：CN107941629A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201810025979.6
申请日：2018-01-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种片状柔性材料弯曲试验设备及方法，其中设备包括安装台，还包括装夹单元和弯曲轴单元，所述装夹单元包括装夹部，所述弯曲轴单元包括沿Z轴方向延伸的弯曲轴，所述弯曲轴远离所述装夹部的一端具有用于抵触所述片状柔性材料的圆弧状侧壁，所述装夹部相对所述弯曲轴沿Y轴方向运动。本发明至少具有以下优点：在试验过程中，片状柔性材料承受的外界拉力小，弯曲半径调节范围大，结构优化。
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公开(公告)号：CN118866692B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411338457.3
申请日：2024-09-25
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/32
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载流子移动路径间隔排列；S3、通过止挡件在沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，缺陷部的缺陷浓度高于本体部缺陷浓度。本申请相比于现阶段常规半导体器件来说，其不仅具有金属氧化物半导体器件关态泄漏电流低、亚阈值摆幅小的优势，同时还具有能够与多晶硅薄膜晶体管相媲美的导电性能，由此在本行业内具有广泛使用前景。
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公开(公告)号：CN118866692A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411338457.3
申请日：2024-09-25
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/32
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载流子移动路径间隔排列；S3、通过止挡件在沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，缺陷部的缺陷浓度高于本体部缺陷浓度。本申请相比于现阶段常规半导体器件来说，其不仅具有金属氧化物半导体器件关态泄漏电流低、亚阈值摆幅小的优势，同时还具有能够与多晶硅薄膜晶体管相媲美的导电性能，由此在本行业内具有广泛使用前景。
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