公开(公告)号：CN118866692B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411338457.3

申请日：2024-09-25

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张冬利 ,  冯雨涵 ,  王明湘 ,  王槐生 ,  吕楠楠

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载流子移动路径间隔排列；S3、通过止挡件在沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，缺陷部的缺陷浓度高于本体部缺陷浓度。本申请相比于现阶段常规半导体器件来说，其不仅具有金属氧化物半导体器件关态泄漏电流低、亚阈值摆幅小的优势，同时还具有能够与多晶硅薄膜晶体管相媲美的导电性能，由此在本行业内具有广泛使用前景。

公开(公告)号：CN118866692A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411338457.3

申请日：2024-09-25

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张冬利 ,  冯雨涵 ,  王明湘 ,  王槐生 ,  吕楠楠

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载流子移动路径间隔排列；S3、通过止挡件在沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，缺陷部的缺陷浓度高于本体部缺陷浓度。本申请相比于现阶段常规半导体器件来说，其不仅具有金属氧化物半导体器件关态泄漏电流低、亚阈值摆幅小的优势，同时还具有能够与多晶硅薄膜晶体管相媲美的导电性能，由此在本行业内具有广泛使用前景。